Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=аморфный диоксид кремния<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Новый нанопористый материал на основе аморфного диоксида кремния [Текст] / Л. А. Власукова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 5. - С. 653-658 : рис. - Библиогр.: c. 658 (22 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.95-405:539.12.04

^a548:539.12.04

ББК 22.3 + 26.303
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики
   Геология
   Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
аморфный диоксид кремния -- быстрые ионы -- модель термического пика -- нанопористые материалы -- параметры трекообразования -- просвечивающая электронная микроскопия -- фтористоводородная кислота -- химическое травление
Аннотация: Исследованы процессы создания нанопористых слоев SiO[2] на Si путем облучения термически оксидированных подложек кремния быстрыми ионами с последующей химической обработкой в растворах или парах фтористоводородной кислоты. Показано, что плотность, форму, диаметр и соотношение длина/диаметр вытравленных в диоксиде кремния каналов можно контролировать, изменяя режимы облучения быстрыми ионами или химической обработки структур SiO[2]/Si. Проведено сравнение параметров трекообразования, рассчитанных в рамках модели термического пика, с данными химического травления.

Доп.точки доступа:
Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Мильчанин, О. В.; Дидык, А. Ю.; Скуратов, В. А.; Кислицын, С. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Щербаков, И. П.
Фотолюминесценция аморфного SiO[2], подвергнутого имплантации ионов Ar{+} [Текст] / И. П. Щербаков, А. Е. Чмель // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 4. - С. 715-718 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (25 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
аморфный диоксид кремния -- диоксид кремния -- имплантация ионов -- инертные ионы -- кремний -- точечные дефекты (физика) -- фотолюминесценция
Аннотация: Проведенное методом фотолюминесценции исследование показало, что при имплантации инертных ионов Ar{+}, не вступающих в химическое взаимодействие с матрицей диоксида кремния, возникают точечные дефекты, связанные с вакансией нейтрального кислорода и (в гораздо меньшем количестве) с группами с немостиковыми связями.

Доп.точки доступа:
Чмель, А. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 16.08.2024
Число запросов	167402
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)