Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=вольт-фарадные характеристики<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45. . - Библиогр.: c. 45 (17 назв. )

УДК

^a621.3

^a537.311.33

ББК 31.2 + 22.379
Рубрики: Электротехника в целом
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- вольт-фарадные характеристики -- диэлектрики -- пассивация поверхности полупроводника -- структура металл - диэлектрик - полупроводник -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Якушев, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Петровская, А. Н.
Исследование методами спектроскопии адмиттанса релаксации заряда в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой [Текст] / А. Н. Петровская, В. И. Зубков // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1501-1507. . - Библиогр.: c. 1507 (12 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
адмиттанская спектроскопия -- волновые функции -- вольт-фарадные характеристики -- гетеропереходы -- квантовые точки -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: На основе анализа и математической обработки вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально в диапазоне частот от 1 кГц до 1 МГц и температур - от 320 до 10 К, на специально изготовленных для адмиттансных измерений образцах гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) InGaAs/GaAs и ультратонкими смачивающими слоями InAs/GaAs, оценена величина заряда как функция от температуры. Обнаружено монотонное увеличение заряда в КЯ, определяемого по наблюдаемым концентрационным профилям из экспериментальных ВФХ по сравнению с истинной величиной заряда в квантовых ямах.

Доп.точки доступа:
Зубков, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Вольт-фарадные характеристики планарных наноструктур на основе сегнетоэлектрических пленок [Текст] / Э. А. Горбунов [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - Т. 3, № 1. - С. 18-20. - Библиогр.: c. 20 . - ISSN 2225-0999

УДК

^a621.315.55/.58

^a621.7

ББК 31.232 + 30.68
Рубрики: Проводниковые материалы и изделия
   Энергетика
   Техника
   Обработка материалов
Кл.слова (ненормированные):
ЦТС -- вольт-фарадные характеристики -- золь-гель методы -- наноструктуры -- планарные наноструктуры -- пленки цирконата-титаната свинца -- сегнетоэлектрические пленки -- цирконат-титанат свинца
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) планарных наноструктур на основе пленок ЦТС различной толщины, сформированных золь-гель методом на подложках Si/SiO_2_/TiO_2_/Pt для различного рода функциональных гетероструктур интегральных схем.

Доп.точки доступа:
Горбунов, Э. А.; Лавров, П. П.; Першин, В. А.; Серегин, Д. С.; Хабаров, И. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Проводимость и барьерные эффекты тонкопленочных гетероструктур на основе PZT в зависимости от условий синтеза [Текст] / М. В. Каменщиков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 8. - С. 1142-1144. - Библиогр.: c. 1144 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.226.4

ББК 22.331
Рубрики: Физика
Электростатика
Кл.слова (ненормированные):
барьерные эффекты -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- Пула-Френкеля эмиссия -- тонкопленочные гетероструктуры -- электропроводность -- эмиссия Пула-Френкеля
Аннотация: Исследованы электропроводность и диэлектрические характеристики пленочных структур Pt/Pb (Zr[0. 54], Ti[0. 46]) O[3]/Pt, синтезированных при различных температурах. Получены вольт-амперные (ВАХ), вольт-фарадные (ВФХ) характеристики. Обнаружена асимметрия ВАХ, свидетельствующая о различии в величинах потенциальных барьеров на интерфейсах исследуемых структур, которая меняется в зависимости от условий синтеза. На основе ВФХ рассчитаны величины потенциальных барьеров на интерфейсах Pt/PZT. Выделены два основных механизма проводимости: омический и эмиссия Пула-Френкеля.

Доп.точки доступа:
Каменщиков, М. В.; Солнышкин, А. В.; Богомолов, А. А.; Пронин, И. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Свойства наноразмерных пленок оксида алюминия, полученных золь-гель методом при тепловом и электронно-лучевом отжиге [Текст] / Е. В. Луговой [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2013. - Т. 4, № 2. - С. 30-35. - Библиогр.: c. 35 . - ISSN 2225-0999

УДК

^a669.7/.8

^a620.1/.2

ББК 34.23/25 + 30.3
Рубрики: Металловедение цветных металлов и сплавов
   Технология металлов
   Материаловедение
   Техника
Кл.слова (ненормированные):
А1203 -- атомно-силовая микроскопия -- вольт-фарадные характеристики -- золь-гель технология -- наноразмерные пленки оксида алюминия -- пленки Al_2 O_3 -- пленки оксида алюминия -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- тепловой нагрев -- электронно-лучевая обработка -- эллипсометрия
Аннотация: Рассмотрены вопросы синтеза наноразмерных пленок золь-гель технологией с последующим формированием стационарным и локальным тепловыми воздействиями в вакууме. В качестве пленкообразующего раствора применялся изопропилат алюминия, позволяющий получить высокочистый ксерогель бемита. Пленка ксерогеля является исходным материалом для рекристаллизации под воздействием тока электронного луча. Установлено, что модифицированные золь-гель пленки после отжига в вакууме и фазовых превращений имеют диэлектрическую проницаемость на 23... 26 % ниже, чем у монокристаллического сапфира.

Доп.точки доступа:
Луговой, Е. В.; Авдеев, С. П.; Серба, П. В.; Рубашкина, М. В.; Ткачук, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 25.06.2024
Число запросов	17262
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)