Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=проекционная ЭУФ-литография<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.


   
    Многослойные тонкопленочные фильтры экстремального ультрафиолетового и мягкого рентгеновского диапазонов [Текст] / Б. А. Володин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 53-57 : Рис. - Библиогр.: c. 56-57 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 34.64
Рубрики: Машиностроение
   Соединения деталей машин

Кл.слова (ненормированные):
металлические пленки -- многослойные тонкопленочные фильтры -- мягкий рентгеновский диапазон -- оптические свойства -- проекционная ЭУФ-литография -- прозрачность -- тонкопленочные фильтры -- ультратонкие фильтры -- фильтры -- экстремальный ультрафиолетовый диапазон
Аннотация: Разработаны многослойные тонкопленочные фильтры из различных пар материалов, имеющие окна прозрачности в диапазоне длин волн лямбда < 60 нм.


Доп.точки доступа:
Володин, Б. А.; Гусев, С. А.; Дроздов, М. Н.; Зуев, С. Ю.; Клюенков, Е. Б.; Лопатин, А. Я.; Лучин, В. И.; Пестов, А. Е.; Салащенко, Н. Н.; Цыбин, Н. Н.; Чхало, Н. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


    Салащенко, Н. Н.
    Проект изготовления российского ЭУФ-нанолитографа для производства СБИС по технологическим нормам 22 нм [Текст] / Н. Н. Салащенко, Н. И. Чхало // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 49-53. : рис. - Библиогр.: с. 53 (12 назв. )
УДК
ББК 22.341 + 39.11
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура оптики

   Транспорт

   Транспортные сооружения

Кл.слова (ненормированные):
массовое производство -- нанолитографы -- наноэлектроника -- оптические элементы -- опытное производство -- отражательные маски -- проекты -- проекционная ЭУФ-литография -- промышленные сканеры -- фоторезисторы -- экстремальное ультрафиолетовое излучение
Аннотация: Сообщается о разрабатываемом проекте создания отечественного нанолитографа с рабочей длиной волны лямбда=13. 5 нм для производства элементной базы наноэлектроники (чипов) по технологическим нормам 32-22 нм на первом этапе и 22-16 нм - на втором.


Доп.точки доступа:
Чхало, Н. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


   
    Стенд проекционного ЭУФ-нанолитографа-мультипликатора с расчетным разрешением 30 нм [Текст] / Д. Г. Волгунов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 54-56. : рис. - Библиогр.: с. 56 (10 назв. )
УДК
ББК 22.341 + 39.11
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура оптики

   Транспорт

   Транспортные сооружения

Кл.слова (ненормированные):
высокие технологии -- нанолитограф-мультипликатор -- наноэлектроника -- оптические элементы -- проекционная ЭУФ-литография -- разрешающая способность -- экстремальное ультрафиолетовое излучение
Аннотация: Сообщается о созданном в ИФМ РАН стенде нанолитографа-мультипликатора с рабочей длиной волны 13, 5 нм и расчетным пространственным разрешением 30 нм.


Доп.точки доступа:
Волгунов, Д. Г.; Забродин, И. Г.; Закалов, Б. А.; Зуев, С. Ю.; Каськов, И. А.; Клюенков, Е. Б.; Пестов, А. Е.; Полковников, В. Н.; Салащенко, Н. Н.; Суслов, Л. А.; Торопов, М. Н.; Чхало, Н. И.; Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН; ИФМ РАН

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


   
    Двухзеркальный проекционный объектив нанолитографа на лямбда=13. 5 нм [Текст] / С. Ю. Зуев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 61-64. : рис. - Библиогр.: с. 64 (7 назв. )
УДК
ББК 22.341 + 39.11
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура оптики

   Транспорт

   Транспортные сооружения

Кл.слова (ненормированные):
асферические зеркала -- двухзеркальные объективы -- критерий Марешаля -- Марешаля критерий -- нанолитографы -- оптические элементы -- проекционная ЭУФ-литография -- проекционные объективы -- экстремальное ультрафиолетовое излучение
Аннотация: Описывается проекционный объектив, состоящий из двух асферических зеркал, для стенда нанолитографа с рабочей длиной волны лямбда=13. 5 нм. Значительное внимание уделяется методам аттестации формы поверхности зеркал и аберраций объектива с субнанометровой точностью.


Доп.точки доступа:
Зуев, С. Ю.; Пестов, А. Е.; Салащенко, Н. Н.; Скрыль, А. С.; Струля, И. Л.; Суслов, Л. А.; Торопов, М. Н.; Чхало, Н. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


   
    Развитие микрошероховатости поверхности плавленого кварца и покрытий Cr/Sc при травлении ионными пучками [Текст] / Ю. А. Вайнер [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 65-67. . - Библиогр.: с. 67 (5 назв. )
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
критерий Марешаля -- малоугловая рентгеновская дифракция -- Марешаля критерий -- многослойные структуры -- оптические элементы -- плавленый кварц -- проекционная ЭУФ-литография -- травление ионными пучками -- шероховатость поверхности -- экстремальное ультрафиолетовое излучение
Аннотация: Изучается поведение шероховатости поверхностей многослойной структуры Cr/Sc и плавленого кварца при ионно-пучковом травлении.


Доп.точки доступа:
Вайнер, Ю. А.; Зорина, М. В.; Пестов, А. Е.; Салащенко, Н. Н.; Чхало, Н. И.; Храмков, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


   
    Источник экстремального ультрафиолетового излучения на основе плазмы, нагреваемой излучением миллиметрового диапазона [Текст] / А. В. Водопьянов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 68-70. . - Библиогр.: с. 70 (18 назв. )
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика
   Оптика в целом

Кл.слова (ненормированные):
магнитные ловушки -- плазмогенераторы -- проекционная ЭУФ-литография -- экстремальное ультрафиолетовое излучение -- электромагнитное излучение -- электронно-циклотронный резонанс
Аннотация: Обсуждается источник экстремального ультрафиолетового излучения на основе разряда низкого давления, поддерживаемого в магнитной ловушке мощным электромагнитным излучением на частоте 75 ГГц.


Доп.точки доступа:
Водопьянов, А. В.; Голубев, С. В.; Мансфельд, Д. А.; Салащенко, Н. Н.; Чхало, Н. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.


   
    Эволюция распределения элементов в свободно висящих структурах Zr/ZrSi[2] с защитными слоями MoSi[2] и ZrSu[2] при отжиге [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 80-83. . - Библиогр.: с. 83 (3 назв. )
УДК
ББК 34.64
Рубрики: Машиностроение
   Соединения деталей машин

Кл.слова (ненормированные):
вторично-ионная масс-спектрометрия -- магнетронное напыление -- многослойные структуры -- проекционная ЭУФ-литография -- свободно висящие структуры -- фильтры -- экстремальное ультрафиолетовое излучение
Аннотация: Методом вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) проведен анализ распределения элементов по глубине в отожженных образцах многослойных ЭУФ-фильтров Zr/ZrSi[2] с защитными слоями MoSi[2] и ZrSu[2].


Доп.точки доступа:
Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Клюенков, Е. Б.; Лопатин, А. Я.; Лучин, В. И.; Салащенко, Н. Н.; Цыбин, Н. Н.; Шмаенок, Л. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

8.


   
    Формирование наноструктур на стенде ЭУФ-литографа-мультипликатора. Первые результаты [Текст] / Д. Г. Волгунов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 1. - С. 4-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (23 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
лабораторные стенды -- проекционная ЭУФ-литография -- экстремальное ультрафиолетовое излучение -- ЭУФ-литографы
Аннотация: Демонстрируются первые литографические изображения в резистах, полученные с помощью метода проекционной литографии на длине волны 13. 5 нм. Приводятся данные по скоростям засветки фоторезиста и загрязнения поверхности коллектора. Анализируются факторы, ограничивающие пространственное разрешение проекционной схемы.


Доп.точки доступа:
Волгунов, Д. Г.; Пестов, А. Е.; Салащенко, Н. Н.; Торопов, М. Н.; Чхало, Н. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

9.


   
    Высокопрозрачные свободновисящие пленки для защиты маски от загрязнений в установках проекционной ЭУФ-литографии [Текст] / Б. А. Володин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 1. - С. 82-85 : рис. - Библиогр.: c. 85 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 34.64
Рубрики: Машиностроение
   Соединения деталей машин

Кл.слова (ненормированные):
защита от загрязнений -- защитные экраны -- маски ЭУФ-нанолитографа -- проекционная ЭУФ-литография -- сверхтонкие пленки -- экстремальное ультрафиолетовое излучение
Аннотация: Продемонстрирована возможность изготовления сверхтонких свободновисящих пленок с повышенной прозрачностью на рабочей длине волны 13. 5 нм для применения в качестве защитного экрана маски в установках проекционной ЭУФ-литографии. Изготовлены и изучены образцы пленок толщиной 25-50 нм с апертурой до 80 мм нескольких видов: многослойные тонкопленочные структуры Mo/NbSi[2], Mo/ZrSi[2] и Si с пропусканием 84-86% на длине волны 13. 5 нм. Достигнутые результаты дают основания надеяться, что развитие методики изготовления свободновисящих сверхтонких пленок позволит удовлетворить требованиям, предъявляемым к защитному экрану.


Доп.точки доступа:
Володин, Б. А.; Клюенков, Е. Б.; Лопатин, А. Я.; Лукьянов, А. Ю.; Лучин, В. И.; Пестов, А. Е.; Салащенко, Н. Н.; Цыбин, Н. Н.; Шмаенок, Л. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 02.09.2024
Число запросов 64004
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)