Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=напряжения несоответствия<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Фазовые сверхструктурные переходы на начальной стадии эпитаксильного роста Ge на Si (111) [Текст] / С. А. Тийс [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 8. - С. 1116-1119. . - Библиогр.: c. 1119 (7 назв. )

УДК

^a539.261

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
напряжения несоответствия -- пластическая релаксация -- сверхструктурные переходы -- сканирующая туннельная микроскопия -- фазовые переходы -- эпитаксильный рост
Аннотация: С помощью сканирующей туннельной микроскопии на поверхности островков Ge на Si (111) экспериментально обнаружены поверхностные фазовые переходы 7 х 7 - 5 х 5 у двумерных, а также с2 х 8 - 7 х 7 и 7 х 7 - с2 х 8 у трехмерных островков. Первые два перехода обусловлены увеличением уровня напряжений несоответствия, а последний - их уменьшением при пластической релаксации.

Доп.точки доступа:
Тийс, С. А.; Труханов, Е. М.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гуткин, М. Ю.
Начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем образования призматических дислокационных петель в композитных наноструктурах GaN-Ga[2]O[3] [Текст] / М. Ю. Гуткин, А. М. Смирнов // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 8. - С. 1558-1567 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (51 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
дислокационные петли -- композитные наноструктуры -- наноструктуры -- напряжения несоответствия -- призматические дислокационные петли -- релаксация напряжений несоответствия
Аннотация: Рассмотрены начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем зарождения прямоугольных призматических дислокационных петель в модельных композитных наноструктурах, представляющих собой сферические или цилиндрические оболочки GaN, выращенные на сплошных или полых ядрах beta-Ga[2]O[3].

Доп.точки доступа:
Смирнов, А. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах alpha-Ga[2]O[3]/alpha-Al[2]O[3] при образовании дислокаций несоответствия [Текст] / А. М. Смирнов, А. В. Кремлева, Ш. Ш. Шарофидинов [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 6. - С. 788-795 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (33 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- дислокации несоответствия -- напряжения несоответствия -- оксид галлия -- полупроводники -- релаксация напряжений несоответствия -- сапфиры -- широкозонные полупроводники
Аннотация: Предложена теоретическая модель релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах alpha-Ga[2]O[3]/alpha-Al[2]O[3] типа пленка/подложка с учетом анизотропии кристаллических решеток материалов гетероструктуры.

Доп.точки доступа:
Смирнов, А. М.; Кремлева, А. В.; Шарофидинов, Ш. Ш.; Бугров, В. Е.; Романов, А. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 17.08.2024
Число запросов	144004
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)