Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=излучательная рекомбинация<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Каналы излучательной рекомбинации и фазовые переходы в системе неравновесных носителей в тонкой квантовой яме Si[0. 93]Ge[0. 07]/Si [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 5. - С. 988-995. . - Библиогр.: с. 995

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
неравновесные носители -- фазовые переходы -- рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- квантовая яма -- носители -- каналы излучательной рекомбинации -- система неравновесных носителей -- тонкая квантовая яма
Аннотация: Исследованы каналы излучательной рекомбинации и фазовые переходы в системе неравновесных носителей в тонкой квантовой яме Si[0. 93]Ge[0. 07]/Si.

Доп.точки доступа:
Зайцев, В. В.; Новиков, А. В.; Лобанов, Д. Н.; Багаев, В. С.; Кривобок, В. С.; Николаев, С. Н.; Онищенко, Е. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Зайцев, С. В.
Излучательная рекомбинация в гетероструктурах второго типа ZnSe/BeTe при высокой плотности свободных носителей [Текст] / С. В. Зайцев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 135, вып. 4. - С. 738-751. . - Библиогр.: с. 751

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
высокая плотность -- плотность -- рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- носители -- свободные носители -- гетероструктуры второго типа
Аннотация: Изучение излучательной рекомбинации в гетероструктурах второго типа ZnSe/BeTe при высокой плотности свободных носителей.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние оборванных связей на поверхности нанокристаллов кремния, легированных мелкими донорами, на излучательные межзонные переходы [Текст] / В. А. Беляков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 8. - С. 1130-1132. . - Библиогр.: c. 1132 (11 назв. )

УДК

^a538.9:530.18

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
дефекты кристаллов -- излучательная рекомбинация -- кремний -- легирование -- межзонные переходы -- нанокристаллы кремния
Аннотация: Показано, что темп излучательной рекомбинации в нанокристаллах кремния возрастает при легировании их донорами. При этом рост оказывается более существенным, если на поверхности нанокристалла есть большое количество дефектов, способных захватывать электроны, эмитированные с доноров.

Доп.точки доступа:
Беляков, В. А.; Конаков, А. А.; Курова, Н. В.; Сидоренко, К. В.; Бурдов, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.09.2024
Число запросов	48753
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)