Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=быстрые тяжелые ионы<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Наноструктуры систем Si/SiO[2]/металл с треками быстрых тяжелых ионов [Текст] / С. Е. Демьянов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 9. - С. 1262-1264. : рис. - Библиогр.: c. 1264 (5 назв. )

УДК

^a537.311.322:621.763

ББК 22.332
Рубрики: Физика
Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
система Si/SiO[2]/металл -- наноструктуры -- быстрые тяжелые ионы -- химическое травление -- ионные треки -- электрохимическое осаждение -- диоксид кремния -- селективность
Аннотация: С помощью технологии быстрых тяжелых ионов, включающей облучение ионами {197}Au{26+}, химическое травление ионных треков и подпотенциальное электрохимическое осаждение, подготовлены и изучены структуры на основе систем SiO[2]/n-Si и SiO[2]/p-Si, с нанопорами в слоях диоксида кремния, заполненными наночастицами Cu и Ni.

Доп.точки доступа:
Демьянов, С. Е.; Канюков, Е. Ю.; Петров, А. В.; Белоногов, Е. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Особенности создания центров окраски при отжиге кристаллов LiF, облученных ионами Kr с энергией 150 МэВ [Текст] / А. Т. Акилбеков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 6. - С. 738-742. - Библиогр.: c. 742 (28 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.039.54:539.37.19

ББК 31.46
Рубрики: Энергетика
Ядерные реакторы
Кл.слова (ненормированные):
быстрые тяжелые ионы -- кристаллы LiF -- облучение ионами Kr -- термический отжиг -- центры окраски
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние термических отжигов на F- и F[n]-центры окраски для кристаллов LiF, облученных ионами Kr с энергией 150 МэВ, в зависимости от флюенсов и ионных токов. Установлено, что отжиг при температуре 400 K для кристаллов, облученных флюенсом > или равно10{13} ион/см{2}, приводит к уменьшению F-центров (за счет аннигиляции с H-центрами) и к увеличению комплексных F[n]-центров.

Доп.точки доступа:
Акилбеков, А. Т.; Русакова, А. В.; Даулетбекова, А. К.; Колобердин, М. В.; Байжуманов, М. Ж.; Здоровец, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 01.07.2024
Число запросов	41514
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)