Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=легированные полупроводники<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Новый класс высокочувствительных приемников терагерцового излучения [Текст] / Д. Р. Хохлов [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2009. - Т. 107, N 4. - С. 546-552. - Библиогр.: с. 552 (22 назв. ) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.33

ББК 22.344
Рубрики: Физика
Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
легированные полупроводники -- теллурид свинца -- фотонные приемники -- терагерцовые диапазоны -- фотоприемники
Аннотация: Описаны свойства легированных полупроводников на базе теллурида свинца, на основе которых возможно создание высокочувствительных фотонных приемников излучения терагерцового диапазона.

Доп.точки доступа:
Хохлов, Д. Р.; Галеева, А. В.; Долженко, Д. Е.; Рябова, Л. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кюрегян, А. С.
Длинноволновая неустойчивость фронта плоских волн ударной ионизации в полупроводниках [Текст] / Кюрегян А. С. // Известия Российской академии наук. Энергетика. - 2011. - N 4. - С. 7-16. : ил. - Библиогр.: с. 16 (19 назв. )

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
волны ударной ионизации -- ударная ионизация -- плоские волны -- легированные полупроводники -- полупроводники -- длинноволновое возмущение -- лавинные обострители напряжения
Аннотация: Проведен теоретический анализ поперечной устойчивости плоского фронта волны ударной ионизации (ВУИ) в полупроводниках конечной толщины с конечной концентрацией легирующей примеси. Получены формулы для инкремента s нарастания длинноволнового возмущения при наличии и при отсутствии фоновых носителей заряда перед фронтом.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Skinner, B.
Effects of bulk charged impurities on the bulk and surface transport in three-dimensional topological insulators [Text] / B. Skinner, T. Chen, B. I. Shklovskii // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 144, вып. 3. - С. 662-676. - Библиогр.: с. 675-676 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
топологические изоляторы -- изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- полупроводники -- легированные полупроводники -- заряженные примеси -- примеси

Доп.точки доступа:
Chen, T.; Shklovskii, B. I.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Богословский, Н. А.
Примесная магнитная восприимчивость полупроводников в случае прямого обменного взаимодействия в модели Изинга [Текст] / Н. А. Богословский, П. В. Петров, Н. С. Аверкиев // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 11. - С. 2036-2039 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (12 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
Изинга модель -- легированные полупроводники -- магнитная восприимчивость -- модель Изинга -- полупроводники -- примесная магнитная восприимчивость -- спиновое стекло
Аннотация: Посредством численного моделирования исследована зависимость примесной магнитной восприимчивости от температуры.

Доп.точки доступа:
Петров, П. В.; Аверкиев, Н. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Ferracioli, R. T.
Anisotropic Carrier Transport in n-Doped 6H-SiC [Text] / R. T. Ferracioli, C. G. Rodrigues, R. Luzzi // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 1. - С. 90 . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
6H-SiC -- анизотропный перенос заряда -- легированные полупроводники -- легированный полупроводник 6H-SiC -- полупроводники -- скорость дрейфа
Аннотация: Представлено исследование переноса заряда в легированном полупроводнике 6H-SiC n-типа с использованием неравновесной квантовой кинетической теории.

Доп.точки доступа:
Rodrigues, C. G.; Luzzi, R.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.09.2024
Число запросов	36836
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)