Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фотовольтаический эффект<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Фотоэлектрические характеристики многослойных наноразмерных структур кремний-фталоцианин [Текст] / Г. Л. Пахомов [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры. - 2011. - № 4. - С. 21-26 : ил. - Библиогр.: с. 25-26 (8 назв.)

УДК

^a544

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
многослойные наноструктуры -- фталоцианины -- кремний -- вольт-амперная характеристика -- фоточувствительность -- фотовольтаический эффект -- наноразмерные структуры
Аннотация: Получены планарные наноразмерные структуры кремний-фталоцианин и измерены их вольт-амперные характеристики.

Доп.точки доступа:
Пахомов, Г. Л.; Пряхин, Д. А.; Травкин, В. В.; Лучников, П. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фотовольтаический эффект в контакте металл - высокоомный GaAs:Cr [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С. 19-22 : рис. - Библиогр.: c. 22 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a631.3

ББК 40.7
Рубрики: Сельское хозяйство
Механизация и электрификация сельского хозяйства в целом
Кл.слова (ненормированные):
барьерные контакты металлов -- высокоомный GaAs -- контакты металлов -- фотовольтаический эффект
Аннотация: Представлены результаты исследований фотовольтаического эффекта в контактах ряда металлов с высокоомным GaAs: Cr. Высокоомный (ВО) GaAs был получен диффузией хрома в и-GaAs. В качестве металлов использованы V, Cr, Al. Для создания омических контактов применялся In. ФотоЭДС возбуждалась красным светом (hv = 1, 85 эВ), интенсивность возбуждения достигала 1, 5•10{21}см{-2}•с{-1}. Измерения фотоЭДС проведены при наличии несимметричных пар контактов к ВО-GaAs: V-In, Cr-In, Al-In. Показано, что V, Cr, Al образуют в контакте с высокоомным GaAs: Cr барьеры для электронов. Величина фотоЭДС исследованных контактов определяется инверсией типа проводимости приповерхностного слоя GaAs под металлическим контактом. Концентрация дырок в инверсном слое может достигать 10{15}см{-3}. Контакт из индия к высокоомному GaAs: Cr является омическим инжектирующим для электронов контактом с высотой барьера для дырок 0, 9 эВ.

Доп.точки доступа:
Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.; Яскевич, Т. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Роль наносекундных процессов в формировании доменов в сегнетоэлектрических кристаллах [Текст] / А. В. Голенищев-Кутузов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 4. - С. 372-374. - Библиогр.: c. 374 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a534.2

ББК 22.325
Рубрики: Физика
Распространение звука
Кл.слова (ненормированные):
индуцированные домены -- ниобат лития -- оксидные сегнетоэлектрики -- пироэлектрический эффект -- фотовольтаический эффект
Аннотация: Рассмотрен вклад пироэлектрического и фотовольтаического эффектов в формирование индуцированных доменов в оксидных сегнетоэлектриках типа ниобата лития при облучении кристаллов наносекундными сфокусированными лазерными пучками. Установлено, что формирование инвертированных доменов в области облучения происходит при комбинированном воздействии генерируемых пироэлектрического и фотовольтаического полей в условиях резкого повышения температуры. Показано, что наиболее устойчивые домены возникают в образцах ниобата лития, содержащих примесные ионы Fe{2+} и Fe{3+}.

Доп.точки доступа:
Голенищев-Кутузов, А. В.; Голенищев-Кутузов, В. А; Калимуллин, Р. И.; Потапов, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Сравнительное исследование латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe[3]O[4]/SiO[2]/n-Si и Fe[3]O[4]/SiO[2]/p-Si [Текст] / Т. А. Писаренко [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 7. - С. 1311-1317 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (31 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
латеральный фотовольтаический эффект -- сравнительные исследования -- фотовольтаический эффект
Аннотация: Представлены результаты сравнительного исследования латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si.

Доп.точки доступа:
Писаренко, Т. А.; Балашев, В. В.; Викулов, В. А.; Димитриев, А. А.; Коробцов, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 20.08.2024
Число запросов	32379
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)