Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Лаврентьев, А. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Лаврентьев, А. А.
Влияние симметрии ближайшего окружения на характер p-d-взаимодействия в бинарных сульфидах меди [Текст] / А. А. Лаврентьев, Б. В. Габрельян, И. Я. Никифоров // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 3. - С. 442-443. . - Библиогр.: c. 443 (3 назв. )

УДК

^a538.915

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
сульфиды меди -- кубические модификации -- распределение плотности -- энергетическая структура -- сфалерит -- теория кристаллическог поля -- p-d-взаимодействие -- медь -- бинарные сульфиды меди -- координационное окружение
Аннотация: Теоретически модифицированным методом присоединенных плоских волн (программа WIEN2k) исследована энергетическая структура сульфидов меди CuS и CuS[2].

Доп.точки доступа:
Габрельян, Б. В.; Никифоров, И. Я.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Габрельян, Б. В.
К вопросу объяснения "белой" линии в рентгеновском К-спектре поглощения серы в NaBiS[2] [Текст] / Б. В. Габрельян, А. А. Лаврентьев, И. Я. Никифоров // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1056-1058. . - Библиогр.: c. 1058 (5 назв. )

УДК

^a538.915

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
NaBiS[2] -- белая линия -- валентность серы -- висмут -- кристаллические структуры -- К-спектры поглощения серы -- метод линеаризованных присоединенных плоских волн -- одноэлектронные расчеты -- рентгеновские К-спектры -- упорядочение атомов металлов -- фотометрирование
Аннотация: Максимум на К-спектрах поглощения серы, снятых для соединений LiBiS[[2], NaBiS[2] и KBiS[2], расположенный более чем на 12 эВ выше края поглощения, особенно сильный у NaBiS[2], не находит объяснения в одноэлектронных расчетах и, по-видимому, не связан с каким-либо упорядочением в расположении атомов щелочного металла и висмута в катионной подрешетке. Рассмотрена схема возможного образования твердого раствора Na[2]S-Bi[2]S[3] и дальнейшего окисления Na[2]S с образованием сульфата Na[2]SO[4], в котором валентность серы +6, что приводит к смещению края поглощения примерно на 13 эВ.

Доп.точки доступа:
Лаврентьев, А. А.; Никифоров, И. Я.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Электронно-энергетическое строение дефектного халькопирита CdGa[2]Se[4] [Текст] / А. А. Лаврентьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С. 1202-1204. - Библиогр.: c. 1204 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.915

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
CdGa[2]Se[4] -- двулучепреломление -- дефектный халькопирит -- диэлектрическая проницаемость -- изотропные точки -- кристаллическая структура -- оптические спектры -- полупроводниковые соединения -- рентгеноэлектронные спектры -- халькопирит -- электронно-энергетическое строение
Аннотация: Соединение CdGa[2]Se[4], имеющее кристаллическую структуру дефектного халькопирита, обладает двулучепреломлением.

Доп.точки доступа:
Лаврентьев, А. А.; Габрельян, Б. В.; Кулагин, Б. Б.; Никифоров, И. Я.; Хижун, О. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Переход проводник-диэлектрик как результат антиферромагнитного упорядочения в моносульфидах 3d-металлов [Текст] / А. А. Лаврентьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 5. - С. 673-676. . - Библиогр.: c. 676 (5 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
антиферромагнитное упорядочение -- магнитные моменты -- модифицированный метод LAPW+lo -- моносульфиды 3d-металлов -- переход металл-диэлектрик -- программа Wien2k -- электронно-энергетическое строение
Аннотация: Модифицированным методом LAPW + lo проведены расчеты электронно-энергетической структуры моносульфидов 3d-металлов с учетом антиферромагнитного упорядочения в различных кристаллографических слоях. Показано, что расщепление d-состояний переходного металла при учете антиферромагнитного упорядочения в слоях приводит к переходу моносульфидов VS, MnS, CoS, NiS, а также FeS в структуре троилита из металлического в полупроводниковое состояние.

Доп.точки доступа:
Лаврентьев, А. А.; Габрельян, Б. В.; Шкумат, П. Н.; Кулагин, Б. Б.; Никифоров, И. Я.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Электронная структура дефектного халькопирита CdGa[2]Se[4] по данным теоретического расчета "из первых принципов" и рентгеноспектральных исследований [Текст] / А. А. Лаврентьев [и др.] // Журнал структурной химии. - 2015. - Т. 56, № 3. - С. 523-526 : 4 рис. - Библиогр.: с. 526 (17 назв. ). - Статья является докладом, прочитанным на конференции "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь", прошедшей в Новосибирском научном центре 7-11 октября 2013 года . - ISSN 0136-7463

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
дефектный халькопирит -- доклады -- конференции -- плотности электронных состояний -- рентгеновские спектры -- электронная структура
Аннотация: Модифицированным методом присоединенных плоских волн (ППВ) по программе WIEN2k рассчитаны "из первых принципов" полные и парциальные плотности электронных состояний всех компонентов CdGa[2]Se[4]. Результаты ППВ-расчета свидетельствуют о том, что в соединении CdGa[2]Se[4] наибольший вклад в валентную зону осуществляют Seр-состояния - их вклад максимальный у потолка валентной зоны, а у дна зоны проводимости преобладают вклады Gas*-состояний. В CdGa[2]Se[4], согласно результатам теоретического ППВ-расчета, существенный вклад в валентную зону осуществляют также электронные Cdd- и Gap-состояния (с преимущественным их вкладом у дна и в верхней части зоны соответственно).

Доп.точки доступа:
Лаврентьев, А. А.; Габрельян, Б. В.; Шкумат, П. Н.; Никифоров, И. Я.; Парасюк, О. В.; Хижун, О. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Квантово-механические расчеты электронной структуры фосфорсодержащих сульфидов Sn[2]P[2]S[6] и Tl[3]PS[4] [Текст] / А. А. Лаврентьев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 6. - С. 888-892. - Библиогр.: c. 892 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантово-механические расчеты -- метод присоединения плоских волн -- рентгеновская спектроскопия -- теория функционала плотности -- фосфорсодержащие сульфиды -- электронно-энергетическая структура
Аннотация: Экспериментально, методами рентгеновской спектроскопии и теоретически, ab initio зонными расчетами, изучена электронная структура фосфорсодержащих сульфидов Sn[2]P[2]S[6] и Tl[3]PS[4]. Парциальные плотности электронных состояний, рассчитанные с помощью программного пакета WIEN2k, хорошо соответствуют их экспериментальным аналогам - рентгеновским K- и L[2, 3]-спектрам S и P. Электронные плотности p- и s-состояний P сдвинуты примерно на 3. 5 эВ в сторону меньших энергий по сравнению с аналогичными электронными состояниями S. Это связано с большей электроотрицательностью серы.

Доп.точки доступа:
Лаврентьев, А. А.; Габрельян, Б. В.; Ву, В. Т.; Шкумат, П. Н.; Колпачев, А. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 24.07.2024
Число запросов	148006
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)