Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электронно-лучевая литография<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Казьмирук, В. В.
Сканирующие электронные микроскопы МикроСкан серии МС20 [Текст] / В. В. Казьмирук // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1550-1553. : рис. - Библиогр.: c. 1553 (2 назв. )

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
сканирующие электронные микроскопы -- микролитографы -- системные модули -- видеоконтрольные устройства -- электронно-лучевая литография -- принцип модульности -- ионно-оптические системы
Аннотация: В ИПТМ РАН разработана новая серия сканирующих электронных микроскопов (СЭМ) МикроСкан-МС20. Основная их отличительная особенность - модульность конструкции абсолютно всех узлов и систем, что позволило достичь высокого уровня унификации.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Потапкин, О. Д.
Проекционная электронно-лучевая литография для нанотехнологий [Текст] / О. Д. Потапкин, Б. В. Трошин // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1056-1060. . - Библиогр.: c. 1060 (14 назв. )

УДК

^a557.533

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
аберрации Берша-Леффлера -- Берша-Леффлера аберрации -- метод Рунге-Кутта -- проекционная литография -- разрешающая способность -- Рунге-Кутта метод -- фокусное расстояние -- численное моделирование -- электронно-лучевая литография
Аннотация: Исследованы параметры установки проекционной электронно-лучевой литографии, дан анализ зависимости разрешающей способности края проецируемого элемента. Показано, что существуют по крайней мере три параметра оптимизации: размер поля, фокусное расстояние проектора и угол раскрытия на мишени. В процессе оптимизации учитывался вклад аберрации стохастического взаимодействия.

Доп.точки доступа:
Трошин, Б. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Романова, И.
Светодиодная промышленность России [Текст] : дорожная карта / И. Романова // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2010. - N 6. - С. 24-32.

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом--Россия
Кл.слова (ненормированные):
светодиодная промышленность -- твердотельные источники света -- светодиоды -- электроэнергия -- светотехнические устройства -- литография -- рентгеновская литография -- электронно-лучевая литография
Аннотация: Дан анализ производства светодиодов и новых материалов.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Влияние химического строения (со) полимеров-резистов на их чувствительность к радиационному излучению [Текст] / С. А. Булгакова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 186-189. - Библиогр.: c. 189 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a541.6

ББК 24.7
Рубрики: Химия
Химия высокомолекулярных соединений
Кл.слова (ненормированные):
кислотный гидролиз функциональных групп -- литографические свойства -- метилметакрилат -- полимеры -- полиметилметакрилат -- радиационное излучение -- резисты -- химические модификации -- электронно-лучевая литография -- ЭУФ-литография
Аннотация: Исследованы резисты, функционирующие по двум механизмам - разрыв основной цепи и гидролиз боковых функциональных групп - при ЭУФ- и электронно-лучевом экспонировании в зависимости от химического строения полимерной основы. Показано, что последние, относящиеся к химически усиленным резистам, обладают на порядок более высокой чувствительностью к излучению в сочетании с рекордным контрастом по сравнению с резистами деструктивного типа.

Доп.точки доступа:
Булгакова, С. А.; Джонс, М. М.; Киселева, Е. А.; Скороходов, Е. В.; Пестов, А. Е.; Лопатин, А. Я.; Гусев, С. А.; Лучин, В. И.; Чхало, Н. И.; Салащенко, Н. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Потапкин, О. Д.
Литография с гауссовым распределением плотности тока в зонде для нанотехнологий [Текст] / О. Д. Потапкин // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1103-1106. - Библиогр.: c. 1106 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.533

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
гауссово распределение плотности тока -- катод Шоттки -- магнитные линзы -- модель трехэлектродной пушки -- разрешающая способность -- стохастическое взаимодействие -- хроматическая аберрация -- Шоттки катод -- электронно-лучевая литография
Аннотация: Исследованы параметры системы электронно-лучевой литографии с гауссовым распределением плотности тока, дан анализ зависимости разрешающей способности от увеличения и соотношения потенциалов на анодах. Использовалась модель трехэлектродной пушки с катодом ZrO/W. В процессе оптимизации учитывался вклад аберрации стохастического взаимодействия. Показано, что даже с пушкой простейшей геометрии достижимо разрешение 10 нм.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Нанолитография металлических структур с применение фуллеренов [Текст] / С. А. Гусев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 1. - С. 60-66 : рис. - Библиогр.: c. 66 (26 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a620.186

ББК 30.3
Рубрики: Техника
Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
металлические наноструктуры -- полиметилметакрилат -- ферромагнитные материалы -- фуллерены -- электронно-лучевая литография
Аннотация: Развита методика применения фуллеренов C[60] в качестве высокоразрешающих резистов для электронной литографии. Определены основные литографические характеристики фуллеренов при облучении их электронами с энергией от 1 до 100 кэВ. Экспериментально продемонстрирована возможность формирования металлических наноструктур с разрешающей способностью порядка 10 нм.

Доп.точки доступа:
Гусев, С. А.; Вдовичев, С. Н.; Дроздов, М. Н.; Климов, А. Ю.; Рогов, В. В.; Скороходов, Е. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Дагесян, С. А.
Изготовление предельно малых зазоров в металлических нанопроводах и исследование их характеристик [Текст] / С. А. Дагесян, Е. С. Солдатов, А. С. Степанов // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 2. - С. 211-215 : рис. - Библиогр.: c. 215 (18 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.382

^a538.971

ББК 32.852 + 22.3
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
   Физика
   Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нанопровода -- планарные металлические нанопровода -- предельно малые зазоры -- саморазрыв -- электромиграция -- электронно-лучевая литография
Аннотация: Разработана методика формирования предельно малых (1-5 нм) зазоров в планарных металлических нанопроводах с помощью эффекта электромиграции для создания элементов наноэлектроники нового поколения. Исследована динамика формирования таких зазоров. Исследованы электрические характеристики получаемых зазоров.

Доп.точки доступа:
Солдатов, Е. С.; Степанов, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Изготовление сверхпроводниковых туннельных структур с использованием электронно-лучевой литографии [Текст] / М. Ю. Фоминский, Л. В. Филиппенко, А. М. Чекушкин, В. П. Кошелец // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 9. - С. 1228-1232 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. (7 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел--Россия--Нижний Новгород, 2021 г.
Кл.слова (ненормированные):
магнетронное напыление -- международные симпозиумы -- негативный электронный резист -- плазмохимическое травление -- сверхпроводниковые туннельные структуры -- симпозиумы -- субмикронные переходы -- туннельные структуры -- электронно-лучевая литография
Аннотация: Разработана и оптимизирована технология изготовления субмикронных переходов Nb-AlN-NbN с использованием электронно-лучевой литографии.

Доп.точки доступа:
Фоминский, М. Ю.; Филиппенко, Л. В.; Чекушкин, А. М.; Кошелец, В. П.; Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 01.07.2024
Число запросов	25880
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)