Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=туннелирование электронов<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.


   
    Туннелирование электронов в ансамблях кремниевых нанокристаллов [Текст] / В. А. Беляков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 8. - С. 1129-1131. . - Библиогр.: c. 1131 (7 назв. )
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
волновые функции -- квантовые точки -- кремниевые нанокристаллы -- миграционные эффекты -- прямое туннелирование -- туннелирование электронов
Аннотация: Представлены результаты вычислений скоростей прямого туннелирования электронов между кремниевыми нанокристаллами. Показано, что туннельные переходы могут быть намного эффективнее излучательной межзонной рекомбинации и существенно влиять на излучение в ансамбле кремниевых нанокристаллов.


Доп.точки доступа:
Беляков, В. А.; Бурдов, В. А.; Lockwood, R.; Meldrum, A.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


    Кашин, С. М.
    Динамика волнового пакета в системе с квантовой точкой в условиях кулоновской блокады [Текст] / С. М. Кашин, А. М. Сатанин // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 8. - С. 1169-1171. . - Библиогр.: c. 1171 (8 назв. )
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
волновые пакеты -- квантовые точки -- кулоновская блокада -- резонансное туннелирование -- туннелирование электронов -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение
Аннотация: Изучена нестационарная задача туннелирования электрона через квантовую точку в условиях кулоновской блокады. Решено временное уравнение Шредингера и исследована динамика волнового пакета в системе, состоящей из квантовой точки, соединенной с двумя одномерными контактами. Вычислен коэффициент прохождения. Построены зависимости прозрачности от энергии туннелирующего электрона.


Доп.точки доступа:
Сатанин, А. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Арсеев, П. И.
    Взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании через одиночные молекулы [Текст] / П. И. Арсеев, Н. С. Маслова // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 11. - С. 1197-1216. : 21 рис. - Библиогр.: с. 1216 (27 назв. )
ГРНТИ
УДК
ББК 22.382
Рубрики: Физика
   Элементарные частицы

Кл.слова (ненормированные):
колебательные моды -- гамильтонианы -- туннелирование электронов -- электроны -- адиабатические подходы -- одиночные молекулы -- туннельная проводимость
Аннотация: Показано, как в рамках адиабатического подхода строятся эффективные гамильтонианы, описывающие взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании электронов через одиночные молекулы. Обсуждается метод расчета туннельных характеристик и вид возможных особенностей, связанных со взаимодействием электронов с колебательными модами. Рассмотрен вопрос об интенсивности возбуждения колебаний туннельным током в разных системах.


Доп.точки доступа:
Маслова, Н. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

4.


    Гриняев, С. Н.
    Туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с плавным потенциалом на гетерограницах [Текст] / С. Н. Гриняев, Г. Ф. Караваев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 7. - С. 7-13. . - Библиогр.: с. 13 (6 назв. )
УДК
ББК 22.36
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика

Кл.слова (ненормированные):
гексагональная сверхрешетка -- метод псевдопотенциала -- плавный интерфейсный потенциал -- туннелирование электронов -- фано-резонансы
Аннотация: На основе метода псевдопотенциала изучено влияние плавного интерфейсного потенциала на туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с тонкими слоями. Переходная область между компонентами структуры представлена половиной перехода гексагональной сверхрешетки (GaAs) [3] (AlAs) [3] (111). Показано, что по сравнению с моделью резкой границы учет плавного потенциала приводит к уменьшению Г-L-смешивания, сужению фано-резонансов, исчезновению интерфейсных состояний на границе GaAs/ AlAs (111). Возникающие сдвиги нижних Г- и L-резонансов в структурах с толщиной слоев <2 нм достигают значений ~0, 1 эВ и согласуются с поведением уровней в квантовых ямах. Результаты многозонного расчета коэффициента прохождения электронов с энергиями 0-0, 5 эВ от дна зоны проводимости GaAs близки к расчету, в котором учитывались только нижние состояния зоны проводимости сверхрешетки Г[1]{ (1) }, Г[1]{ (2) } и бинарных кристаллов Г[1], L[1], что указывает на возможность развития <двухдолинной> сверхрешеточной модели <плавной> границы GaAs/ AlAs (111).


Доп.точки доступа:
Караваев, Г. Ф.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


    Вальков, В. В.
    Индуцирование спин-флип-процессами резонанса Фано при туннелировании электрона через спиновые структуры атомного масштаба [Текст] / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 143, вып. 5. - С. 984-990. - Библиогр.: с. 989-990 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
спин-флип-процессы -- резонанс Фано -- Фано резонанс -- спиновые структуры -- электроны -- туннелирование электронов -- индуцирование спин-флип-процессами
Аннотация: Для двух спиновых структур атомного масштаба проанализировано проявление резонансных особенностей Фано в характеристиках туннельного транспорта электрона.


Доп.точки доступа:
Аксенов, С. В.; Уланов, Е. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


    Ioffe, L. B.
    Giant magnetoresistance in the variable-range hopping regime [Text] / L. B. Ioffe, B. Z. Spivak // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 144, вып. 3. - С. 632-652. - Библиогр.: с. 651-652 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
гигантское магнетосопротивление -- магнетосопротивление с переменной длиной прыжка -- переменная длина прыжка -- магнитное поле -- туннелирование электронов


Доп.точки доступа:
Spivak, B. Z.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.


    Исмаили, А. М.
    Зависимости туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах [Текст] / А. М. Исмаили, А. Н. Усеинов, Н. Х. Усеинов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2018. - Т. 153, вып. 1. - С. 137-149. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
зависимости -- магнитные туннельные контакты -- магнитосопротивление -- наночастицы -- перенос спинового момента -- туннелирование электронов -- туннельное магнитосопротивление -- туннельные наноконтакты
Аннотация: Проведены расчеты зависимостей туннельного магнитосопротивления и параллельной компоненты переноса спинового момента от приложенного напряжения в магнитном туннельном контакте.


Доп.точки доступа:
Усеинов, А. Н.; Усеинов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 19.08.2024
Число запросов 54754
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)