Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=адмиттанская спектроскопия<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Адмиттанская спектроскопия как метод исследования релаксационных процессов в квантово-размерных структурах [Текст] / В. И. Зубков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1491-1497. . - Библиогр.: c. 1497 (11 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
адмиттанская спектроскопия -- квантово-размерные структуры -- квантовые ямы -- методы исследования -- наногетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- релаксационные процессы -- светоизлучающие гетероструктуры
Аннотация: На примере комплексных исследований полупроводниковых светоизлучающих гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN показаны широкие возможности методов спектроскопии адмиттанса как современного и эффективного метода исследования релаксационных процессов в квантово-размерных гетероструктурах. По характеру релаксации носителей заряда, выявленному из температурных спектров проводимости, определена природа эмитирующих центров в наногетероструктурах на основе InGaN/GaN.

Доп.точки доступа:
Зубков, В. И.; Яковлев, И. Н.; Кучерова, О. В.; Орлова, Т. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Петровская, А. Н.
Исследование методами спектроскопии адмиттанса релаксации заряда в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой [Текст] / А. Н. Петровская, В. И. Зубков // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1501-1507. . - Библиогр.: c. 1507 (12 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
адмиттанская спектроскопия -- волновые функции -- вольт-фарадные характеристики -- гетеропереходы -- квантовые точки -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: На основе анализа и математической обработки вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально в диапазоне частот от 1 кГц до 1 МГц и температур - от 320 до 10 К, на специально изготовленных для адмиттансных измерений образцах гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) InGaAs/GaAs и ультратонкими смачивающими слоями InAs/GaAs, оценена величина заряда как функция от температуры. Обнаружено монотонное увеличение заряда в КЯ, определяемого по наблюдаемым концентрационным профилям из экспериментальных ВФХ по сравнению с истинной величиной заряда в квантовых ямах.

Доп.точки доступа:
Зубков, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.07.2024
Число запросов	143166
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)