Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (11)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=гетероструктуры<.>)

Общее количество найденных документов : 138
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Вдовин, Е. Е.
Одноэлектронный спин-зависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки InAs [Текст] / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 166-170. - Библиогр.: с. 170

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
электронный транспорт -- одноэлектронный спин-зависимый транспорт -- расщепленные затворы -- квантовые точки -- самоорганизованные квантовые точки -- гетероструктуры
Аннотация: Результаты исследования электронного транспорта в структурах с расщепленным затвором, созданных на основе гетероструктур, в которых самоорганизующиеся квантовые точки InAs расположены вблизи двумерного электронного газа.

Доп.точки доступа:
Ханин, Ю.Н.; Шабельникова, П.Л.; Левин, А.; Ивс, Л.; Дубонос, С.В.; Хенини, М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тулина, Н. А.
Инверсия эффекта резистивного переключения в электронно-допированном Ba[0. 6]K[0. 4]BiO[3-x] [Текст] / Н. А. Тулина, Л. А. Клинкова // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 268-271. - Библиогр.: с. 271

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
эффект резистивного переключения -- резистивное переключение -- гетероструктуры -- сверхпроводники -- электронно-допированные высокотемпературные сверхпроводники -- высокотемпературные сверхпроводники
Аннотация: Исследование эффекта резистивного переключения в гетероструктурах на основе электронно-допированного высокотемпературного сверхпроводника Ba[0. 6]K[0. 4]DiO[3-x].

Доп.точки доступа:
Клинкова, Л.А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оптические и магнитотранспортные свойства гетероэпитаксиальной структуры Nd[0. 55]Sr[0. 45]MnO[3]-Sm[0. 55]Sr[0. 45]MnO[3] [Текст] / А. В. Телегин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1626-1627. - Библиогр.: c. 1627 (3 назв. )

УДК

^a537.632.5

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- Керра экваториальный эффект -- Кюри температура -- магнитное фозовое расслоение -- магнитооптические свойства -- магнитосопротивление -- магнитотранспортные свойства -- манганиты -- оптические свойства -- температура Кюри -- экваториальный эффект Керра -- эффект магнитопропускания
Аннотация: Проанализированы эффекты магнитопропускания и магнитосопротивления в пленочной гетероструктуре, состоящей из слоев манганита с различной температурой Кюри.

Доп.точки доступа:
Телегин, А. В.; Картавцева, М. С.; Сухоруков, Ю. П.; Ганьшина, Е. А.; Кауль, А. Р.; Горбенко, О. Ю.; Тугушев, С. Н.; Виноградов, А. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Самоорганизация наноостровков германия при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии структур Ge/Si (100) [Текст] / Ж. В. Смагина [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 593-604 : 8 рис. - Библиогр.: с. 603-604

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
низкоэнергетические ионы -- импульсное облучение -- пучки ионов -- гетероэпитаксия -- ионы -- кремний -- гетероструктуры -- германий -- облучение -- наноостровки германаия
Аннотация: Приведены экспериментальные данные по росту трехмерных островков германия на поверхности Si (100) из ионно-молекулярных пучков в зависимости от температуры подложки, энергии ионов, доли ионизации молекулярного потока. Предложена модель гетероэпитаксии в условиях импульсного ионного облучения.

Доп.точки доступа:
Смагина, Ж. В.; Зиновьев, В. А.; Ненашев, А. В.; Двуреченский, А. В.; Армбристер, В. А.; Тийс, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кукушкин, В. А.
Генерация среднего инфракрасного излучения в полупроводниковых лазерах ближней инфракрасной области на низкоразмерных гетероструктурах [Текст] / В. А. Кукушкин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 522-531 : 4 рис. - Библиогр.: с. 530-531

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
низкоразмерные гетероструктуры -- лазеры -- полупроводниковые лазеры -- излучения -- гетероструктуры -- инфракрасное излучение -- ближняя инфракрасная область -- генерация -- среднее инфракрасное излучение
Аннотация: Предложен метод генерации среднего инфракрасного излучения в полупроводниковых лазерах ближней инфракрасной области на низкоразмерных гетероструктурах.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Формирование и некоторые свойства гетеропереходов ZnO/A{III}N [Текст] / Б. М. Атаев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. 681-683. - Библиогр.: c. 683 (6 назв. )

УДК

^a538.958:538.975

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы n-ZnO/p-A{III}N -- электролюминесценция -- вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- экспериментальные данные -- эпитаксильные слои
Аннотация: Получены гетеропереходы n-ZnO/p-A{III}N (A{III} = Ga, Al), в которых наблюдали относительно интенсивную электролюминесценцию в сине-фиолетовой спектральной области при подаче прямого смещения.

Доп.точки доступа:
Атаев, Б. М.; Мамедов, В. В.; Махмудов, С. Ш.; Омаев, А. К.; Багамадова, А. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Калинин, Д. В.
Фотонные гетероструктуры на основе монокристаллических пленок опала [Текст] / Д. В. Калинин [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 413, N 3. - С. 329-331. - Библиогр.: с. 331 (14 назв. )

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
пленочные кристаллы
Аннотация: Изложен подход к получению монокристаллических пленок и ликвидации доменной структуры.

Доп.точки доступа:
Плеханов, А. И.; Сердобинцева, В. В.; Шабанов, В. Ф.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Структурные изменения в многослойных нанопленках Ti/Al [Текст] / К. О. Базалеева [и др. ] // Материаловедение. - 2008. - N 4. - С. 35-39

УДК

^a620.1/.2

ББК 30.3
Рубрики: Техника
Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
многослойные нанопленки -- титан -- алюминий -- микротвердость нанопленок -- полупроводниковые гетероструктуры -- многослойные наноструктурированные пленки
Аннотация: Исследовано фазово-структурное состояние многослойных нанокристаллических пленок Ti/Al с разной толщиной индивидуального слоя. Формирование неравновесного состояния сопровождается существенным повышением микротвердости пленки.

Доп.точки доступа:
Базалеева, К. О.; Крапошин, В. С.; Цыганков, П. А.; Носырев, А. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni (Co) /GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой [Текст] / М. В. Дорохин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 180-183. - Библиогр.: c. 183 (10 назв. )

УДК

^a535.376

^a537.871.53

ББК 22.345 + 32.840/841
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Радиоэлектроника
   Теоретические основы радиотехники
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры -- ферромагнитный контакт Шоттки -- Шоттки ферромагнитный контакт -- спиновая инжекция -- квантовая яма -- циркулярная поляризация -- магнитное поле
Аннотация: Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs c ферромагнитным контактом Шоттки Ni (Co) /GaAs.

Доп.точки доступа:
Дорохин, М. В.; Зайцев, С. В.; Байдусь, Н. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Звонков, Б. Н.; Кулаковский, В. Д.; Ускова, Е. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Эмиссия излучения терагерцевого диапазона из гетероструктур GaAsN/GaAs в электрическом поле [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 229-231. - Библиогр.: c. 231 (13 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- гетероструктуры GaAsN/GaAs -- напряженные микроструктуры -- квантовые ямы -- энергетические спектры -- локализованные состояния -- акцепторы
Аннотация: Обнаружена эмиссия излучения терагерцевого диапазона из напряженных слоев GaAsN, легированных бериллием, при 4. 2 К в постпробойных электрических полях.

Доп.точки доступа:
Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Егоров, А. Ю.; Устинов, В. М.; Гладышев, А. Г.; Бондаренко, О. В.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Козлов, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Люминесцентные и электрофизические свойства диодных гетероструктур Si/SiGe: Er/Si [Текст] / А. Г. Спиваков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 257-261. - Библиогр.: c. 261 (9 назв. )

УДК

^a535.376

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
люминесцентные свойства -- электрофизические свойства -- диодные гетероструктуры -- вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- экспериментальные результаты
Аннотация: Представлены результаты исследований диодных гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа.

Доп.точки доступа:
Спиваков, А. Г.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Манак, И. С.
Лазерные диоды с широким плоским спектром волноводного усиления в диапазоне 1-3 мкм [Текст] / И. С. Манак, Д. В. Ушаков, В. С. Белявский // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 262-264. - Библиогр.: c. 264 (6 назв. )

УДК

^a621.378.35

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
лазерные диоды -- волноводное усиление -- спектры волноводного усиления -- квантово-размерные гетероструктуры -- инфракрасный диапазон -- квантовые ямы
Аннотация: Проанализированы спектры усиления многослойных квантово-размерных гетероструктур на основе соединения GaInAs/GaInPAs и GaInAsSb/AlGaAsSb.

Доп.точки доступа:
Ушаков, Д. В.; Белявский, В. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 268-271. - Библиогр.: c. 271 (13 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокластеры -- морфология -- фотолюминесценция -- гетероструктуры GeSi/Si (001) -- температурная зависимость -- оптические свойства -- коалесценция -- условия роста -- температуры роста
Аннотация: Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции (ФЛ) гетероструктур GeSi/Si (001) с самоформирующимися нанокластерами, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста.

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Сипрова, С. В.; Марычев, М. О.; Шенгуров, В. Г.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Чернышов, В. Н.
Анализ условий в гетероструктурах [Текст] / В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 39-44. - Библиогр.: c. 44 (6 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
гетерограницы -- гетероструктуры -- граничные условия в гетероструктурах -- метод матрицы рассеяния
Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001).

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

15.

Светлов, С. П.
Гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si (100), выращенные методом сублимации кремния в среде германа [Текст] / С. П. Светлов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 118-120. - Библиогр.: с. 120 (5 назв. ). - d, 2007, , 0

УДК

^a621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры
Аннотация: Высококачественные эпитаксиальные слои Si/Si[1-x]Ge[x]: Er были выращены на подложках Si (100) при относительно низкой температуре 500 градусов Цельсия методом сублимации кремния в среде GeH[4].

Доп.точки доступа:
Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.; Шабанов, В. Н.; Денисов, С. А.; Красильник, З. Ф.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Зубков, В. И.
Прямое наблюдение процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / В. И. Зубков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 111-113. - Библиогр.: с. 113 (6 назв. ). - d, 2007, , 0

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры
Аннотация: Впервые проведены исследования по прямому наблюдению процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs методом перезарядки емкости.

Доп.точки доступа:
Шульгунова, И. С.; Соломонов, А. В.; Geller, M.; Marent, A.; Bimberg, D.; Жуков, А. Е.; Семенова, Е. С.; Устинов, В. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Гарифуллин, И. А.
Структура границ раздела в многослойных тонкопленочных металлических гетероструктурах [Текст] / И. А. Гарифуллин, Н. Н. Гарифьянов, Р. И. Салихов // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 2. - С. 280-282. - Библиогр.: с. 282 (14 назв. ). - d, 2007, , 0

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры
Аннотация: Показано, что структура интерфейсов в тонкопленочных металлических мультислоях может быть предсказана на основе диаграмм состояний двойных сплавов металлов, составляющих мультислои.

Доп.точки доступа:
Гарифьянов, Н. Н.; Салихов, Р. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Магнитозависящий сверхпроводящий транспорт в оксидных гетероструктурах с антиферромагнитной прослойкой [Текст] / Ю. В. Кислинский [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133: вып. 4. - С. 914-920. - Библиогр.: с. 920

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- оксидные гетероструктуры -- антиферромагнитная прослойка -- магнитозависящий сверхпроводящий транспорт -- сверхпроводящий транспорт
Аннотация: Изучен магнитозависящий сверхпроводящий транспорт в оксидных гетероструктурах с антиферромагнитной прослойкой.

Доп.точки доступа:
Кислинский, Ю. В.; Константинян, К. И.; Овсянников, Г. А.; Комиссинский, Ф. В.; Борисенко, И. В.; Шадрин, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

19.

Горбацевич, А. А.
Коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах как переход с нарушением симметрии в открытой квантовой системе [Текст] / А. А. Горбацевич, М. Н. Журавлев, В. В. Капаев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып: вып. 2. - С. 338-353. - Библиогр.: с. 352-353

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
открытые квантовые системы -- квантовые системы -- резонансы -- нарушение симметрии -- симметрия -- системы -- полупроводниковые гетероструктуры -- коллапс резонансов
Аннотация: Рассматривается коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах как переход с нарушением симметрии в открытой квантовой системе.

Доп.точки доступа:
Журавлев, М. Н.; Капаев, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

20.

Болховитянов, Ю. Б.
Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок [Текст] / Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 5. - С. 459-480 : 20 рис. - Библиогр.: с. 479-480 (232 назв. )

ГРНТИ	29.19
УДК	^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые подложки -- гетероструктуры -- эпитаксиальные формирования -- наноэлектроника
Аннотация: В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A{III}B{V} на его основе на подложках SI; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур.

Доп.точки доступа:
Пчеляков, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	25398
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)