Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (4)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Новиков, В. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-13

Актуальные налоговые проблемы: взгляд с разных сторон [Текст] / В. Г. Князев [и др. ] // Финансы. - 2008. - N 8. - С. 30-37.

УДК

^a336

ББК 65.26
Рубрики: Экономика
Финансы в целом
Кл.слова (ненормированные):
налоговые проблемы -- налоговая политика -- налоги -- налоговая система -- налоговые отношения -- НДС -- налог на добавленную стоимость
Аннотация: В статье представлены взгляды специалистов и ученых на актуальные налоговые проблемы.

Доп.точки доступа:
Князев, В. Г. \.\; Новиков, В. А. \.\; Павлова, Л. П. \.\; Понкратов, В. В. \.\; Пансков, В. Г. \.\

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эк. (1)
Свободны: эк. (1)

Найти похожие

Детекторы гамма-излучений на основе GaAsCr для исследования наноструктур [Текст] / Г. И. Айзенштат [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 38-52. . - Библиогр.: c. 51-52 (62 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.857
Рубрики: Радиоэлектроника
Диэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
детекторы гамма-излучений на основе GaAsCr -- исследования наноструктур -- квантово-чувствительные детекторы -- рентгеновские гамма-излучения
Аннотация: Развитие нанотехнологий в значительной мере обусловлено созданием новых источников гамма-излучения и координатных детекторов нового поколения, призванных обеспечить как координатные, так и временные измерения в нано- и фемтоинтервалах. Представлены результаты разработки нового типа материала для детекторов гамма-излучений нового поколения. Решены научные и технические задачи, касающиеся создания детекторного материала и структур для регистрации единичных квантов рентгеновского и гамма-излучений и заряженных частиц высоких энергий. Созданы многоэлементные координатные детекторы нового поколения.

Доп.точки доступа:
Айзенштат, Г. И.; Будницкий, Д. Л.; Мокеев, Д. Ю.; Новиков, В. А.; Сыресин, Е. М.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Шелков, Г. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Время жизни носителей заряда в высокохромном GaAs, легированном диффузией хрома [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С. 84-88. - Библиогр.: с. 87-88 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.55/.58

^a537.311.33

ББК 31.232 + 22.379
Рубрики: Проводниковые материалы и изделия
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- диффузия хрома -- носители заряда -- полупроводники -- приемники ионизирующего излучения -- фотопроводимость монокристаллов -- фотоэлектрические свойства материалов
Аннотация: Использование высокоомного (ВО) GaAs для формирования прием ников ионизирующих излучений стимулирует исследования его физических свойств. Изучение фотоэлектрических свойств позволяет установить механизмы рекомбинации носителей заряда и особенности их транспорта в электрических полях, оценить времена жизни. В работе представлены результаты исследований Фотопроводимости и фотоэффекта Холла в высокоомном GaAs, легированном диффузией хрома. Установлено, что типичная люкс-амперная характеристика (ЛАХ) состоит из сверхлинейного и сублинейного участков. Изучено изменение холловской подвижности при освещении. Сделан ряд упрощений и оценены времена жизни электронов (тау n) и дырок (тау p) для высокого и низкого уровней возбуждения. Установлено, что тау p > тау n. Показано, что фотоэлектрические свойства ВО GaAs: Cr могут быть объяснены с помощью модели "искривленных" зон. Высказано предположение о трансформации потенциальных барьеров при фотовозбуждении.

Доп.точки доступа:
Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Толбанов, О. П.; Прудаев, Д. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Думать легко. Формулировать трудно [Текст] // Налоговая политика и практика. - 2010. - N 12 (96). - С. 4-6. : 3 фото. - Примеч. в подстроч. ссылках

ГРНТИ	06.73.15
УДК	^a336.0/.5

ББК 65.261
Рубрики: Экономика--Россия
Финансовая система
Кл.слова (ненормированные):
круглые столы -- налоговое законодательство -- налоги -- сборы -- судебная практика -- письменные разъяснения -- арбитражные суды -- налоговые правоотношения -- льготы по НДС -- налог на добавленную стоимость -- судоремонтные предприятия -- рыболовная отрасль -- ремонт морских судов -- освобождение от налогов
Аннотация: В Совете Федерации прошел "круглый стол" на тему "Вопросы применения норм законодательства Российской Федерации о налогах и сборах: разъяснения уполномоченных органов государственной власти и судебная практика". В мероприятии приняли участие члены Совета Федерации, депутаты Государственной Думы, руководители органов судебной власти, федеральных органов исполнительной власти и субъектов РФ.

Доп.точки доступа:
Новиков, В. А. (зам. председателя Комитета Совета Федерации по бюджету); Андреева, Т. К. (зам. Председателя Высшего Арбитражного Суда РФ); Комов, Н. А. (зам. директора Департамента налоговой и таможенно-тарифной политики РФ); Бушмин, Е. В.; Максимов, Н. С. (депутат Государственной Думы); Высший Арбитражный Суд РФ; Совет Федерации; Государственная Дума РФ; Комитет Совета Федерации по бюджету; Министерство финансов РФКруглый стол "Вопросы применения норм законодательства Российской Федерации о налогах и сборах: разъяснения уполномоченных органов государственной власти и судебная практика"; Вопросы применения норм законодательства Российской Федерации о налогах и сборах: разъяснения уполномоченных органов государственной власти и судебная практика, круглый стол
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Шакирзянов, Ф. Н.
Графен и фоторезистивный эффект [Текст] / Шакирзянов Ф. Н. // Электричество. - 2011. - N 1. - С. 65-66. . - Воспроизведен доклад: Фоторезистивный эффект в проводниках / Шакирзянов Ф. Н., Новиков В. А., Шакирзянов М. Ф. // Тр. VI Междунар. конф. по физико-техническим проблемам электротехнических материалов и компонентов : (ICEMC-2001). - Клязьма (Россия), 2001.

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков, 1974 г.; 2001 г.; 2010 г.
Кл.слова (ненормированные):
графен -- графитовая пленка -- доклады конференций -- нобелевские лауреаты -- Нобелевские премии -- проводники -- фоторезистивный эффект -- электрическое поле
Аннотация: Раскрывая суть открытия российских физиков Андрея Гейма и Константина Новоселова, за которое они были удостоены Нобелевской премии в 2010 году, автор излагает результаты экспериментального исследования фоторезистивного эффекта, обнаруженного Ф. Н. Шакирзяновым и В. А. Новиковым в 1974 году.

Доп.точки доступа:
Новиков, В. А.; Шакирзянов, М. Ф.; Гейм, А. К. (физик, лауреат Нобелевской премии); Новоселов, К. (физик, лауреат Нобелевской премии)

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Влияние материала подложки на свойства пленок оксида тантала [Текст] / В. М. Калыгина [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 12. - С. 83-88. . - Библиогр.: c. 87-88 (10 назв. )

УДК

^a621.315.6

ББК 31.234
Рубрики: Энергетика
Электроизолирующие материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические слои -- кислородная плазма -- оксид тантала -- пленки оксида тантала -- тангенс угла диэлектрических потерь
Аннотация: Исследовано влияние материала подложки на электрические характеристики пленок Ta[x]O[y], полученных ВЧ-магнетронным распылением мишени, изготовленной из оксида тантала. Установлено влияние кислородной плазмы на токи утечки, величину диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь тонких слоев (300-400 нм) Та[x]O[y]. Предложено использовать обработку пленок оксида тантала в кислородной плазме для управления их электрическими и диэлектрическими характеристиками.

Доп.точки доступа:
Калыгина, В. М.; Зарубин, А. Н.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Скакунов, М. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Назарчук, Ю. Н.
Исследование влияния размера локальной металлизации поверхности n-GaAs на картину распределения поверхностного потенциала, полученную методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 32-35. . - Библиогр.: c. 35 (10 назв. )

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- атомно-силовой микроскоп -- зонд Кельвина -- Кельвина зонд -- металлизация поверхностей -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод зонда Кельвина -- поверхностный потенциал
Аннотация: С использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) в варианте метода зонда Кельвина (МЗК) проведены исследования потенциала поверхности арсенида галлия GaAs с локально нанесенными на нее тонкими слоями золота. Полученные результаты показывают, что измеряемый потенциал в системе зонд - металл в целом соответствует ее контактной разности потенциалов (КРП).

Доп.точки доступа:
Новиков, В. А.; Торхов, Н. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs: Cr, создаваемом диффузией [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 2. - С. 100-102. . - Библиогр.: c. 102 (9 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- высокоомный GaAs: Cr -- диффузионный высокоомный GaAs -- оптическое поглощение -- хром
Аннотация: Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs: Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0, 5-1, 5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три типа образцов: легированные диффузией хрома в закрытой и открытой системах и легированные хромом при выращивании. Величина проводимости исследованных образцов составила примерно 10{-9} (Ом см) {-1}. Установлено, что концентрация хрома максимальна в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома в закрытой системе при Т = 1100 С: она примерно в два раза превышает N[Cr] в выращенном GaAs: Cr и достигает размера порядка 4 10{17}см{-3}. Высказано предположение об активации в процессе диффузии иных механизмов рекомбинации носителей заряда по сравнению с материалом, легированным хромом при выращивании, обеспечивающих возрастание времен жизни и высокую чувствительность диффузионного материала к воздействию ионизирующих излучений.

Доп.точки доступа:
Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Толбанов, О. П.; Яскевич, Т. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Новиков, В. А.
Неприкосновенность жилища: конституционные, уголовно-правовые и уголовно-процессуальные гарантии [Текст] / В. А. Новиков // Российская юстиция. - 2011. - N 10. - С. 16-19. . - Библиогр.: с. 19 (21 назв. )

УДК

^a343.2/.7

ББК 67.408
Рубрики: Право
Уголовное право в целом
Кл.слова (ненормированные):
неприкосновенность жилища -- незаконное проникновение в жилище -- осмотр жилища -- обыск -- выемка в жилище -- законодательное обеспечение
Аннотация: Статья посвящена проблеме охраны конституционного права человека на неприкосновенность жилища. Автором анализируются конституционные нормы, уголовное и уголовно-процессуальное законодательство. Показаны различные точки зрения ученых-юристов, занимающихся этой проблемой.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : к.п. (1)
Свободны: к.п. (1)

Найти похожие

10.

Фотовольтаический эффект в контакте металл - высокоомный GaAs:Cr [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С. 19-22 : рис. - Библиогр.: c. 22 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a631.3

ББК 40.7
Рубрики: Сельское хозяйство
Механизация и электрификация сельского хозяйства в целом
Кл.слова (ненормированные):
барьерные контакты металлов -- высокоомный GaAs -- контакты металлов -- фотовольтаический эффект
Аннотация: Представлены результаты исследований фотовольтаического эффекта в контактах ряда металлов с высокоомным GaAs: Cr. Высокоомный (ВО) GaAs был получен диффузией хрома в и-GaAs. В качестве металлов использованы V, Cr, Al. Для создания омических контактов применялся In. ФотоЭДС возбуждалась красным светом (hv = 1, 85 эВ), интенсивность возбуждения достигала 1, 5•10{21}см{-2}•с{-1}. Измерения фотоЭДС проведены при наличии несимметричных пар контактов к ВО-GaAs: V-In, Cr-In, Al-In. Показано, что V, Cr, Al образуют в контакте с высокоомным GaAs: Cr барьеры для электронов. Величина фотоЭДС исследованных контактов определяется инверсией типа проводимости приповерхностного слоя GaAs под металлическим контактом. Концентрация дырок в инверсном слое может достигать 10{15}см{-3}. Контакт из индия к высокоомному GaAs: Cr является омическим инжектирующим для электронов контактом с высотой барьера для дырок 0, 9 эВ.

Доп.точки доступа:
Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.; Яскевич, Т. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-13

Тематический навигатор

Статистика за 03.09.2024
Число запросов	12006
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)