Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ионно-лучевое травление<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. . - Библиогр.: c. 56 (10 назв. )
УДК
ББК 32 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника в целом
   Радиоэлектроника

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Применение реактивного ионно-лучевого травления для коррекции формы рентгеновских зеркал [Текст] / А. А. Ахсахалян [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 196-198. - Библиогр.: c. 198 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 34.64
Рубрики: Машиностроение
   Соединения деталей машин

Кл.слова (ненормированные):
ионно-лучевое травление -- Киркпатрика-Байеза скрещенные системы -- реактивное ионно-лучевое травление -- рентгеновские зеркала -- скрещенные системы Киркпатрика-Байеза -- фокусирующие свойства -- цилиндрические поверхности
Аннотация: В работе представлена методика коррекции формы цилиндрических поверхностей методом реактивного ионно-лучевого травления. Приведены результаты эксперимента по изготовлению поверхности из стекла в форме эллиптического цилиндра.


Доп.точки доступа:
Ахсахалян, А. А.; Ахсахалян, А. Д.; Вайнер, Ю. А.; Волгунов, Д. Г.; Зорина, М. В.; Клюенков, Е. Б.; Каськов, И. А.; Кузнецов, М. И.; Нефедов, И. М.; Салащенко, Н. Н.; Харитонов, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 30.06.2024
Число запросов 6400
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)