Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=импульсное лазерное нанесение<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом [Текст] / Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 11. - С. 2137-2140 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Нижний Новгород, 2018 г.
Кл.слова (ненормированные):
GaSb -- InAs -- InSb -- железо -- импульсное лазерное нанесение -- лазерное нанесение -- легирование железом -- полупроводники -- свойства полупроводников -- симпозиумы
Аннотация: Экспериментально исследованы слои полупроводников InAs, InSb и GaSb, сильнолегированных железом в процессе выращивания методом импульсного лазерного нанесения.

Доп.точки доступа:
Данилов, Ю. А.; Кудрин, А. В.; Лесников, В. П.; Вихрова, О. В.; Крюков, Р. Н.; Антонов, И. Н.; Толкачев, Д. С.; Алафердов, А. В.; Кунькова, З. Э.; Темирязева, М. П.; Темирязев, А. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As [Текст] / Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 3. - С. 373-380 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (20 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диодная гетероструктура -- импульсное лазерное нанесение -- лазерное нанесение -- магнетосопротивление -- отрицательное магнетосопротивление -- ферромагнитные полупроводники
Аннотация: Обнаружен эффект отрицательного магнетосопротивления, связанный с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря магнитному упорядочению в слое (Ga, Mn) As.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Калентьева, И. Л.; Кудрин, А. В.; Здоровейщев, А. В.; Ларионова, Е. А.; Ковальский, В. А.; Солтанович, О. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A{3}FeB{5} разного типа проводимости [Текст] / В. П. Лесников, М. В. Ведь, О. В. Вихрова [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 7. - С. 866-873 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (18 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диодные гетероструктуры -- импульсное лазерное нанесение -- лазерное нанесение -- полупроводники -- проводимость -- узкозонные полупроводники -- ферромагнитные полупроводники
Аннотация: Представлены результаты исследований диодных гетероструктур со слоями ферромагнитных узкозонных полупроводников A{3}FeB{5} разного типа проводимости, изготовленными импульсным лазерным нанесением в вакууме.

Доп.точки доступа:
Лесников, В. П.; Ведь, М. В.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Здоровейщев, А. В.; Калентьева, И. Л.; Кудрин, А. В.; Крюков, Р. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As [Текст] / Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 9. - С. 1245-1252 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Нижний Новгород, 2021 г.
Кл.слова (ненормированные):
InGaAs/GaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- гетеронаноструктуры -- импульсное лазерное нанесение -- магнитные полупроводники -- международные симпозиумы -- симпозиумы -- спиновые инжекторы
Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований влияния импульсного лазерного отжига на квантово-размерные структуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn) As в качестве спинового инжектора на поверхности.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Дроздов, М. Н.; Здоровейщев, Д. А.; Калентьева, И. Л.; Кузнецов, Ю. М.; Кудрин, А. В.; Нежданов, А. В.; Парафин, А. Е.; Хомицкий, Д. В.; Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	27081
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)