Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=GaAs<.>)

Общее количество найденных документов : 114
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-114

Шифр: entb/2007/2
Журнал

Электроника: наука, технология, бизнес [Текст]. - ISSN 1992-4178. - Выходит 8 раз в год
2007г. N 2

Содержание:
Бетелин, В. Развитие российского сегмента мировой ИТ- индустрии. Возможные сценарии / В. Бетелин, Е. Велихов. - С.4-11. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СУПЕРКОМПЬЮТЕРЫ, МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, РАЗВИТИЕ, БЕЗОПАСНОСТЬ ИНФОРМАЦИОННАЯ
Шахнович, И. Широкополосная мобильность: lee802.16e. Часть1: MAC- уровень / И. Шахнович. - С.18-27. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: БЕСПРОВОДНОЙ ДОСТУП, МОБИЛЬНЫЙ, СПЯЩИЙ РЕЖИМ МС, ПЕЙДЖИГОВЫЕ ГРУППЫ
Слюсар, В. Диэлектрические резонаторные антенны. Малые размеры, большие возможности / В. Слюсар. - С.28-37. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОБИЛЬНАЯ АППАРАТУРА, АНТЕННЫ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ, ЦИЛИНДРИЧЕСКИЕ DRA
Майская, В. lsscc 2007 года. Проблемы инновационного развития микросхем / В. Майская. - С.38-45
Кл.слова: НАНОЭЛЕКТРОНИКА, ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, РАЗВИТИЕ
Белов, Л. Кварцевые генераторы и фильтры. Компании vectron international / Л. Белов. - С.46-54. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАДИОСВЯЗЬ, РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, КВАРЦОВЫЕ РЕЗОНАТОРЫ
Викулов, И. Технология GaAs- монолитных схем СВЧ в зарубежной военной технике / И. Викулов, Н. Кичаева. - С.56-61. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, СИСТЕМА ВООРУЖЕНИЯ, ПРИМЕНЕНИЕ МОНОЛИТНЫХ СХЕМ, МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
Коснырев, В. Миниатюрные и микроминиатюрные соединители: продукты компании "HUBER + SUHNER" / В. Коснырев. - С.62-66
Кл.слова: БЕСПРОВОДНАЯ СВЯЗЬ, МОБИЛЬНАЯ, ТЕХНОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, СОЕДИНИТЕЛИ СЕРИИ MCX
Шерстнев, А. Оксидные конденсаторы на основе окиси ниобия от компании AVX / А. Шерстнев. - С.68-69
Кл.слова: БЕССВИНЦОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА, БЫТОВАЯ ТЕХНИКА, БЫТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Елисеев, Н. Сети нового поколения: решения texas instruments / Н. Елисеев. - С.70-75. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОБИЛЬНАЯ СВЯЗЬ, ЧИСЛО АБОНЕНТОВ, МОБИЛЬНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, КОММУНИКАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Койнов, А. Решения SDR для аппаратуры Wimax плис, dsp или нечто иное? / А. Койнов. - С.76-80. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЦИФРОВЫЕ СИСТЕМЫ РАДИОСВЯЗИ, ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ ПЛАТФОРМЫ
Андреев, А. Арифметика создания процессоров: 80 ядер лучше восьми? / А. Андреев. - С.82-89. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ПРОЦЕССОРНАЯ СТРУКТУРА POLARIS, ТЕХНОЛОГИЯ ВИРТУАЛИЗАЦИИ
Масич, П. Электродинамические испытательные установки компании IMV / П. Масич, М. Кашапов. - С.90-95
Кл.слова: ВИБРАЦИОННЫЕ УСТАНОВКИ, ИСПЫТАТЕЛЬНЫЕ, СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ, УСИЛИТЕЛЬ СИЛОВОГО МОДУЛЯ
Липкин, Е. FUJI NXT- автоматы нового поколения для поверхностного монтажа. Поверхностный монтаж без органичений / Е. Липкин. - С.96-100. - автоматизированные системы FUJI NXT
Кл.слова: ИНФОРМАЦИОННЫЕ БАЗЫ ДАННЫХ, АВТОМАТЫ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Железняк, С. Автоматический установщик компонентов Siplace d2 / С. Железняк. - С.102-104
Кл.слова: ЦИФРОВАЯ СИСТЕМА ТЕХНИЧЕСКОГО ЗРЕНИЯ
Патрушев, С. Ультразвуковая очистка печатных плат: продукция компании "ПСБ-ГАЛС" / С. Патрушев. - С.106-107
Лысов, В. Компания "Фаствел": принципы интеллектуального соответствия / В. Лысов. - С.108-109
Кл.слова: ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ КОМПАНИИ
Щербакова, Е. Газовые пожарные извещатели: продукция фирмы "Фекс" / Е. Щербакова, А. Кудрин, А. Соколов. - С.110-111. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГАЗОВЫЕ МИКРОСЕНСОРЫ
Эдельман, К. Современный подход к моделированию АЦП в телекоммуникационных устройствах / К. Эдельман. - С.113-114
Кл.слова: ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ ПРИЕМНИКИ, АППАРАТНАЯ ЧАСТЬ, СИГНАЛЬНЫЕ ПРОЦЕССОРЫ
Макушин, М. Высокие технологии- не гарантия от финансовых скандалов / М. Макушин. - С.116-118. - Библиогр. в конце ст.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Определение концентрации носителей в легированных слоях n-GaAs методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотоотражения [Текст] / Л. П. Авакянц [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2007. - Т. 102, N 5. - С. 777-781

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
легированные полупроводниковые слои -- полупроводники -- кремний -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- фотоотражение -- концентрация носителей в легированных пленках -- эффект Холла -- Холла эффект
Аннотация: Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотоотражения определены концентрации носителей в легированных кремнием пленках n-GaAs. Полученные данные хорошо согласуются с результатами исследований методом эффекта Холла. Показано, что методы спектроскопии фотоотражения и комбинационного рассеяния света взаимно дополняют друг друга при определении концентрации носителей в диапазоне 10\{17\}-10\{19\} см\{-3\}.

Доп.точки доступа:
Авакянц, Л.П.; Боков, П. Ю.; Волчков, Н. А.; Казаков, И. П.; Червяков, А. В.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

Лаврентьева, Л. Г.
Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. Г. Лаврентьева [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 63-72. - Библиогр.: с. 71-72 (34 назв. )

УДК

^a621.3.08

^a621.315.592:548.552.22

ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
дефекты в слоях GaAs и InGaAs -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- морфология ростовой поверхности -- отжиг (физика) -- электронная микроскопия
Аннотация: В статье обсуждается проблема дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах. Анализируется влияние условий роста (температура, соотношение потоков элементов групп) на морфологию ростовой поверхности, внутреннюю структуру, тип и концентрацию электрически и оптически активных точечных дефектов. Проведено сопоставление процессов дефектообразования в GaAs и InGaAs при росте и последующем отжиге.

Доп.точки доступа:
Вилисова, М.Д.; Бобровникова, И.А.; Ивонин, И.В.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Ли Цзень Фень
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка [Текст] / Ли Цзень Фень [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 66-70. - Библиогр.: с. 69-70 (9 назв. )

УДК

^a621.396

^a621.382

ББК 32.84
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника
Кл.слова (ненормированные):
ионный пучок -- плотность тока на мишени -- плотность энергии на мишени -- энергия ионов -- эрозия мишени
Аннотация: В статье приведены результаты исследования эрозии мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка. В экспериментах использовался источник мощных ионных пучков со следующими параметрами: энергия ионов - 250 кэВ, плотность тока на мишени - до 350 А/см{2}, длительность импульса - 80 нс, плотность энергии на мишени - до 7 Дж/см{2}. Измерен коэффициент эрозии мишени и его зависимость от числа последовательных импульсов. Отмечено увеличение параметра шероховатости поверхности с увеличением числа последовательных импульсов тока пучка и формирование регулярной структуры рельефа поверхности при числе импульсов более 20-40.

Доп.точки доступа:
Ремнев, Г. Е.; Салтымаков, М. С.; Гусельников, В. И.; Макеев, В. А.; Ивонин, И. В.; Найден, Е. П.; Юрченко, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кульбачинский, В. А.
Низкотемпературный транспорт и ферромагнетизм в структурах на основе GaAs с Mn [Текст] / В. А. Кульбачинский, П. В. Гурин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 193-196. - Библиогр.: с. 196

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
низкотемпературный транспорт -- ферромагнетизм -- ионная имплантация -- имплантация
Аннотация: Исследован низкотемпературный транспорт и ферромагнетизм в структурах на основе GaAs с Mn.

Доп.точки доступа:
Гурин, П.В.; Данилов, Ю.А.; Малышева, Е.И.; Хорикоши, Й.; Ономитсу, К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Якунин, М. В.
Магнитный пробой и квантовый магнитотранспорт с постоянным псевдоспином в наклонных магнитных полях в двойной квантовой яме n-In[x]Ga[1-x]As/GaAs [Текст] / М. В. Якунин, С. М. Подгорных, В. Н. Неверов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - . 241-249. - Библиогр.: с. 249

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- двойные квантовые ямы -- магнитные поля -- наклонные магнитные поля -- псевдоспины -- постоянный псевдоспин -- магнитный пробой -- квантовый магнитотранспорт -- магнитотранспорт
Аннотация: Исследуются магнитный пробой и квантовый магнитотранспорт с постоянным псевдоспином в наклонных магнитных полях в двойной квантовой яме n-In[x]Ga[1-x]As/GaAs.

Доп.точки доступа:
Подгорных, С.М.; Неверов, В.Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оптическая и магнитооптическая спектроскопия тонких композитных слоев GaAs-MnAs [Текст] / Е. А. Ганьшина [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 176-179. - Библиогр.: c. 179 (14 назв. )

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
оптическая спектроскопия -- магнитооптическая спектроскопия -- композиты -- спектральные зависимости -- экваториальный эффект Керра -- Керра экваториальный эффект -- диэлектрическая проницаемость -- рентгеноспектральный анализ -- эллипсометрические исследования -- метод лазерного осаждения
Аннотация: В диапазоне энергий 1-4. 5 эВ проведены эллипсометрические и магнитооптические исследования слоев MnAs и композитов GaAs-MnAs, полученных методом лазерного осаждения.

Доп.точки доступа:
Ганьшина, Е. А.; Голик, Л. Л.; Ковалев, В. И.; Кунькова, З. Э.; Вашук, М. В.; Вихрова, О. В.; Звонков, Б. Н.; Сафьянов, Ю. Н.; Сучков, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni (Co) /GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой [Текст] / М. В. Дорохин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 180-183. - Библиогр.: c. 183 (10 назв. )

УДК

^a535.376

^a537.871.53

ББК 22.345 + 32.840/841
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Радиоэлектроника
   Теоретические основы радиотехники
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры -- ферромагнитный контакт Шоттки -- Шоттки ферромагнитный контакт -- спиновая инжекция -- квантовая яма -- циркулярная поляризация -- магнитное поле
Аннотация: Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs c ферромагнитным контактом Шоттки Ni (Co) /GaAs.

Доп.точки доступа:
Дорохин, М. В.; Зайцев, С. В.; Байдусь, Н. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Звонков, Б. Н.; Кулаковский, В. Д.; Ускова, Е. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Эмиссия излучения терагерцевого диапазона из гетероструктур GaAsN/GaAs в электрическом поле [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 229-231. - Библиогр.: c. 231 (13 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- гетероструктуры GaAsN/GaAs -- напряженные микроструктуры -- квантовые ямы -- энергетические спектры -- локализованные состояния -- акцепторы
Аннотация: Обнаружена эмиссия излучения терагерцевого диапазона из напряженных слоев GaAsN, легированных бериллием, при 4. 2 К в постпробойных электрических полях.

Доп.точки доступа:
Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Егоров, А. Ю.; Устинов, В. М.; Гладышев, А. Г.; Бондаренко, О. В.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Козлов, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Поглощение и эмиссия излучения терагерцевого диапазона в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 265-267. - Библиогр.: c. 267 (7 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптические переходы -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- туннельно-связанные квантовые ямы GaAs/AlGaAs -- внутризонное поглощение -- квантовые ямы -- спектры излучения -- температурная зависимость -- электролюминесценция
Аннотация: Исследовано спонтанное излучение терагерцевого спектрального диапазона с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в продольном электрическом поле.

Доп.точки доступа:
Фирсов, Д. А.; Воробьев, Л. Е.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Ganichev, S. D.; Danilov, S. N.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Жуков, А. Е.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Дюбуа, А. Б.
Схема-модель межподзонных электрон-электронных взаимодействий в сильнолегированном гетеропереходе Al[2]Ga[1-x]As (Si) /GaAs [Текст] / А. Б. Дюбуа // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 45-51. - Библиогр.: c. 51 (12 назв. )

УДК

^a621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника в целом
Кл.слова (ненормированные):
2D-электроны -- межподзонные электрон-электронные взаимодействия -- сильнолегированный гетеропереход -- электрон-электронные релаксационные процессы
Аннотация: Сообщаются результаты исследований электрон-электронных релаксационных процессов в системе сильно вырожденных 2D-электронов с тонкой структурой энергетического спектра и пространственного распределения электронной плотности. Для сильнолегированного гетероперехода, когда оказываются заполненными две подзоны размерного квантования, найдены выражения для времени электрон-электронного внутри- и межподзонного взаимодействия, определены матричные элементы полного потенциала экранирования и диэлектрической функции в приближении, далеком от длинноволнового предела. Показано, что осцилляции температурной и концентрационной зависимости времени электрон-электронного взаимодействия связаны с возбуждением плазменных колебаний компонентов 2D-электронной системы.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

12.

Зубков, В. И.
Прямое наблюдение процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / В. И. Зубков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 111-113. - Библиогр.: с. 113 (6 назв. ). - d, 2007, , 0

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры
Аннотация: Впервые проведены исследования по прямому наблюдению процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs методом перезарядки емкости.

Доп.точки доступа:
Шульгунова, И. С.; Соломонов, А. В.; Geller, M.; Marent, A.; Bimberg, D.; Жуков, А. Е.; Семенова, Е. С.; Устинов, В. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Дроздов, Ю. Н.
Диагностика покрывающих слоев в многослойных структурах с квантовыми точками InAs (N) на GaAs (001), выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии [Текст] / Ю. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 107-110. - Библиогр.: с. 110 (6 назв. ). - d, 2007, , 0

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
многослойные структуры
Аннотация: Исследованы структуры с квантовыми точками InAs (N), выращенные методом металлоорганической газофазной эпитаксии на подложках на GaAs (001.

Доп.точки доступа:
Данильцев, В. М.; Дроздов, М. Н.; Мурель, А. В.; Хлыкин, О. И.; Востоков, Н. В.; Шашкин, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Сибельдин, Н. Н.
Кинетика экситон-трионной системы в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 97-99. - Библиогр.: с. 99 (5 назв. ). - d, 2007, , 0

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
трионы
Аннотация: Методами спектроскопии люминесценции и резонансного рассеяния света исследовано формирование трехчастичных заряженных экситонных комплексов (трионов) в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs в области температур 1. 7-15 К.

Доп.точки доступа:
Скориков, М. Л.; Цветков, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Караваев, Г. Ф.
Модели рассеяния электронов на гетерогранице GaAs/AIAs (001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 34-43. - Библиогр.: c. 43 (25 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетерограница GaAs/AIAs (001) -- метод псевдопотенциала -- модели рассеяния электронов -- модель плавной границы (физика) -- модель резкой границы (физика)
Аннотация: Рассмотрены упрощенные модели для описания рассеяния электронов зоны проводимости на гетерогранице GaAs/AIAs (001). Модели соответствуют двум приближениям - резкому и ''плавному'' изменению потенциала вблизи гетерограницы. Они построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Первая модель, использующая приближение резкой границы, подобна рассмотренной ранее трехдолинной модели Андо на основе расчетов методом сильной связи. Вторая модель использует описание потенциала в окрестности гетерограницы с помощью фрагмента сверхрешетки, составляющего половину ее периода. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов. Отмечено, что отличие модели плавной границы от модели резкой границы становится существенным в случае гетероструктур с тонкими слоями и в случае состояний с заметной локализацией электронной плотности вблизи гетерограниц.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111) A и (111) В [Текст] / Н. Г. Яременко [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 4, апрель. - С. 483-487. - Библиогр.: с. 487 (13 назв. )

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
галлий -- полупроводниковые материалы -- мышьяк -- кремний -- кристаллы
Аннотация: Цель работы - изучение методом фотолюминесценции природы структурных дефектов.

Доп.точки доступа:
Яременко, Н. Г.; Галиев, Г. Б.; Карачевцева, М. В.; Мокеров, В. Г.; Страхов, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Викулов, И.
Eвропейская GaAs-промышленность [Текст] : технология, продукция, рынки / И. Викулов // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2008. - N 3. - С. 64-69. - Библиогр.: С. 69 (11 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
GaAs-компоненты -- телекоммуникационное оборудование -- рынки сбыта -- транзисторы
Аннотация: Рассмотрены производственно-технологические возможности основных европейских производителей GaAs-компонентов, а также виды продукции и предлагаемые ими услуги.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

18.

Болховитянов, Ю. Б.
Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок [Текст] / Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 5. - С. 459-480 : 20 рис. - Библиогр.: с. 479-480 (232 назв. )

ГРНТИ	29.19
УДК	^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые подложки -- гетероструктуры -- эпитаксиальные формирования -- наноэлектроника
Аннотация: В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A{III}B{V} на его основе на подложках SI; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур.

Доп.точки доступа:
Пчеляков, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

19.

Москаль, Д. С.
Анализ рельефа поверхности GaAs, сформированного воздействием дифракционно-модулированного лазерного излучения [Текст] / Д. С. Москаль, В. А. Надточий, Н. Н. Голоденко // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 86-89. - Библиогр.: c. 89 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Физика
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- дифракционно-модулированные лазерные излучения -- дифракционные маски -- кластерообразование -- точечные дефекты
Аннотация: Исследован рельеф поверхности GaAs, облученной лазером через дифракционные маски разного профиля. Плотность падающей энергии луча не превышала порогового значения. Под действием дифракционно-модулированного лазерного излучения в поверхностном слое кристалла формируются кластеры из точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов в периодическом поле термоупругих напряжений.

Доп.точки доступа:
Надточий, В. А.; Голоденко, Н. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

20.

Исследование механизмов релаксации когерентности экситонов в одиночных GaAs/AlGaAs-квантовых ямах методами экситонной индукции [Текст] / С. В. Полтавцев [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 105, N 4. - С. 566-571.

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
экситоны -- когерентность экситонов -- квантовые ямы -- экситонная индукция -- релаксация когерентности экситонов
Аннотация: Экспериментально исследованы механизмы релаксации когерентности экситонов в GaAs-квантовых ямах в линейном режиме. Разработана экспериментальная методика измерения полной скорости фазовой релаксации, скоростей обратимой и температурной необратимой фазовых релаксаций экситонов, а также скорости излучательного распада экситонной поляризации Г[R]. Полученные на серии образцов экспериментальные значения Г[R] для квантовой ямы заданной толщины имеют разброс не более 15%, что позволило оценить вид зависимости Г[R] от толщины ямы L[Z]. Также экспериментально установлено, что Г[R] не зависит от температуры вплоть до 80 K.

Доп.точки доступа:
Полтавцев, С. В.; Овсянкин, В. В.; Строганов, Б. В.; Долгих, Ю. К.; Елисеев, С. А.; Ефимов, Ю. П.; Петров, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-114

Тематический навигатор

Статистика за 18.07.2024
Число запросов	132826
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)