Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=кремниевые приборы<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Гриценко, В. А.
Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид [Текст] / В. А. Гриценко // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 9. - С. 921-930. : 20 рис. - Библиогр.: с. 930 (43 назв. )

ГРНТИ	29.19.24	29.19.33
УДК	^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомное строение -- диэлектрики -- свойства границ -- границы раздела -- кремниевая микроэлектроника -- электрические поля -- кремниевые приборы
Аннотация: В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик и диэлектрик/диэлектрик в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гриценко, В. А.
Электронная структура нитрида кремния [Текст] / В. А. Гриценко // Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182, № 5. - С. 531-542 : 20 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 542 (34 назв.) . - ISSN 0042-1294

ГРНТИ	29.19.24
УДК	^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электронные структуры -- диэлектрики -- кремниевые приборы -- нитриды кремния -- электроны -- электрические свойства -- квантово-химические методы моделирования
Аннотация: В обзоре приведен детальный анализ электронной структуры и эффективных масс электронов и дырок в нитриде кремния. Современные квантово-химические расчеты хорошо описывают экспериментально наблюдаемый перенос заряда по связи Si-N.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Роуз, А.
Цель Fujitsu [Текст] : рассказывает испольнительный вице-призидент компании Fujitsu А. Роуз / беседу вел И. Шахнович // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2015. - № 6. - С. 22-25 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
GaN-технологии -- интервью -- компании -- компании -- кремниевые приборы -- полупроводниковые приборы
Аннотация: Интервью посвящено перспективам развития компании Fujitsu, которая выступает контрактным производителем полупроводниковым приборов, причем не только кремниевых, но и по GaN-технологии.

Доп.точки доступа:
Шахнович, И. \.\; Fujitsu, компания

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 30.06.2024
Число запросов	32244
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)