Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

Труды АМГУ (1)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=дисилицид бария<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Дубов, Виктор Леонидович (младший научный сотрудник).
Формирование тонких пленок дисилицида бария на SI (111) методами реактивной и твердофазной эпитаксии и исследование IN-SITU их свойств [Текст] / В. Л. Дубов, Д. В. Фомин // Вестник Амурского государственного университета. - 2016. - Вып. 73 : Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 55-57 : рис. - Библиогр.: с. 57 (4 назв.) . - ISSN 2073-0268

УДК

^A539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
барий -- дисилицид бария -- кремний -- оже-электроны -- пленки дисилицида бария -- реактивная эпитаксия -- твердофазная эпитаксия -- тонкие пленки -- щелочноземельные силициды -- эпитаксия
Аннотация: В работе выполнено формирование тонких пленок дисилицида бария методами реактивной и твердофазной эпитаксии. Полученные пленки исследованы in-situ методами электронной оже-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронами.

Доп.точки доступа:
Фомин, Дмитрий Владимирович (кандидат физико-математических наук; директор НОЦ)

Имеются экземпляры в отделах: всего 4 : н.з. (1), ч.з. (1), эн.ф. (1), аб. (1)
Свободны: н.з. (1), ч.з. (1), эн.ф. (1)
Все экз-ры 2-аб.) заняты

Найти похожие

Новожилов, Даниил Сергеевич (магистрант).
Анализ орторомбического BaSi[2] - перспективного материала для современной фотоэлектроники [Текст] / Д. С. Новожилов, А. С. Герман, Д. В. Фомин // Вестник Амурского государственного университета. - 2018. - Вып. 83 : Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 26-29. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 2073-0268

УДК

^A535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
дисилицид бария -- легирование -- поглощение света -- силицид -- соосаждение -- твердофазная эпитаксия -- фотоэлектроника
Аннотация: Статья является обзором свойств орторомбического BaSi[2], а также обзором литературных источников за последние несколько лет, посвященных исследованиям, связанным с данным материалом. BaSi[2] рассматривается как один из перспективных материалов для создания современных высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей. В статье дана также краткая ретроспектива методов формирования пленок BaSi в лаборатории физики поверхностей НОЦ АмГУ.

Доп.точки доступа:
Герман, Анна Сергеевна (бакалавр); Фомин, Дмитрий Владимирович (кандидат физико-математических наук)

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : н.з. (1), ч.з. (1), эн.ф. (1), аб. (2)
Свободны: н.з. (1), ч.з. (1), эн.ф. (1), аб. (2)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 18.09.2024
Число запросов	16338
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)