Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=МОС-гидридная эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 16-19. . - Библиогр.: c. 19 (7 назв. )

УДК

^a535.376

^a537.871.53

ББК 22.345 + 32.840/841
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Радиоэлектроника
   Теоретические основы радиотехники
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры GaAs/InGaAs -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное распыление -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- Шоттки барьеры -- барьеры Шоттки -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды
Аннотация: Проведено исследование структурных, электрических и люминесцентных свойств квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs, модифицированных бета (Mn) -легированием GaAs-барьера.

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Прокофьева, М. М.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Магнитосопротивление структур, содержащих слои MnAs и сильнолегированных марганцем полупроводников A{3}B{5} [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 30-32. . - Библиогр.: c. 32 (4 назв. )

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
магнитосопротивление -- трехслойные структуры -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное осаждение -- магнитотранспортные свойства -- полупроводники -- ферромагнетики -- магнитнооптический эффект Керра -- Керра магнитнооптический эффект
Аннотация: Исследовались магнитотранспортные свойства эпитаксильных гетероструктур ферромагнетик/полупроводник на основе ферромагнитных слоев MnAs и GaMnAs, разделенных промежуточным немагнитным слоем полупроводника (InAs либо GaAs).

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Подольский, В. В.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs [Текст] / М. М. Прокофьева [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 255-258. - Библиогр.: c. 258 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a535.376

^a537.622.4

ББК 22.345 + 22.334
Рубрики: Физика
Люминесценция
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- Кюри температура -- магнитополевая зависимость -- МОС-гидридная эпитаксия -- спиновые светодиоды -- температура Кюри -- циркулярная поляризация -- электролюминесценция
Аннотация: Исследована электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs и дельта (Mn) -легированным слоем в GaAs-барьере. Показано, что диоды излучают циркулярно поляризованный свет, степень поляризации которого зависит от приложенного магнитного поля и температуры. Предположено, что температурные зависимости степени поляризации обусловлены изменением взаимного расположения энергетических уровней ионов Mn в дельта-слое и дырок в квантовой яме.

Доп.точки доступа:
Прокофьева, М. М.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Малышева, Е. И.; Кудрин, А. В.; Калентьева, И. Л.; Вихрова, О. В.; Звонков, Б. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства [Текст] / И. Л. Калентьева [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 1. - С. 26-31. - Библиогр.: c. 31 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
МОС-гидридная эпитаксия -- квантовые ямы -- лазерное осаждение -- магнитные примеси -- рентгеновская дифракция -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследовано влияние содержания индия в квантовой яме InxGa[1-x]As и толщины спейсерного слоя GaAs между квантовой ямой и дельта-слоем Mn на гальваномагнитные и оптические (интенсивность и циркулярная поляризация фотолюминесценции) свойства структур, выращенных сочетанием МОС-гидридной эпитаксии и лазерного осаждения. Определены экспериментально и подтверждены модельными расчетами в одномерном приближении оптимальные значения толщины спейсера (около 4 нм) и содержания индия (x ~ 0. 14-0. 16) для наблюдения ферромагнетизма благодаря присутствию спин-поляризованных носителей как в области дельта-слоя, так и в квантовой яме.

Доп.точки доступа:
Калентьева, И. Л.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Юнин, П. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As [Текст] / Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 9. - С. 1245-1252 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Нижний Новгород, 2021 г.
Кл.слова (ненормированные):
InGaAs/GaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- гетеронаноструктуры -- импульсное лазерное нанесение -- магнитные полупроводники -- международные симпозиумы -- симпозиумы -- спиновые инжекторы
Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований влияния импульсного лазерного отжига на квантово-размерные структуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn) As в качестве спинового инжектора на поверхности.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Дроздов, М. Н.; Здоровейщев, Д. А.; Калентьева, И. Л.; Кузнецов, Ю. М.; Кудрин, А. В.; Нежданов, А. В.; Парафин, А. Е.; Хомицкий, Д. В.; Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	28020
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)