Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=метод псевдопотенциала<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Чибисов, Андрей Николаевич (канд. физ.-мат. наук; науч. сотрудник ).
Квантово-механический расчет электронной структуры BaTiO3 [Текст] / А. Н. Чибисов // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 41 : Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 29-30 : Ил., 3 рис. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

^A539.19

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом

Кл.слова (ненормированные):
титанат бария -- тетрагональный титанат бария -- электронная структура титаната бария -- расчеты -- теория функционала электронной плотности -- метод псевдопотенциала
Аннотация: В статье рассмотрены теоретические основы электронной структуры тетрагонального титаната бария. Методами функционала электронной плотности и теории псевдопотенциалов произведены расчеты.

Доп.точки доступа:
Чибисова, Марина Анатольевна (канд. физ.-мат. наук; ст. преподаватель каф. БЖД)

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : аб. (2), н.з. (1), эн.ф. (1), ч.з. (1)
Свободны: аб. (2), н.з. (1), эн.ф. (1), ч.з. (1)

Найти похожие

Караваев, Г. Ф.
Модели рассеяния электронов на гетерогранице GaAs/AIAs (001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 34-43. - Библиогр.: c. 43 (25 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетерограница GaAs/AIAs (001) -- метод псевдопотенциала -- модели рассеяния электронов -- модель плавной границы (физика) -- модель резкой границы (физика)
Аннотация: Рассмотрены упрощенные модели для описания рассеяния электронов зоны проводимости на гетерогранице GaAs/AIAs (001). Модели соответствуют двум приближениям - резкому и ''плавному'' изменению потенциала вблизи гетерограницы. Они построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Первая модель, использующая приближение резкой границы, подобна рассмотренной ранее трехдолинной модели Андо на основе расчетов методом сильной связи. Вторая модель использует описание потенциала в окрестности гетерограницы с помощью фрагмента сверхрешетки, составляющего половину ее периода. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов. Отмечено, что отличие модели плавной границы от модели резкой границы становится существенным в случае гетероструктур с тонкими слоями и в случае состояний с заметной локализацией электронной плотности вблизи гетерограниц.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 7. - С. 43-45. . - Библиогр.: c. 45 (3 назв. )

УДК

^a621

ББК 34.7
Рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Кл.слова (ненормированные):
германий -- квантовые точки Ge -- кремний -- метод псевдопотенциала -- нанокластеры германия -- спектры оптического поглощения Si
Аннотация: Приводятся результаты расчетов спектров оптического поглощения кремния с нанокластерами германия сферической формы и различных размеров. Анализируются оптические переходы с уровнем германиевого кластера в объемные энергетические зонные состояния кремния.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гриняев, С. Н.
Туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с плавным потенциалом на гетерограницах [Текст] / С. Н. Гриняев, Г. Ф. Караваев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 7. - С. 7-13. . - Библиогр.: с. 13 (6 назв. )

УДК

^a539.19

^a593.293.011

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
гексагональная сверхрешетка -- метод псевдопотенциала -- плавный интерфейсный потенциал -- туннелирование электронов -- фано-резонансы
Аннотация: На основе метода псевдопотенциала изучено влияние плавного интерфейсного потенциала на туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с тонкими слоями. Переходная область между компонентами структуры представлена половиной перехода гексагональной сверхрешетки (GaAs) [3] (AlAs) [3] (111). Показано, что по сравнению с моделью резкой границы учет плавного потенциала приводит к уменьшению Г-L-смешивания, сужению фано-резонансов, исчезновению интерфейсных состояний на границе GaAs/ AlAs (111). Возникающие сдвиги нижних Г- и L-резонансов в структурах с толщиной слоев <2 нм достигают значений ~0, 1 эВ и согласуются с поведением уровней в квантовых ямах. Результаты многозонного расчета коэффициента прохождения электронов с энергиями 0-0, 5 эВ от дна зоны проводимости GaAs близки к расчету, в котором учитывались только нижние состояния зоны проводимости сверхрешетки Г[1]{ (1) }, Г[1]{ (2) } и бинарных кристаллов Г[1], L[1], что указывает на возможность развития <двухдолинной> сверхрешеточной модели <плавной> границы GaAs/ AlAs (111).

Доп.точки доступа:
Караваев, Г. Ф.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Теоретическое изучение сорбции и диффузии кислорода в объеме и на поверхности сплава гамма-TiAl [Текст] / А. В. Бакулин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2015. - Т. 147, вып. 2. - С. 292-304. - Библиогр.: с. 303-304 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
адсорбция кислорода -- алюминиды титана -- диффузия кислорода -- кислород -- метод псевдопотенциала -- сорбция кислорода -- сплав TiAl
Аннотация: Изучена адсорбция кислорода на поверхностях (001), (100), (110) сплава гамма-TiAl, а также влияние концентрации кислорода на окисление стехиометрической поверхности (100) и диффузии кислорода в объем сплава.

Доп.точки доступа:
Бакулин, А. В.; Кулькова, С. Е.; Ху, Ц. М.; Янг, Р.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Яшина, И. Г.
Что является зародышем наноразмерных литиевых коллоидов в кристаллах LiF? [Текст] / И. Г. Яшина, Л. И. Щепина // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 2. - С. 283-286. - Библиогр.: c. 286 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
коллоидообразование -- кристаллы фторида натрия -- литиевые коллоиды -- метод псевдопотенциала -- метод суперячейки -- теория функционала плотности
Аннотация: Представлены результаты исследования различных пространственных и зарядовых конфигураций предколлоидальных центров в кристаллах фторида лития. Теоретические исследования базировались на теории функционала плотности, были использованы методы псевдопотенциала и суперячейки. Анализ структуры запрещенной зоны кристалла проводили на основании распределения плотности электронных состояний по энергии.

Доп.точки доступа:
Щепина, Л. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.07.2024
Число запросов	143105
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)