Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=аморфный нитрид кремния<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


   
    Ионные треки в аморфном нитриде кремния [Текст] / Л. А. Власукова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 226-228. - Библиогр.: c. 228 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.3 + 26.303
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

   Геология

   Минералогия

Кл.слова (ненормированные):
аморфный нитрид кремния -- атомно-силовая спектроскопия -- ионные треки -- модель термического пика -- нитрид кремния -- режим электронных потерь -- сканирующая электронная микроскопия -- температура плавления -- температурные поля -- травление треков -- электронные потери
Аннотация: Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si[3]N[4]/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20. 4 кэВ х нм[-1]). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика.


Доп.точки доступа:
Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Скуратов, В. А.; Дидык, А. Ю.; Плякин, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Строение и электронная структура a-SiN[x] : H [Текст] / В. А. Гриценко, В. Н. Кручинин, И. П. Просвирин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2019. - Т. 156, вып. 5. - С. 1003-1015. - Библиогр.: с. 1014-1015 (30 назв.) . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
аморфный нитрид кремния -- атомарная структура -- диэлектрики -- плазмохимическое осаждение -- пленки -- стехиометрический состав -- электронные спектры
Аннотация: Исследованы атомарная структура и электронные спектры пленок a-SiN[x] : H, выращенных с применением плазмохимического осаждения с варьированием потоков аммиака и моносилана.


Доп.точки доступа:
Гриценко, В. А.; Кручинин, В. Н.; Просвирин, И. П.; Новиков, Ю. Н.; Чин, А.; Володин, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Новиков, Ю. Н.
    Транспорт заряда в аморфном нитриде кремния [Текст] / Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2021. - Т. 160, вып. 4. - С. 565-571. - Библиогр.: с. 571 (23 назв.) . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
аморфные диэлектрики -- аморфный нитрид кремния -- диэлектрики -- перенос заряда
Аннотация: В широком диапазоне электрических полей и температур экспериментально рассмотрен перенос заряда в аморфном нитриде кремния (Si[3]N[4]). Проведено сравнение результатов эксперимента с численными расчетами.


Доп.точки доступа:
Гриценко, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 51076
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)