Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=карбид кремния на кремнии<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


    Кукушкин, С. А.
    Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2338-2343 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (23 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.

Кл.слова (ненормированные):
AlGaN -- AlN -- GaN -- гибридные подложки -- доклады -- карбид кремния на кремнии -- конференции -- нитрид алюминия -- нитрид галлия -- тонкие пленки -- широкозонные полупроводники -- эпитаксия
Аннотация: Представлены основные положения нового метода выращивания объемных монокристаллических пленок AlN, AlGaN и GaN на кремниевых подложках с буферным слоем карбида кремния с последующим их отделением от подложки Si.


Доп.точки доступа:
Шарофидинов, Ш. Ш.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 16.08.2024
Число запросов 164710
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)