Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=буферные слои<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.


   
    Гетероэпитаксиальные пленки соединений A{III}B{V} на подложках и буферных слоях фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 511-516. . - Библиогр.: c. 516 (10 назв. )
УДК
ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электровакуумные приборы

Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- многослойные структуры -- фотолюминесценция -- вторично-ионная миасс-спектроскопия -- метод МОГФЭ -- буферные слои -- пленки GaN -- фианит -- растровая электронная микроскопия
Аннотация: На фианитовых подложках методом МОГФЭ получены эпитаксильные пленки GaAs, GaSb, AlGaAs и InGaAs, а также многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для PHEMT-полевых транзисторов.


Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Парафин, А. Е.; Мурель, А. В.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Фианит - многофункциональный материал электроники [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1068-1075. : Рис. - Библиогр.: c. 1075 (19 назв. )
УДК
ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электровакуумные приборы

Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- диэлектрические материалы -- защитные покрытия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- метод плазмостимулированной молекулярно-лучевой эпитаксии -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Фианит, или иттрием (гафнием) стабилизированная двуокись циркония (YSZ), обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в различных областях техники. В статье рассматриваются применения фианита в электронике в качестве монолитной подложки и буферного слоя для эпитаксии соединений A{II}IB{V}, а также в качестве просветляющего и защитного покрытия фотоприемников и солнечных элементов.


Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Бузынин, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Тришенков, М. А.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


   
    Экспериментальное наблюдение перемещения краевых дислокаций в гетероструктурах Ge / Ge[x]Si[1-x] / Si(001) (x=0.2-0.6) [Текст] / Ю. Б. Болховитянов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2016. - Т. 150, вып. 5. - С. 955-962. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- гетероструктуры -- дислокации -- дислокации краевого типа -- дислокационная структура -- дислокационные взаимодействия -- краевые дислокации -- молекулярная эпитаксия -- перемещения в гетероструктурах -- экспериментальные наблюдения -- электронная микроскопия
Аннотация: Методом высокоразрешающей электронной микроскопии с атомным разрешением исследованы краевые дислокации в гетероструктурах.


Доп.точки доступа:
Болховитянов, Ю. Б.; Гутаковский, А. К.; Дерябин, А. С.; Соколов, Л. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


   
    Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния [Текст] / В. В. Антипов [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 3. - С. 499-504 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. (20 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- кадмий -- карбид кремния -- кремний -- пленки селенида кадмия -- селенид кадмия
Аннотация: Методом испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме впервые выращен эпитаксиальный кубический селенид кадмия толщиной 350 nm на кремнии.


Доп.точки доступа:
Антипов, В. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Рубец, В. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


   
    Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001) [Текст] / Ю. Б. Болховитянов [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 2. - С. 284-287 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (21 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.372
Рубрики: Физика
   Механические и акустические свойства монокристаллов

Кл.слова (ненормированные):
GeSi -- буферные слои -- гетероструктуры -- дислокационные пары -- краевые дислокации -- пленка Ge
Аннотация: В гетероструктурах (ГС) Ge/LTGe/GeSi/Si (001) буферный слой GeSi в определенном диапазоне параметров и режимов их роста остается псевдоморфным, в то время как пленка Ge полностью релаксирована за счет сетки краевых дислокаций, расположенной на границе раздела Ge/GeSi.


Доп.точки доступа:
Болховитянов, Ю. Б.; Гутаковский, А. К.; Дерябин, А. И.; Соколов, Л. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


   
    Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия [Текст] / О. Н. Сергеева, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2379-2384 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (24 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.

Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- вицинальные поверхности -- доклады -- карбид кремния -- конференции -- нитрид алюминия -- пироэлектрический эффект -- подложки кремния -- пьезоэлектрический эффект -- тонкие слои
Аннотация: Исследуются диэлектрические и полярные свойства тонких пленок нитрида алюминия, эпитаксиально выращенных на различно ориентированных кремниевых подложках p-типа проводимости с буферным подслоем карбида кремния, а также на вицинальных плоскостях.


Доп.точки доступа:
Сергеева, О. Н.; Солнышкин, А. В.; Киселев, Д. А.; Ильина, Т. С.; Кукушкин, С. А.; Шарофидинов, Ш. Ш.; Каптелов, Е. Ю.; Пронин, И. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.


   
    Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST [Текст] / М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 11. - С. 1895-1900 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
BST -- PZT -- МДМ-структуры -- буферные слои -- металл-диэлектрик-металл -- пленка BST -- сегнетоэлектрические пленки -- структуры металл-диэлектрик-металл -- электрофизические свойства
Аннотация: Представлены сравнительные результаты электрофизических свойств трех различных МДМ-структур: Pt/BST/Ni, Pt/PZT/Ni и Pt/PZT-BST/Ni.


Доп.точки доступа:
Афанасьев, М. С.; Белорусов, Д. А.; Киселев, Д. А.; Сивов, А. А.; Чучева, Г. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 20.07.2024
Число запросов 6824
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)