Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=кривые дифракционного отражения<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Исследование структурного совершенства кристаллов лангасита и лангатата [Текст] / Е. А. Тюнина [и др. ] // Материаловедение. - 2010. - N 12. - С. 45-49.

УДК

^a544.22

ББК 24.52
Рубрики: Химия
Химия твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
пьезоэлектрики -- семейства лангаситов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- дифракционное отражение -- рентгеновская топография -- кривые дифракционного отражения -- лангататы -- кристаллы лангаситов -- лангаситы -- двухкристальная рентгеновская дифрактометрия -- структурное совершенство
Аннотация: Методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии и рентгеновской топографии изучены кристаллы лангасита и лангатата, выращенные методом Чохральского.

Доп.точки доступа:
Тюнина, Е. А.; Каурова, И. А.; Кузьмичева, Г. М.; Доморошина, Е. Н.; Дубовский, А. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Трушин, В. Н.
Термоиндуцированное управление дисперсионными свойствами кристаллов [Текст] / В. Н. Трушин, А. С. Маркелов, Е. В. Чупрунов // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 6-9. : рис. - Библиогр.: с. 9 (6 назв. )

УДК

^a548.732

ББК 26.303
Рубрики: Геология
Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
дисперсионные свойства -- дифракционная рентгеновская оптика -- кривые дифракционного отражения -- кривые качания -- кристалл-монохроматоры -- кристаллы -- температурная зависимость -- управление дисперсионными свойствами
Аннотация: В работе приведены результаты исследований по управлению полушириной кривых качания кристаллов.

Доп.точки доступа:
Маркелов, А. С.; Чупрунов, Е. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Прямое сравнение периодов сверхрешеток, измеренных методом рентгеновской дифрактометрии и оптической интерферометрии [Текст] / Ю. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 45-48. . - Библиогр.: с. 48 (4 назв. )

УДК

^a548.73

ББК 26.303
Рубрики: Геология
Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
вторичные ионы -- кривые дифракционного отражения -- масс-спектрометр вторичных ионов -- многослойные гетероструктуры -- оптическая интерферометрия кратера травления -- оптический профилометр -- послойный анализ -- рентгеновская дифрактометрия -- сателлитные отражения
Аннотация: Многослойные гетероэпитаксильные структуры исследованы независимыми методами: рентгеновской дифрактометрии (РД) и оптической интерферометрии кратера травления, получающегося при послойном анализе структуры на масс-спектрометре вторичных ионов.

Доп.точки доступа:
Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Новиков, А. В.; Юнин, П. А.; Юрасов, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Рентгенодифракционный анализ искажений эпитаксильной пленки на отклоненных подложках (001) [Текст] / А. В. Колесников [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 5. - С. 652-655. . - Библиогр.: c. 655 (8 назв. )

УДК

^a539.261

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
границы раздела -- кривые дифракционного отражения -- кристаллическая решетка -- модель Нагаи -- Нагаи модель -- пластическая релаксация -- рентгеновская дифрактометрия -- триклинные искажения -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Развита методика определения структурных параметров эпитаксиальных слоев по данным рентгеновской дифрактометрии, позволяющая анализировать триклинные искажения, которые возникают в гетеросистемах с несингулярными ориентациями. Зарегистрированы углы взаимного разворота кристаллических решеток дислокационной пленки Ge[x]Si[1-x] и подложки Si.

Доп.точки доступа:
Колесников, А. В.; Ильин, А. С.; Труханов, Е. М.; Василенко, А. П.; Лошкарев, И. Д.; Дерябин, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Зависимость пластической релаксации пленок GaAs от способа зарождения первого монослоя As на Si(001) [Текст] / И. Д. Лошкарев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 3. - С. 264-267 : рис. - Библиогр.: c. 267 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.23

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая эпитаксия -- границы раздела -- дислокации несоответствия -- дифракция быстрых электронов на отражение -- кривые дифракционного отражения -- кристаллическая решетка -- пленки -- рентгеновская дифрактометрия
Аннотация: Исследована структура пленок GaAs на вицинальных подложках Si (001) (поворот на 6° вокруг <011>), полученных двумя способами зарождения: осаждением As на Si и замещением монослоя Si монослоем As. С помощью рентгеновской дифрактометрии обнаружено, что направление поворота кристаллической решетки пленки зависит от способа зарождения. Предложен вариант формирования дислокационной структуры пленок.

Доп.точки доступа:
Лошкарев, И. Д.; Василенко, А. П.; Труханов, Е. М.; Колесников, А. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Пчеляков, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Рентгеновские деформации эпитаксильной пленки в случае произвольной ориентации границы раздела [Текст] / Е. М. Труханов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 9. - С. 1249-1252. - Библиогр.: c. 1252 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.261

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
атомные плоскости -- границы раздела -- дифракционное отражение -- кривые дифракционного отражения -- методика определения рентгеновских деформаций -- ориентация границы раздела -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Для эпитаксиальной пленки, находящейся в однородном плосконапряженном состоянии и имеющей произвольную ориентацию границы раздела, развита методика определения рентгеновских деформаций эпсилон и эпсилон[||]. Их измерение выполнено на основе кривых дифракционного отражения, которые могут быть записаны как от одной, так и от двух различных наклонных атомных плоскостей. Исследована опытная структура GeSi/Si (111).

Доп.точки доступа:
Труханов, Е. М.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В.; Лошкарев, И. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.09.2024
Число запросов	46215
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)