Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Григорьев, Д. В.$<.>)
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10
1.


   
    Расчет тепловых параметров SiGe микроболометров [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - N 12. - С. 44-50. . - Библиогр.: с. 49-50 (12 назв. )
УДК
ББК 22.36 + 22.361 + 31.31
Рубрики: Молекулярная физика в целом
   Физика

   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики

   Теоретические основы теплотехники

   Энергетика

Кл.слова (ненормированные):
болометрические матрицы -- тепловизионные приборы -- теплопроводность -- микроболометры -- фотодетекторы -- тепловые параметры
Аннотация: Путем численного моделирования проведен расчет тепловых параметров SiGe микроболометра. Расчет величины теплопроводности и времени теплового отклика хорошо согласуются со значениями, определяем из экспериментальных данных, и лежат в диапазоне от 2 10{-7} до 7 10{-8} Bт/К и от 1, 5 до 4, 5 мс соответственно. Получение высоких значений чувствительности микроболометра достигается путем оптимизации величин времени теплового отклика и теплопроводности болометра за счет подбора геометрии поддерживающих теплоотводных балок либо выбором для нее соответствующего материала, обеспечивающего значение граничного теплового сопротивления на границе раздела с SiGe более 8 10-3 см2 К/Вт.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Юрьев, В. А.; Несмелов, С. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


    Войцеховский, А. В.
    Ионная имплантация в гетероэпитаксиальный Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 5-18. . - Библиогр.: c. 18 (23 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия
   Энергетика

Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- полупроводниковые соединения Cd[x]HgTe -- гетероэпитаксиальный КРТ -- МЛЭ
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния ионной имплантации на электрофизические свойства гетероэпитаксиального полупроводникового материала, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Выявлены основные факторы, определяющие отличия результатов ионной имплантации в объемные кристаллы КРТ и гетероэпитаксиальный МЛЭ КРТ.


Доп.точки доступа:
Григорьев, Д. В.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


   
    Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. . - Библиогр.: c. 56 (10 назв. )
УДК
ББК 32 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника в целом
   Радиоэлектроника

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


   
    Оценка возможности определения электрофизических характеристик Cd[x]Hg[1-x]Te р{+} -п-структур методом дифференциальных холловских измерений [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 3-8. . - Библиогр.: c. (назв. )
УДК
ББК 22.3с + 22.379
Рубрики: Физика
   Физические приборы и методы физического эксперимента

   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
CdxHg1-xTe -- имплантация ионов -- матричные фотоприемники -- электрофизические характеристики -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: В работе проведено численное моделирование процесса восстановления профиля распределения концентрации дырок в р{+}-п-структуре методом дифференциальных холловских измерений после имплантации ионов As{+} (Е = 190 кэВ, D = З 10{14}см{2}, j = 0, 025 мкА/см{2}) в эпитаксиальные пленки Cd[x]Hg[1-x]Te для х ~ 0, 2, с исходной концентрацией и подвижностью электронов n = 10{14}см{-3} и мю = 2 10{5} см{2} B{-1} c{-1}. Рассчитаны зависимости степени восстановления профиля распределения концентрации дырок от толщины шунтирующего п-слоя и величины магнитного поля, при котором производится измерение электрофизических параметров р{+} -n-структуры. Определена зависимость от толщины n-слоя предельного магнитного поля, определяющего диапазон магнитных полей для измерений. Показано, что при определении профиля распределения концентрации дырок по модели Петрица в расчетах необходимо использовать значения проводимости, измеренные при тех же магнитных полях, что и коэффициент Холла.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Васильев, В. В.; Григорьев, Д. В.; Романов, И. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


   
    Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике [Текст] / О. П. Пчеляков [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 59-64. . - Библиогр.: c. 63-64 (27 назв. )
УДК
ББК 31.21 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Теоретические основы электротехники

   Физическая оптика

   Физика

Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- оптоэлектронные устройства
Аннотация: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены экспериментальные исследования атомных и молекулярных процессов формирования массивов квантовых точек при молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено влияние суперструктуры и морфологии поверхности на упорядочение нанокластеров в латеральном направлении. Обсуждается возможность разработки воспроизводимой технологии создания приборных устройств на основе эпитаксиальных Ge/Si-наногетероструктур.


Доп.точки доступа:
Пчеляков, О. П.; Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Коханенко, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


    Григорьев, Д. В.
    Эффективное воспитание: школа и семья как партнеры [Текст] / Д. В. Григорьев, О. Ю. Кожурова // Социальная педагогика. - 2011. - N 2. - С. 39-50.
УДК
ББК 74.6
Рубрики: Образование. Педагогика
   Социальная педагогика

Кл.слова (ненормированные):
школа и семья -- семья -- школьно-семейные противоречия -- социальное партнерство -- партнерство школы и семьи -- воспитательный потенциал семьи -- воспитательный потенциал школы
Аннотация: Система социального партнерства школы и семьи.


Доп.точки доступа:
Кожурова, О. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

7.


   
    Анализ предложений по регулированию системно значимых банков [Текст] / Ф. Т. Алескеров [и др. ] // Банковское дело. - 2011. - N 11. - С. 32-35. : табл. - Библиогр.: с. 35 (5 назв. )
УДК
ББК 65.262
Рубрики: Экономика
   Кредитно-денежная система

Кл.слова (ненормированные):
глобальные системно значимые банки -- капитал -- регулирование
Аннотация: Обзор основных положений консультативного документа, предложенного Базельским комитетом для выявления и регулирования глобальных системно значимых банков.


Доп.точки доступа:
Алескеров, Ф. Т.; Андриевская, И. К.; Григорьев, Д. В.; Львов, Н. П.; Малков, Е. С.; Никитин, А. А.; Пеникас, Г. И.; Базельский комитет по банковскому надзору

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эк. (1)
Свободны: эк. (1)

Найти похожие

8.


   
    Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 10. - С. 88-90. - Библиогр.: c. 90 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
высокопроводящие слои проводимости -- модификация поверхности -- наносекундные разряды -- объемные разряды -- полупроводники -- эпитаксиальные пленки CdHgTe
Аннотация: Исследуется влияние объемного разряда наносекундной длительности, формирующегося в неоднородном электрическом поле при атмосферном давлении на образцы эпитаксиальных пленок CdHgTe (KPT) р-типа проводимости с концентрацией дырок 2 * 10[16] см[-3] и подвижностью 500 см[2] * В[-1] * с[-1]. Измерение электрофизических параметров образцов КРТ после облучения показало, что в приповерхностном слое эпитаксиальных пленок образуется слой, проявляющий n-тип проводимости. При 600 и более импульсах воздействия толщина и параметры образующегося n-слоя таковы, что измеряемая полевая зависимость коэффициента Холла соответствует материалу n-типа проводимости. Анализ первых результатов показал перспективность применения объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления для модификации электрофизических свойств КРТ.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Тарасенко, В. Ф.; Шулепов, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

9.


    Григорьев, Д. В.
    Детско-взрослые общности и образовательные производства [Текст] / Д. В. Григорьев // Социальная педагогика. - 2012. - № 4. - С. 20-23
УДК
ББК 74.200
Рубрики: Образование. Педагогика
   Теория и методика воспитания

Кл.слова (ненормированные):
общество потребления -- детско-взрослые общности -- образовательные производства -- труд-забота -- школьный мини-технопарк
Аннотация: Идеология "общества потребления" выбрала молодежь как самую податливую социальную прослойку. Создание мини-технопарка детско-взрослых образовательных производств.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.


    Симаков, В. А.
    Анализ хромовых руд и продуктов их переработки методом атомной эмиссии с индуктивно связанной плазмой [Текст] / Симаков В. А., Васильев Г. А., Григорьев Д. В. // Разведка и охрана недр. - 2012. - № 12. - С. 36-38 : ил. - Библиогр.: с. 38 (3 назв.) . - ISSN 0034-026X
ГРНТИ
УДК
ББК 24.46
Рубрики: Химия
   Физико-химические методы анализа

Кл.слова (ненормированные):
реперы -- дрейф -- погрешности -- хромовые руды -- эмиссия -- метод атомной эмиссии -- индуктивно связанная плазма
Аннотация: Даны рекомендации по обеспечению однородности флюса, выбору посуды для растворов длительного применения, построению градуировочных зависимостей и учету дрейфа, что в значительной мере предупреждает появление систематических погрешностей анализа и обеспечивает удовлетворительную сходимость получаемых аналитических данных.


Доп.точки доступа:
Васильев, Г. А.; Григорьев, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 22.08.2024
Число запросов 34386
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)