Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ионные треки<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Наноструктуры систем Si/SiO[2]/металл с треками быстрых тяжелых ионов [Текст] / С. Е. Демьянов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 9. - С. 1262-1264. : рис. - Библиогр.: c. 1264 (5 назв. )

УДК

^a537.311.322:621.763

ББК 22.332
Рубрики: Физика
Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
система Si/SiO[2]/металл -- наноструктуры -- быстрые тяжелые ионы -- химическое травление -- ионные треки -- электрохимическое осаждение -- диоксид кремния -- селективность
Аннотация: С помощью технологии быстрых тяжелых ионов, включающей облучение ионами {197}Au{26+}, химическое травление ионных треков и подпотенциальное электрохимическое осаждение, подготовлены и изучены структуры на основе систем SiO[2]/n-Si и SiO[2]/p-Si, с нанопорами в слоях диоксида кремния, заполненными наночастицами Cu и Ni.

Доп.точки доступа:
Демьянов, С. Е.; Канюков, Е. Ю.; Петров, А. В.; Белоногов, Е. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Ионные треки в аморфном нитриде кремния [Текст] / Л. А. Власукова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 226-228. - Библиогр.: c. 228 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.95-405:539.12.04

^a548:539.12.04

ББК 22.3 + 26.303
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики
   Геология
   Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
аморфный нитрид кремния -- атомно-силовая спектроскопия -- ионные треки -- модель термического пика -- нитрид кремния -- режим электронных потерь -- сканирующая электронная микроскопия -- температура плавления -- температурные поля -- травление треков -- электронные потери
Аннотация: Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si[3]N[4]/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20. 4 кэВ х нм[-1]). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика.

Доп.точки доступа:
Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Скуратов, В. А.; Дидык, А. Ю.; Плякин, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 11.07.2024
Число запросов	158378
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)