Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=метод высокочастотного магнетронного распыления<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Зависимость свойств магнетронных Ca-P покрытий, сформированных из плазмы ВЧ-разряда, от параметров напыления [Текст] / Р. А. Сурменев [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 4. - С. 57-65.

УДК

^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
ВЧ-магнетронное распыление -- гидроксиапатит -- биосовместимые покрытия -- метод высокочастотного магнетронного распыления
Аннотация: Методом высокочастотного магнетронного распыления при различной мощности разряда на материалах медицинских имплантатов получены Ca-P покрытия с аморфной и кристаллической структурой.

Доп.точки доступа:
Сурменев, Р. А.; Сурменева, М. А.; Евдокимов, К. Е.; Пичугин, В. Ф.; Эппле, М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Трансформация перовскитовой фазы в процессе кристаллизации тонких пленок ЦТС [Текст] / И. П. Пронин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 9. - С. 1360-1362. . - Библиогр.: c. 1362 (8 назв. )

УДК

^a537.226.4

ББК 22.331
Рубрики: Физика
Электростатика
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрические свойства -- керамические мишени -- кристаллизация -- метод высокочастотного магнетронного распыления -- перовскитовые фазы -- пленки цирконата-титаната свинца -- рентгенодифракционный анализ -- сегнетоэлектрические параметры -- тонкие пленки
Аннотация: Изучены структура и диэлектрические свойства выращенных ex-situ тонких пленок ЦТС на подложке Pt/SiO[2]/Si. Показано, что с ростом температуры кристаллизации в диапазоне температур 540-580 град. С в пленках наблюдаются смена механизма роста фазы перовскита и соответствующие этой трансформации изменения сегнетоэлектрических параметров.

Доп.точки доступа:
Пронин, И. П.; Каптелов, Е. Ю.; Сенкевич, С. В.; Шаплыгина, Т. А.; Климов, В. А.; Пронин, В. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.09.2024
Число запросов	36766
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)