Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=граница раздела<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Гадомский, О. Н.
Эффект оптического просветления нанокристаллического монослоя и границы раздела двух сред [Текст] / О. Н. Гадомский, А. С. Шалин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 4. - С. . 870-884. - Библиогр.: с. 883-884

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
оптическое просветление -- нанокристаллы -- нанокристаллический монослой -- наночастицы -- граница раздела -- вакуум-полубесконечная среда
Аннотация: Исследуется эффект оптического просветления нанокристаллического монослоя и границы раздела двух сред.

Доп.точки доступа:
Шалин, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Еремеев, С. В.
Электронная структура и спиновая поляризация на границе раздела NiMnSb/GaAs (110) [Текст] / С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 393-399. . - Библиогр.: с. 399

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
спиновая поляризация -- атомы -- поляризация -- структуры -- свойства -- граница раздела -- электронная структура -- магнитные свойства границы раздела -- конфигурации контактных атомов -- контактные атомы
Аннотация: В рамках теории функционала электронной плотности на основе первых принципов проведен расчет электронной структуры и магнитных свойств границы раздела между сплавом NiMnSb и GaAs в зависимости от конфигурации контактных атомов.

Доп.точки доступа:
Бакулин, А. В.; Кулькова, С. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Теоретическое и экспериментальное определение начальной стадии пластической релаксации напряжений несоответствия в гетеросистеме подложка (111)- островки пленки [Текст] / И. Д. Лошкарев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 425-428. - Библиогр.: c. 428 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.23

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
биатомные слои -- гетеросистемы -- граница раздела -- дислокации несоответствия -- пластическая релаксация -- размерные эффекты -- химическое травление -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Развита модель определения критической толщины пленки h[С] для введения дислокаций несоответствия по плоскостям скольжения пленки и подложки, параллельным границе раздела (111). Экспериментальные величины h[С], согласующиеся с расчетными, определены для гетеросистем Ge/Si (111) и Si[3]N[4]/Ge (111). Реализован двухуровневый эпитаксиальный рост Ge на Si в режиме комбинации механизмов ступенчато-слоевого и 2D-островкового роста.

Доп.точки доступа:
Лошкарев, И. Д.; Труханов, Е. М.; Романюк, К. Н.; Качанова, М. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	28629
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)