Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=карбид кремния<.>)

Общее количество найденных документов : 57
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-57

Лучинин, Виктор.
Отечественный полупроводниковый карбид кремния: шаг к паритету [Текст] / Виктор Лучинин, Юрий Таиров // Современная электроника. - 2009. - N 7. - С. 12-15. : 9 рис. - Библиогр.: с. 6 (15 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Россия
Электроника в целом--Россия
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксиальные композиции -- карбид кремния -- карбидокремниевая электроника -- полупроводниковая промышленность -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые материалы
Аннотация: История создания и развития отечественного метода производства перспективного материала для полупроводниковой промышленности и специальной техники.

Доп.точки доступа:
Таиров, Юрий

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Новая профилированная керамика на основе карбида кремния [Текст] / К. Н. Филонов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С. 1460-1462 : Рис. - Библиогр.: c. 1462 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a666.3-13

ББК 35.43
Рубрики: Химическая технология
Стекло и стеклоизделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- карбидокремниевая керамика -- механическая прочность -- профилированная керамика -- радиационная устойчивость -- теплопроводность -- химическая инертность -- твердость
Аннотация: Разработаны способы получения профилированных изделий из многофункциональной и недорогой карбидокремниевой керамики, которые основаны на взаимодействии расплава кремния с углеродом, находящимся в заранее скомпонованной заготовке определенного состава (углерод, карбид кремния, органическая связка) и пористости.

Доп.точки доступа:
Филонов, К. Н.; Курлов, В. Н.; Классен, Н. В.; Самойлов, В. М.; Водовозов, А. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Лазерный метод формирования ионно-легированных структур на карбиде кремния [Текст] / В. Ю. Фоминский [ и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 4. - С. 29-38 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лазерная ионная имплантация -- ионная имплантация -- карбид кремния -- численное моделирование -- метод частиц в ячейках
Аннотация: Предложена методика высокоэнергетической имплантации Pt в монокристаллические пластины n-SiC при формировании ионного пучка из импульсной лазерной плазмы под воздействием внешнего импульсного электрического поля.

Доп.точки доступа:
Фоминский, В. Ю.; Гнедовец, А. Г.; Романов, Р. И.; Кошманов, В. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Костикова, К. П.
Закономерности микропластической деформации монокристаллов SIC: 6H при индентировании [Текст] / К. П. Костикова, А. С. Артемов, В. П. Алехин // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 4. - С. 64-68 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- монокристаллы карбида кремния -- карбид кремния -- карбид -- кремний -- индентирование -- пластическая деформация -- микросколы -- точечные дефекты -- нарушенный слой
Аннотация: Методом индентирования пирамидой Виккерса при нагрузках P=0, 01-2, 5 H изучены особенности микропластической деформации поверхности ( 0001) кристаллов SiC: 6H, прошедших полировку алмазными порошками, после отжига при различных температурах.

Доп.точки доступа:
Артемов, А. C.; Алехин, В. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Исследование осажденных слоев Ge и C на подложке кремния с помощью ВИМС-профилирования [Текст] / В. С. Харламов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 262-265. - Библиогр.: c. 265 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.971

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
баллистические процессы -- ВИМС-профилирование -- диффузионные процессы -- ионное травление -- карбид кремния -- компьютерное моделирование -- кремниевые технологии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- осаждение атомов германия -- осаждение атомов углерода -- поверхности -- распределение атомных компонент по глубине
Аннотация: Проведено экспериментальное и теоретическое исследование структур, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при осаждении атомов углерода и/или германия на поверхность (111) кремния. Экспериментальные профили распределения компонент по глубине получены при помощи ВИМС-профилирования, а расчетные - с применением комплексного метода компьютерного моделирования, учитывающего диффузионные и баллистические процессы.

Доп.точки доступа:
Харламов, В. С.; Куликов, Д. В.; Трушин, Ю. В.; Надер, Р.; Мазри, П.; Штауден, Т.; Пецольдт, Й.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Обжерин, Е.
Силовые модули на карбиде кремния компании Infineon [Текст] / Е. Обжерин // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2009. - N 7. - С. 22-24 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
силовые модули -- карбид кремния -- компании -- силовая электроника -- теплопроводность
Аннотация: С момента появления технологии SiC-диодов интерес к ней не угасает. SiC обладает великолепным сочетанием свойств для применения в приборах силовой электроники: работает при высоких (свыше 500 С) температурах, имеет высокую теплопроводность 3-5 Вт/см град. и большие плотности рабочих токов до 1000 А/см2. Карбид кремния демонстрирует намного более высокое пробивное напряжение по сравнению с традиционно используемым кремнием, что позволяет создавать более компактные приборы с улучшенными параметрами.

Доп.точки доступа:
Infineon, компания

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Применение ионных пучков для исследования углерод-керамического композита [Текст] / В. С. Авилкина [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 6. - С. 10-14.

УДК

^a621.039.6

ББК 34.1
Рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Кл.слова (ненормированные):
углерод-керамические композиты -- микроструктура композитов -- высокодозовое ионное облучение -- ионно-электронная эмиссия -- карбид кремния -- нитрид кремния -- распыление композитов -- имплантация композитов
Аннотация: Методами оптической и растровой электронной микроскопии и энергодисперсионного анализа изучено ионно-лучевое травление поверхности углерод-керамического композита при бомбардировке ионами Ar и изменение состава поверхностного слоя при имплантации атомарными и молекулярными ионами азота. Показано, что имплантированный азот внедряется, в основном, в кремнийсодержащие структурные составляющие композита, а его концентрация в модифицированном слое может достигать 50 ат. %. Ионное распыление является эффективным методом травления поверхности композита для анализа микроструктуры.

Доп.точки доступа:
Авилкина, В. С.; Андрианова, Н. Н.; Борисов, А. М.; Виргильев, Ю. С.; Куликаускас, В. С.; Машкова, Е. С.; Тимофеев, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Миллс, Г.
Карбид кремния для российской промышленности [Текст] : компания CREE приходит в Россию / Г. Миллс ; Беседу вел И. Шахнович // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2010. - N 8. - С. 4-6.

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- SiC -- компании -- интервью -- технологические материалы -- эпитаксиальные структуры
Аннотация: Интервью с менеджером компании Г. Миллсом посвящено поставкам в Россию технологических материалов - подложек SiC и эпитаксиальных структур на их основе.

Доп.точки доступа:
Шахнович, И. \.\; CREE, компания
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Каныгина, О. Н.
Структурные превращения при активированном спекании керамического композиционного материала [Текст] / О. Н. Каныгина, А. Г. Четверикова // Материаловедение. - 2011. - N 6. - С. 44-50.

УДК

^a620.1/.2

ББК 30.3
Рубрики: Техника
Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
керамика -- композиты -- керамические композиционные материалы -- карбид кремния -- армирование -- фазовые превращения -- композиционные керамические материалы
Аннотация: Исследован композиционный керамический материал (ККМ) на основе кремнеземистой глины и частиц карбида кремния. Установлены доминирующие факторы, влияющие на структуру керамического композиционного материала. Изучены теплофизические процессы, определяющие фазовые превращения и эволюцию мезоструктуры в ККМ. Предложены модели мезоячеек в ККМ, объясняющие особенности их структуры и свойств.

Доп.точки доступа:
Четверикова, А. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Особенности формирования тонкопленочных слоев металлооксида в газо-сенсорной структуре Pt/WOx/SiC методом импульсного лазерного осаждения [Текст] / В. Ю. Фоминский [и др.] // Перспективные материалы. - 2011. - № 2. - С. 5-16 : 6 рис. - Библиогр.: с. 16 (20 назв. ) . - ISSN 1028-978Х

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
оксид вольфрама -- тонкие пленки -- реактивное импульсное лазерное осаждение -- сенсор водорода -- карбид кремния -- наноструктура -- микроструктура
Аннотация: Исследовано влияние режимов реактивного импульсного лазерного осаждения (ИЛО) тонких пленок WO[x] на сенсорные свойства структуры металл – оксид – карбид кремния, потенциально применимой для мониторинга взрывоопасных, в частности водорода, и экологически вредных газов при повышенных температурах.

Доп.точки доступа:
Фоминский, В. Ю.; Романов, Р. И.; Неволин, В. Н.; Гнедовец, А. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

11.

Брудный, В. Н.
Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастотных расчетов в рамках GW-приближения [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 6. - С. 1183-1189 : табл. - Библиогр.: с. 1188-1189 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- GW-приближение -- электронная структура -- уровень локальной электронейтральности -- политипы SiC -- SiC -- квазичастотные расчеты
Аннотация: С использованием GW-приближения для собственной энергии квазичастиц рассчитаны важнейшие межзонные переходы и положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) для политипов карбида кремния 3C-SiC и nH-SiC (n=2-8).

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Изучение процесса эрозии углеродных волокон различного типа расплавом кремния [Текст] / А. А. Галигузов [и др.] // Химические волокна. - 2012. - № 2. - С. 28-31. - Библиогр.: с. 31 (15 назв. ) . - ISSN 0023-1118

УДК

^a677.5

ББК 35.738
Рубрики: Химическая технология
Химические волокна специального назначения
Кл.слова (ненормированные):
химические волокна -- углеродные волокна -- обработка волокон -- предварительная обработка -- эрозия волокон -- процессы эрозии -- степени эрозии -- определение степеней эрозии -- пропитка волокон -- жидкофазные пропитка -- композиционные материалы -- кремний -- карбид кремния -- расплавы кремния
Аннотация: С целью определения степени эрозии углеродных волокон под действием расплава кремния проведена жидкофазная пропитка волокон различных типов. Исследована зависимость толщины слоя карбида кремния на поверхности волокна от температуры предварительной обработки волокон.

Доп.точки доступа:
Галигузов, А. А.; Кенигфест, А. М.; Малахо, А. П.; Селезнев, А. Н.; Авдеев, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на кремнии, полученных магнетронным и ионно-лучевым распылением мишени [Текст] / И. К. Бейсембетов [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - № 4. - С. 30-35 : табл., рис. - Библиогр.: c. 34 (19 назв. ) . - ISSN 2225-0999

УДК

^a539.2

^a537

ББК 22.37 + 22.33
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
двухкомпонентные мишени -- ионно-лучевое распыление -- карбид кремния -- кремний -- магнетронное распыление -- наноразмерные пленки -- наноразмерные пленки карбида кремния -- наноразмерные пленки углерода -- пленки beta-SiC -- распыление мишеней -- углерод -- углеродные пленки
Аннотация: Исследована структура наноразмерных алмазоподобных углеродных пленок, полученных на поверхности кремния методом магнетронного распыления графита и пленки beta-SiC, полученной путем синтеза при ионно-лучевом распылении двухкомпонентной мишени кремния и графита; проведено математическое моделирование, результаты которого согласуются с экспериментальными.

Доп.точки доступа:
Бейсембетов, И. К.; Нусупов, К. Х.; Бейсенханов, Н. Б.; Жариков, С. К.; Кенжалиев, Б. К.; Ахметов, Т. К.; Ивлев, Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

14.

Латухина, Н.
Новые перспективы старых материалов: кремний и карбид кремния [Текст] / Н. Латухина, В. Чепурнов, Г. Писаренко // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2013. - № 4. - С. 104-110 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- пористый кремний -- карбид кремния -- физико-химические свойства -- кристаллические решетки -- искусственная сетчатка глаза
Аннотация: Один из перспективных полупроводниковых материалов – пористый кремний (ПК), который обладает уникальными физико-химическими свойствами и в то же время является одним из самых распространенных материалов в природе. В статье рассмотрено применение ПК для построения ФЭП и искусственной сетчатки глаза, а также в гетероструктурах карбид кремния на кремнии, что позволяет решить проблему согласования кристаллических решеток гетеропары и улучшить качество структур.

Доп.точки доступа:
Чепурнов, В.; Писаренко, Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

15.

Формирование и структура наноразмерного слоя карбида кремния на кремнии при имплантации ионов углерода высоких доз [Текст] / И. К. Бейсембетов [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2013. - Т. 4, № 2. - С. 36-42. - Библиогр.: c. 41 . - ISSN Наноматер

УДК

^a537.311.33

^a620.1/.2

ББК 22.379 + 30.3
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Материаловедение
   Техника
Кл.слова (ненормированные):
ИК-спектроскопия -- имплантация -- ионы углерода -- карбид кремния -- кремний -- наноразмерные пленки -- наноразмерные слои карбида кремния -- рентгеновская рефлектометрия
Аннотация: Рассмотрено изменение состава поверхности монокристаллического кремния при высокодозовой имплантации углерода с образованием структуры карбида кремния в приповерхностном слое. Методом рентгеновской рефлектометрии определен состав, плотность и толщина образованных наноразмерных пленок SIC_0, 7 и SIC_0, 9.

Доп.точки доступа:
Бейсембетов, И. К.; Нусупов, К. Х.; Бейсенханов, Н. Б.; Жариков, С. К.; Кенжалиев, Б. К.; Ахметов, Т. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Кох, П.
Выключить свет – включить мини-прожектор [Текст] / П. Кох // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2014. - № 3. - С. 60-63 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- полупроводники -- полупроводниковые соединения -- техническая керамика -- электроэнергия
Аннотация: Рассматриваются перспективные области применения, где возлагаются большие надежды на карбид кремния – старый материал, открытый заново.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

17.

Гольцова, М.
Силовая полупроводниковая электроника. Многообещающие технологии становятся реальностью [Текст] / М. Гольцова // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2014. - № 4. - С. 54-70 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- нитрид галлия -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые соединения -- силовая полупроводниковая электроника -- теплопроводность
Аннотация: По мере достижения кремниевыми силовыми компонентами теоретических пределов популярными становятся приборы на основе полупроводниковых соединений с большой шириной запрещенной зоны, высокими теплопроводностью и напряженностью поля пробоя. Это – карбид кремния и нитрид галлия. Состояние и перспективы развития этих приборов рассмотрены в статье.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

18.

Гольцова, М.
Международной конференции IEDM 60 лет. Кремниевая технология достигла предела или у нее есть будущее? [Текст] / М. Гольцова // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2015. - № 2. - С. 48-60 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
КМОП-технологии -- карбид кремния -- конференции -- международные конференции -- полупроводниковые технологии -- силовая электроника -- электронная промышленность
Аннотация: На конференции были рассмотрены вопросы развития ключевой полупроводниковой технологии.

Доп.точки доступа:
IEDM, международная конференция

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

19.

Кузеванов, В. С.
Оптимизация процесса плавки карбида с целью повышения ее производительности и снижения расхода электроэнергии [Текст] / В. С. Кузеванов, С. С. Закожурников, А. Б. Горяев // Промышленная энергетика. - 2015. - № 6. - С. 29-33. - Библиогр.: с. 33 (4 назв.) . - ISSN 0033-1155

УДК

^a661.13

ББК 35.35
Рубрики: Химическая технология
Электрохимические производства
Кл.слова (ненормированные):
Аррениуса уравнение -- интегральные функции -- карбид кремния -- карборунд -- математические модели -- плавильные печи -- уравнение Аррениуса -- экономия электроэнергии -- электропечи сопротивления
Аннотация: Представлена модель расчета выхода продукта плавильной печи по производству карбида кремния. В ходе экспериментов, а также на основе аппроксимирующих соотношений получены поля температур. Выявлена аналитическая зависимость количества произведенной в ходе плавки продукции от изменяющихся во времени этих полей в зоне плавки. Эффект от применения представленной модели на практике заключается в снижении удельных расходов электроэнергии, повышении производительности технологического процесса и удешевлении производства карбида кремния.

Доп.точки доступа:
Закожурников, С. С.; Горяев, А. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

20.

Брыкин, А.
Электроконденсационный метод синтеза кремния, углерода и карбида кремния [Текст] / А. Брыкин, А. Артемов, Д. Арсеньева // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2015. - № 4. - С. 74-79 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- кремний -- наноструктуры -- синтез кремния -- углерод -- экологические показатели -- электроконденсационный метод
Аннотация: В статье рассмотрены особенности электроконденсационного метода синтеза кремния, углерода и карбида кремния, не требующего сложного и дорогостоящего оборудования и позволяющего снизить затраты, улучшить экологические показатели и безопасность производства. Проводится сравнение с другими известными способами получения этих материалов.

Доп.точки доступа:
Артемов, А.; Арсеньева, Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

1-20 21-40 41-57

Тематический навигатор

Статистика за 18.08.2024
Число запросов	88677
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)