Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=подложки кремния<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587. . - Библиогр.: c. 1587 (21 назв. )
УДК
ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электровакуумные приборы

Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- электрическая однородность -- фотолюминесценция -- подложки кремния -- метод МОГФЭ -- сложные буферные слои -- пленки GaN
Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала.


Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Хрыкин, О. И.; Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия [Текст] / О. Н. Сергеева, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2379-2384 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (24 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.

Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- вицинальные поверхности -- доклады -- карбид кремния -- конференции -- нитрид алюминия -- пироэлектрический эффект -- подложки кремния -- пьезоэлектрический эффект -- тонкие слои
Аннотация: Исследуются диэлектрические и полярные свойства тонких пленок нитрида алюминия, эпитаксиально выращенных на различно ориентированных кремниевых подложках p-типа проводимости с буферным подслоем карбида кремния, а также на вицинальных плоскостях.


Доп.точки доступа:
Сергеева, О. Н.; Солнышкин, А. В.; Киселев, Д. А.; Ильина, Т. С.; Кукушкин, С. А.; Шарофидинов, Ш. Ш.; Каптелов, Е. Ю.; Пронин, И. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 20.08.2024
Число запросов 32131
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)