Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=концентрация носителей в легированных пленках<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Определение концентрации носителей в легированных слоях n-GaAs методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотоотражения [Текст] / Л. П. Авакянц [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2007. - Т. 102, N 5. - С. 777-781
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
легированные полупроводниковые слои -- полупроводники -- кремний -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- фотоотражение -- концентрация носителей в легированных пленках -- эффект Холла -- Холла эффект
Аннотация: Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотоотражения определены концентрации носителей в легированных кремнием пленках n-GaAs. Полученные данные хорошо согласуются с результатами исследований методом эффекта Холла. Показано, что методы спектроскопии фотоотражения и комбинационного рассеяния света взаимно дополняют друг друга при определении концентрации носителей в диапазоне 10\{17\}-10\{19\} см\{-3\}.


Доп.точки доступа:
Авакянц, Л.П.; Боков, П. Ю.; Волчков, Н. А.; Казаков, И. П.; Червяков, А. В.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 25365
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)