Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=прецизионное профилирование<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Пустовит, А. Н.
Прецизионное профилирование по глубине структур наноэлектроники с использованием вторичных молекулярных ионов в методе ВИМС [Текст] / А. Н. Пустовит, А. Ф. Вяткин // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1095-1098. - Библиогр.: с. 1098 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.534

^a620.186

ББК 22.338 + 30.3
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
   Техника
   Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
ванн-дер-ваальсовое межатомное взаимодействие -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- вторичные молекулярные ионы -- наноэлектроника -- прецизионное профилирование -- разрешающая способность -- эффект стенок кратера
Аннотация: Предложен способ улучшения профилирования по глубине метода вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) с помощью регистрации вторичных молекулярных ионов. Исследования нанометровых структур SiGe и AlGaAs, а также Si, легированного ионами бора с энергией 5 кэВ, показали увеличение разрешения по глубине метода ВИМС при регистрации вторичных молекулярных ионов. Обсуждается физическая модель, согласно которой, определяющим разрешение параметром является энергия диссоциации молекулярных ионов.

Доп.точки доступа:
Вяткин, А. Ф.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	72459
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)