Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=металлоорганическая газофазная эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Количественный анализ элементного состава и концентрации электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным каналом методами ВИМС и C-V-профилирования [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 250-254. - Библиогр.: с. 254 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.23:541.51

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
C-V-профилирование -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- гетероструктуры AlGaN/GaN -- двумерные электронные каналы -- дельта-легированные гетероструктуры -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- элементный состав
Аннотация: Проведено исследование элементного состава и концентрации электронов в серии дельта-легированных гетероструктур. Проведено исследование элементного состава и концентрации электронов в серии дельта-легированных гетероструктур Al[X]Ga[1-X]N/GaN с двумерным электронным каналом. Сочетанием методов ВИМС и C-V-профилирования показано разделение электронного канала и легирующей примеси Si. с двумерным электронным каналом. Сочетанием методов ВИМС и C-V-профилирования показано разделение электронного канала и легирующей примеси Si.

Доп.точки доступа:
Дроздов, М. Н.; Востоков, Н. В.; Данильцев, В. М.; Демидов, Е. В.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Рост и свойства пленок GaAs, GaN и низкоразмерных структур GaAs/QWs InGaAs на подложках Si с буферным слоем Ge [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1153-1157. - Библиогр.: c. 1157 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
вторичная ионная масс-спектрометрия -- квантовые ямы -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- метод МОГФЭ -- монокристаллические пленки -- низкоразмерные структуры -- фотолюминесценция -- химическое газовое осаждение
Аннотация: Найдены условия получения методом химического газового осаждения с горячей проволокой (HW-CVD) при низкой температуре (350 град. С) зеркально гладких, однородных по площади буферных слоев Ge на подложках Si (100) и (111). Методом МОГФЭ при пониженном давлении на новых буферных слоях получены монокристаллические однородные гладкие пленки GaN и GaAs, а также низкоразмерные структуры GaAs/QW InGaAs/GaAs/QWInGaAs/GaAs/Ge/Si. Установлено, что квантовые ямы имеют интенсивную фотолюминесценцию, сравнимую по интенсивности с полученными на подложках GaAs.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Звонков, Б. Н.; Бузынин, А. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	62862
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)