Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Марьянчук, П. Д.$<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-11

Марьянчук, П. Д.
Зонная структура и доминирующие механизмы рассеяния электронов в Hg[1-x-y] Mn[x]Fe[y]Se [Текст] / П. Д. Марьянчук, Л. М. Яблоновская // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 3. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (7 назв. )

УДК

^a621.3.08

^a621.315.592

ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
зонные параметры -- межзонные переходы -- механизмы рассеяния электронов -- оптические фононы -- рассеяние электронов
Аннотация: В интервале температур T = 77-300 К при H примерно равной 0, 5-6 кЭ исследованы магнитные и кинетические свойства, а также спектры пропускания и поглощения кристаллов Hg[1-х-y]Mn[x]Fe[y]Se[0, 09

Доп.точки доступа:
Яблоновская, Л.М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Марьянчук, П. Д.
Гигантское магнитосопротивление в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Te [Текст] / П. Д. Марьянчук, Э. В. Майструк // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 28-33. - Библиогр.: c. 33 (15 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
антиферромагнитные кластеры -- гигантское магнитосопротивление -- кристаллы Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те -- магнитосопротивление -- полупроводники -- ферромагнитные кластеры
Аннотация: Гигантское магнитосопротивление обусловлено наличием в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те кластеров с ''антиферромагнитным'' и ''ферромагнитным'' упорядочением. Эффект гигантского магнитосопротивления связан с тем, что носители заряда, которые принимают участие в электрическом токе, взаимодействуют с намагниченной до насыщения ''ферромагнитной'' кластерной подсистемой и становятся спин-поляризованными. Именно такие носители заряда сильно рассеиваются на ''антиферромагнитных'' кластерах, поскольку магнитные моменты внутри кластеров и результирующие магнитные моменты этих кластеров имеют хаотическую ориентацию. Исследования кинетических коэффициентов кристаллов до и после термообработки показали отсутствие существенной связи между гигантским магнитосопротивлением и концентрацией носителей заряда, их подвижностью и зонными параметрами, полученными до и после термообработки кристаллов.

Доп.точки доступа:
Майструк, Э. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Марьянчук, П. Д.
Магнитные свойства кристаллов H[g1-x]Mn[x]S [Текст] / П. Д. Марьянчук, Г. О. Андрущак // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 59-63. - Библиогр.: с. 63 (5 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Энергетика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- интервал температур -- атомы -- полупроводники
Аннотация: Магнитные восприимчивость ( ) кристаллов H[g1-x]Mn[x]S исследована в интервале температур = 77-300 К при Н = 4кЭ методом Фарадея до и после термообработки образцов в парах компонент. Установлено, что особенности обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-S-Mn-S разных размеров, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется непрямое обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. Термообработка образцов в парах компонент приводит к изменению размеров существующих в кристалле кластеров и даже к "рассасыванию" включений второй фазы.

Доп.точки доступа:
Андрущак, Г. О.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Марьянчук, П. Д.
Механизмы рассеяния электронов в кристаллах (3HgSe) [1-x] (Al[2]Se[3]) [x], легированных марганцем [Текст] / П. Д. Марьянчук, Д. П. Козярский // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 12. - С. 93-95. - Библиогр.: c. 95 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621

ББК 34.7
Рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- легирование марганцем -- механизмы рассеяния электронов -- полупроводники -- рассеяния электронов на оптических фонах
Аннотация: Исследованы механизмы рассеяния электронов в кристаллах, легированных марганцем.

Доп.точки доступа:
Козярский, Д. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Марьянчук, П. Д.
Магнитные и зонные параметры кристаллов (3НgS) [1-х] (АI[2]S[3]) [x] (х = 0, 5), легированных марганцем [Текст] / П. Д. Марьянчук, И. П. Козярский // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 55-60. . - Библиогр.: c. 60 (8 назв. )

УДК

^a537.6

^a539.2

ББК 22.334 + 22.37
Рубрики: Физика
Магнетизм
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кластеры -- кристаллы -- легирование марганцем -- магнитная восприимчивость кристаллов -- магнитные свойства кристаллов -- электропроводность кристаллов
Аннотация: Исследования магнитной восприимчивости (хи) кристаллов (3НgS) [1-х] (АI[2]S[з]) [х] (х = 0, 5), легированных марганцем, проведенные методом Фарадея в интервале Т= 77-300 К и Н= 0, 25--4 кЭ, показали, что особенности магнитных свойств могут быть обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-S-Mn-S. На основе исследований кинетических коэффициентов кристаллов, проведенных в интервале Т= 77-300 К и Н= 0, 5-5 кЭ, установлено что кристаллы проявляют n-тип проводимости, их электропроводность очень слабо зависит от температуры и имеет максимум, коэффициент Холла не зависит от температуры, а температурные зависимости подвижности имеют максимум. Из концентрационной зависимости эффективной массы электронов на уровне Ферми определена ширина запрещенной зоны, матричный элемент межзонного взаимодействия, эффективная масса электрона на дне зоны проводимости. На основе оптических исследований установлено наличие в кристаллах прямых межзонных оптических переходов и определена (при Т= 300 К) величина оптической запрещенной зоны.

Доп.точки доступа:
Козярский, И. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Марьянчук, П. Д.
Кинетические свойства и зонные параметры кристаллов Нg[1-x]Мn[x]S [Текст] / П. Д. Марьянчук, Г. О. Андрущак // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 93-95. . - Библиогр.: c. 95 (3 назв. )

УДК

^a539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
кинетические коэффициенты кристаллов -- кристаллы -- магнитная восприимчивость кристаллов -- полумагнитные полупроводниковые твердые растворы
Аннотация: В статье рассмотрены кинетические свойства и зонные параметры кристаллов Нg[1-x]Мn[x]S.

Доп.точки доступа:
Андрущак, Г. О.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Брус, В. В.
Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP [Текст] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 2. - С. 108-109 : рис. - Библиогр.: c. 109 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- диоксид титана -- окислы металлов -- полупроводниковые гетероструктуры -- фосфид галия
Аннотация: В статье рассмотрены электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP.

Доп.точки доступа:
Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Низкотемпературный спрей-пиролиз пленок FeS[2], их электрические и оптические свойства [Текст] / И. Г. Орлецкий [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 1. - С. 39-43 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- свойства пленок -- спрей-пиролиз -- тонкие пленки -- электрические свойства
Аннотация: Методом спрей-пиролиза водных растворов солей FeCl[3]·6H[2]O и (NH[2]) [2]CS при низких температурах получены пленки FeS[2] с широким диапазоном значений удельного сопротивления, высокой адгезией к подложке и устойчивостью к воздействию агрессивных сред.

Доп.точки доступа:
Орлецкий, И. Г.; Марьянчук, П. Д.; Майструк, Э. В.; Солован, М. Н.; Брус, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оптические свойства и механизмы протекания тока в пленках Cu[2]ZnSnS[4], полученных спрей-пиролизом [Текст] / И. Г. Орлецкий [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 5. - С. 1024-1029 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (39 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллография в целом -- механизмы протекания тока -- оптические свойства -- пиролиз -- пленки (физика) -- протекание тока -- свойства протекания тока -- спрей-пиролиз
Аннотация: Проанализированы электрофизические свойства пленок Cu[2]ZnSnS[4] с использованием модели для поликристаллических материалов с электрически активными границами зерен.

Доп.точки доступа:
Орлецкий, И. Г.; Марьянчук, П. Д.; Солован, М. Н.; Брус, В. В.; Майструк, Э. В.; Козярский, Д. П.; Абашин, С. Л.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок Cu[2]SnS[3], полученных золь-гель-методом [Текст] / И. Г. Орлецкий [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 4. - С. 783-789 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (29 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
золь-гель-метод -- кристаллография в целом -- оптические свойства тонких пленок -- структурные свойства тонких пленок -- термообработка -- тонкие пленки -- центрифугирование -- электрические свойства тонких пленок
Аннотация: Представлен комплексный анализ структурных, оптических и электрических свойств тонких пленок Cu[2]SnS[3].

Доп.точки доступа:
Орлецкий, И. Г.; Солован, М. Н.; Pinna, F.; Cicero, G.; Марьянчук, П. Д.; Майструк, Э. В.; Tresso, E.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-11

Тематический навигатор

Статистика за 21.07.2024
Число запросов	76777
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)