Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=гетероструктуры AlGaN/GaN<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Эмиссия терагерцевого излучения из селективно легированных гетероструктур AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов электрическим полем [Текст] / В. А. Шалыгин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 236-239. - Библиогр.: c. 239 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a535.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры AlGaN/GaN -- двумерные электроны -- латеральное электрическое поле -- легированные гетероструктуры -- модель теплового излучения горячих двумерных электронов -- теоретические модели -- терагерцевое излучение
Аннотация: Исследована эмиссия терагерцевого излучения из гетероструктуры AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов в латеральном электрическом поле. Полевая зависимость температуры горячих электронов определена на основании анализа экспериментальных вольт-амперных характеристик. Рассмотрена теоретическая модель теплового излучения горячих двумерных электронов и проведено сопоставление результатов расчета с экспериментом по эмиссии терагерцевого излучения.

Доп.точки доступа:
Шалыгин, В. А.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Софронов, А. Н.; Мелентьев, Г. А.; Винниченко, М. Я.; Лундин, В. В.; Николаев, А. Е.; Сахаров, А. В.; Цацульников, А. Ф.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Количественный анализ элементного состава и концентрации электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным каналом методами ВИМС и C-V-профилирования [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 250-254. - Библиогр.: с. 254 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.23:541.51

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
C-V-профилирование -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- гетероструктуры AlGaN/GaN -- двумерные электронные каналы -- дельта-легированные гетероструктуры -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- элементный состав
Аннотация: Проведено исследование элементного состава и концентрации электронов в серии дельта-легированных гетероструктур. Проведено исследование элементного состава и концентрации электронов в серии дельта-легированных гетероструктур Al[X]Ga[1-X]N/GaN с двумерным электронным каналом. Сочетанием методов ВИМС и C-V-профилирования показано разделение электронного канала и легирующей примеси Si. с двумерным электронным каналом. Сочетанием методов ВИМС и C-V-профилирования показано разделение электронного канала и легирующей примеси Si.

Доп.точки доступа:
Дроздов, М. Н.; Востоков, Н. В.; Данильцев, В. М.; Демидов, Е. В.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	70430
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)