Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=металлооксидные полупроводники<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Гаман, В. И.
Влияние адсорбции кислорода на поверхностный потенциал металлооксидного полупроводника [Текст] / В. И. Гаман // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 10. - С. 75-81. - Библиогр.: c. 81 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
адсорбция кислорода -- адсорбция окислительных газов -- металлооксидные полупроводники -- поверхностная плотность ионов кислорода -- поверхностный потенциал -- теплота адсорбции -- хемосорбция
Аннотация: Представлены аналитические выражения, описывающие зависимости поверхностной плотности адсорбированных ионов кислорода и изгиба энергетических зон в приповерхностной области металлооксидного полупроводника от концентрации кислорода, которые учитывают не только процесс адсорбции нейтральных частиц газа, но и их перезарядку за счет захвата электрона из зоны проводимости. Показано, что теплота адсорбции ионов кислорода равна сумме теплоты адсорбции нейтральной частицы и энергетического зазора между уровнем Ферми и уровнем иона кислорода на поверхности полупроводника. В период установления адсорбционного равновесия аналитическое выражение, описывающее зависимость изгиба энергетических зон от времени, может быть получено только для случая малых изменений концентрации кислорода в газовой смеси.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гаман, В. И.
Физические основы работы сенсоров окислительных газов на основе металлооксидных полупроводников [Текст] / В. И. Гаман // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 12. - С. 58-65. - Библиогр.: c. 65 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.2

ББК 22.331
Рубрики: Физика
Электростатика
Кл.слова (ненормированные):
диоксид азота -- канальная проводимость -- кислород -- металлооксидные полупроводники -- надбарьерная проводимость -- поликристаллические пленки -- сенсоры диоксид азота -- сенсоры кислорода -- сенсоры окислительных газов -- теплота адсорбции -- хемосорбция -- энергия активации десорбции
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы сенсоров кислорода и диоксида азота на основе тонких поликристаллических пленок металлооксидных полупроводников. Представлены аналитические выражения, описывающие зависимости проводимости сенсора и его отклика от концентрации окислительного газа, геометрических и физических параметров полупроводниковой пленки. Проведено сопоставление полученных в теории закономерностей с имеющимися результатами экспериментальных исследований.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	39857
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)