Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=квантовая яма<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni (Co) /GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой [Текст] / М. В. Дорохин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 180-183. - Библиогр.: c. 183 (10 назв. )

УДК

^a535.376

^a537.871.53

ББК 22.345 + 32.840/841
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Радиоэлектроника
   Теоретические основы радиотехники
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры -- ферромагнитный контакт Шоттки -- Шоттки ферромагнитный контакт -- спиновая инжекция -- квантовая яма -- циркулярная поляризация -- магнитное поле
Аннотация: Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs c ферромагнитным контактом Шоттки Ni (Co) /GaAs.

Доп.точки доступа:
Дорохин, М. В.; Зайцев, С. В.; Байдусь, Н. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Звонков, Б. Н.; Кулаковский, В. Д.; Ускова, Е. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Каналы излучательной рекомбинации и фазовые переходы в системе неравновесных носителей в тонкой квантовой яме Si[0. 93]Ge[0. 07]/Si [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 5. - С. 988-995. . - Библиогр.: с. 995

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
неравновесные носители -- фазовые переходы -- рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- квантовая яма -- носители -- каналы излучательной рекомбинации -- система неравновесных носителей -- тонкая квантовая яма
Аннотация: Исследованы каналы излучательной рекомбинации и фазовые переходы в системе неравновесных носителей в тонкой квантовой яме Si[0. 93]Ge[0. 07]/Si.

Доп.точки доступа:
Зайцев, В. В.; Новиков, А. В.; Лобанов, Д. Н.; Багаев, В. С.; Кривобок, В. С.; Николаев, С. Н.; Онищенко, Е. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двумерным дырочным газом [Текст] / М. А. Панков [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 346-355. . - Библиогр.: с. 354-355

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
двумерный дырочный газ -- дырочный газ -- газы -- марганец -- структуры -- свойства -- квантовая яма -- ферромагнитный переход -- транспортные свойства структур
Аннотация: Исследованы транспортные свойства структур GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с удаленным от квантовой ямы слоем примесей Mn в диапазоне их содержаний 4-10 ат. %, которые соответствуют повторному переходу метал-изолятор, наблюдаемому в объемном GaAsMn.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Субботин, И. А.; Чуев, М. А.; Пашаев, Э. М.; Фарзетдинова, Р. М.; Рыльков, В. В.; Аронзон, Б. А.; Лайхо, Р.; Мейлихов, Е. З.; Давыдов, А. Б.; Лихачев, И. А.; Лашкул, А. В.; Панков, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кульбачинский, В. А.
Термодинамические, транспортные и магнитотранспортные свойства свободных носителей заряда в легированных марганцем структурах с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs [Текст] / В. А. Кульбачинский, Л. Ю. Щурова // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 1. - С. 135-147. . - Библиогр.: с. 146-147

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
свободные носители заряда -- углерод -- транспортные свойства -- марганец -- термодинамические свойства -- заряды -- квантовая яма -- носители заряда -- магнитотранспортные свойства -- легированные марганцем структуры -- легированные структуры с квантовой ямой
Аннотация: Проанализированы результаты исследования магнитных и транспортных свойств в легированных углеродом и марганцем стуктурах с разных сторон квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs при наличии ферромагнитной фазы.

Доп.точки доступа:
Щурова, Л. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Козлов, Г. Г.
Замедление света в брэгговском волноводе [Текст] / Г. Г. Козлов, В. С. Запасский, В. В. Овсянкин // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 109, N 3. - С. 439-448. . - Библиогр.: с. 448 (7 назв. )

УДК

^a535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
брэгговский волновод -- волноводы -- замедление светового излучения -- квантовая яма -- медленный свет -- световые импульсы
Аннотация: В статье представлен анализ брэгговского волновода с точки зрения получения в нем медленного света.

Доп.точки доступа:
Запасский, В. С.; Овсянкин, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Айзенштат, Г. И.
Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AIGaAs/InGaAs [Текст] / Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. Ю. Ющенко // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 34-39. . - Библиогр.: c. 39 (10 назв. )

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- гетероструктуры -- двумерный электронный газ -- дрейфовая скорость электронов -- квантовая яма
Аннотация: В диапазоне температур 200-400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AIGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1, 55 10{7} до 1, 3 10{7} см/с и существенно превышает значения этой скорости в объемном арсениде галлия.

Доп.точки доступа:
Божков, В. Г.; Ющенко, А. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs [Текст] / А. И. Дмитриев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 1. - С. 158-169. . - Библиогр.: с. 168-169

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесцентный отклик -- квантовая яма -- изменение магнитного поля -- магнитное поле -- дельта-слой Mn -- марганец -- гетероструктуры -- InGaAs/GaAs
Аннотация: Исследован фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs.

Доп.точки доступа:
Дмитриев, А. И.; Таланцев, А. Д.; Зайцев, С. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Коплак, О. В.; Моргунов, Р. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Ратников, П. В.
Размерное квантование в графеновых планарных гетероструктурах: псевдоспиновое расщепление энергетического спектра, приграничные состояния и экситоны [Текст] / П. В. Ратников, А. П. Силин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 3. - С. 582-601 : рис., табл. - Библиогр.: с. 599-601 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
планарная квантовая яма -- размерное квантование -- графеновые планарные гетероструктуры -- псевдоспиновое расщепление -- энергетический спектр -- нанополоски бесщелевого графена -- бесщелевой графен -- графены -- приграничные состояния -- экситоны -- квантовая яма
Аннотация: Рассматривается планарная квантовая яма, составленная из нанополоски бесщелевого графена, по краям которой находятся щелевые модификации графена.

Доп.точки доступа:
Силин, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур
Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Караваев, Г. Ф.
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С. 34-40 : рис. - Библиогр.: c. 40 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вюртцитные кристаллы -- гетероструктуры -- дырочные состояния -- квантовая яма -- метод огибающих функций -- огибающие функции -- уровень энергии -- условия сшивания
Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии.

Доп.точки доступа:
Чернышов, В. Н.; Разжувалов, А. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Караваев, Г. Ф.
Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 10. - С. 92-99 : рис., табл. - Библиогр.: c. 99 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- квантовая яма -- моделирование дырочных состояний -- моделирование электронных состояний -- псевдопотенциалы -- уровень энергии -- условная сшивания
Аннотация: Проведены псевдопотенциальные расчеты электронных и дырочных состояний для различных наноструктур на основе GaN/InGaN (0001) в приближении разрывного на гетерограницах потенциала. На основе данных расчетов предложена модель для упрощенного описания этих состояний, которая включает в себя 14-зонную систему уравнений kр-теории и приближенные условия сшивания на гетерограницах. Сравнение результатов, полученных с помощью псевдопотенциальных расчетов и на основе упрощенной модели, свидетельствует о хорошей точности предложенной модели.

Доп.точки доступа:
Чернышов, В. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.07.2024
Число запросов	155904
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)