Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=молекулярно-пучковая эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Кинетические уравнения и рост нанокристаллов в методах молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Ю. В. Трушин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 991-994. . - Библиогр.: c. 994 (8 назв. )

УДК

^a537.534.7

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
компьютерное моделирование -- нанокластеры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- кинетические уравнения -- эпитаксиальный рост -- закономерности эволюции
Аннотация: В статье методами компьютерного моделирования исследовались процессы зарождения и роста нанокластеров GaN, Ge, InAs в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии (обычной и сопровождаемой облучением ионами азота).

Доп.точки доступа:
Трушин, Ю. В.; Куликов, Д. В.; Сафонов, К. Л.; Раушенбах, Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Исследование осажденных слоев Ge и C на подложке кремния с помощью ВИМС-профилирования [Текст] / В. С. Харламов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 262-265. - Библиогр.: c. 265 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.971

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
баллистические процессы -- ВИМС-профилирование -- диффузионные процессы -- ионное травление -- карбид кремния -- компьютерное моделирование -- кремниевые технологии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- осаждение атомов германия -- осаждение атомов углерода -- поверхности -- распределение атомных компонент по глубине
Аннотация: Проведено экспериментальное и теоретическое исследование структур, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при осаждении атомов углерода и/или германия на поверхность (111) кремния. Экспериментальные профили распределения компонент по глубине получены при помощи ВИМС-профилирования, а расчетные - с применением комплексного метода компьютерного моделирования, учитывающего диффузионные и баллистические процессы.

Доп.точки доступа:
Харламов, В. С.; Куликов, Д. В.; Трушин, Ю. В.; Надер, Р.; Мазри, П.; Штауден, Т.; Пецольдт, Й.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Садофьев, Ю. Г.
Кремний-германиевые наноструктуры с высоким содержанием германия [Текст] / Ю. Г. Садофьев, В. П. Мартовицкий, М. А. Базалевский // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 1. - С. 49-53. - Библиогр.: c. 53 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.971

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- кремний-германиевые наноструктуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- оже-спектроскопия -- рентгеновская дифрактометрия -- твердые растворы
Аннотация: Рассмотрено влияние условий зарождения на качество эпитаксиальных слоев германия и твердых растворов GeSi с высокой мольной долей германия, выращенных на кремниевых пластинах ориентации (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены сверхрешетки Ge[x]Si[1-x]/Ge, выращенные на релаксированном буферном слое Ge[y]Si[1-y] (x > y). Рентгеновская дифрактометрия, атомно-силовая микроскопия и оже-спектроскопия использованы в качестве основных методов исследования свойств выращенных структур.

Доп.точки доступа:
Мартовицкий, В. П.; Базалевский, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Р. Р. Резник [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
GaN -- SiC/Si (111) -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- нанокристаллы GaN -- нитевидные нанокристаллы -- оптические свойства -- подложка SiC/Si (111) -- эпитаксия
Аннотация: Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния.

Доп.точки доступа:
Резник, Р. Р.; Котляр, К. П.; Илькив, И. В.; Сошников, И. П.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Никитина, Е. В.; Цырлин, Г. Э.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота [Текст] / С. Н. Тимошнев, А. М. Мизеров, Г. В. Бенеманская [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2294-2297 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.
Кл.слова (ненормированные):
азот -- доклады -- конференции -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- нитрид галлия -- плазменная активация -- структура валентной зоны -- фотоэлектронная спектроскопия
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электронных и фотоэмиссионных свойств эпитаксиального слоя GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке SiC/Si (111).

Доп.точки доступа:
Тимошнев, С. Н.; Мизеров, А. М.; Бенеманская, Г. В.; Кукушкин, С. А.; Буравлев, А. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Разработка дизайна сверхмногопериодных излучающих структур терагерцевого диапазона, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Л. Г. Герчиков, А. С. Дашков, Л. И. Горай, А. Д. Буравлев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2021. - Т. 160, вып. 2. - С. 197-205. - Библиогр.: с. 205 (35 назв.) . - ISSN 0044-4510

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
СМП-структуры -- ТГц-излучение -- источники излучения -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- сверхмногопериодные структуры -- синтез СМП-структур -- терагерцевое излучение
Аннотация: Разработан дизайн источника терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешетки AlGaAs/GaAs, получаемой методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Рассчитаны коэффициент усиления и уровень оптических потерь и определены параметры источника, при которых возможна генерация ТГц-излучения. Исследовано резонансное поведение коэффициента усиления, обусловленное сильным перемешиванием туннельно-связанных электронных состояний.

Доп.точки доступа:
Герчиков, Л. Г.; Дашков, А. С.; Горай, Л. И.; Буравлев, А. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	125020
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)