Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (4)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Григорьев, Д. $<.>)

Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-25

Шифр: Н6/2004/9
Журнал

Нейрокомпьютеры: разработка, применение [Текст]. - ISSN 1999-8554. - Выходит ежемесячно
2004г. N 9

Содержание:
Нейронное управление технологическим процессом нефтедобычи / Б.Г.Ильясов,К.Ф. Тагирова, Е.С. Шаньгин и др. - С.5-9
Кл.слова: УПРАВЛЕНИЕ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬЮ
Васильев, В. И. Оценка сложности нейросетевых моделей на основе энтропийного подхода / В.И. Васильев, С.С. Валеев. - С.10-16
Лютов, А. Г. Синтез нейросетевых алгоритмов раметрического управления в условиях интервальной неопределенности / А.Г. Лютов. - С.17-22
Юсупова, Н. И. Нейросетевой подход к распределению потоков транспорта на перекрестках производственной конфигурации / Н.И. Юсупова, Д.А. Григорьев. - С.23-29
Бакусов, Л. М. Нейропроцессорные функции рекурсивных фильтров и их нейрофизиологические аналогии / Л.М. Бакусов. - С.30-35
Кл.слова: рекурсивные фильтры
Деев, И. А. Диспечер задач вычислительной системы на базе нейронных сетей / И.А. Деев, А.И. Фрид. - С.36-39
Селеванов, С. Г. Нейросетевая САПР технологического перевооружения машиностроительного производства / С.Г. Селеванов, М.В. Селеванова. - С.40-48
Исмагилова, Л. А. Нейросетевые технологии в экономике: сравнение с классическими методами / Л.А. Исмагилова, Е.В. Орлова. - С.49-57
Кл.слова: экономические системы, кластер-анализ, классификация
Апробация новой технологии налоговых камеральных проверок и отбора налогоплательщиков для выездных проверок на базе нейросетевых математических моделей : С.А. Горботенко, В.В. Сашечев, Т.Н. Мехов. - С.57-71
Кл.слова: НЕЙРОСЕТЕВЫЕ МОДЕЛИ, РАЗРАБОТКА
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Григорьев, Д.
Сопротивление школы обществу потребления [Текст] / Д. Григорьев // Социальная педагогика. - 2008. - N 4. - С. 122-125.

УДК

^a373

ББК 74.2
Рубрики: Образование. Педагогика
Общеобразовательная школа
Кл.слова (ненормированные):
молодежь -- школа -- консьюмеристские установки -- производственное воспитание -- общество потребления -- консьюмеризация -- образовательные услуги
Аннотация: О сопротивлении школы потребительскому диктату средств массовой информации, преодолении консьюмеристских установок внутри школы, развитии производственного воспитания в системе образования, поддержании духовного контекста жизни ребенка в семье и школе.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Расчет тепловых параметров SiGe микроболометров [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - N 12. - С. 44-50. . - Библиогр.: с. 49-50 (12 назв. )

УДК

^a539.19

^a539.26

^a621.1.01

ББК 22.36 + 22.361 + 31.31
Рубрики: Молекулярная физика в целом
   Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
   Теоретические основы теплотехники
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
болометрические матрицы -- тепловизионные приборы -- теплопроводность -- микроболометры -- фотодетекторы -- тепловые параметры
Аннотация: Путем численного моделирования проведен расчет тепловых параметров SiGe микроболометра. Расчет величины теплопроводности и времени теплового отклика хорошо согласуются со значениями, определяем из экспериментальных данных, и лежат в диапазоне от 2 10{-7} до 7 10{-8} Bт/К и от 1, 5 до 4, 5 мс соответственно. Получение высоких значений чувствительности микроболометра достигается путем оптимизации величин времени теплового отклика и теплопроводности болометра за счет подбора геометрии поддерживающих теплоотводных балок либо выбором для нее соответствующего материала, обеспечивающего значение граничного теплового сопротивления на границе раздела с SiGe более 8 10-3 см2 К/Вт.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Юрьев, В. А.; Несмелов, С. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Войцеховский, А. В.
Ионная имплантация в гетероэпитаксиальный Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 5-18. . - Библиогр.: c. 18 (23 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия
Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- полупроводниковые соединения Cd[x]HgTe -- гетероэпитаксиальный КРТ -- МЛЭ
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния ионной имплантации на электрофизические свойства гетероэпитаксиального полупроводникового материала, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Выявлены основные факторы, определяющие отличия результатов ионной имплантации в объемные кристаллы КРТ и гетероэпитаксиальный МЛЭ КРТ.

Доп.точки доступа:
Григорьев, Д. В.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. . - Библиогр.: c. 56 (10 назв. )

УДК

^a621.37/.39

^a621.382

ББК 32 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника в целом
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оценка возможности определения электрофизических характеристик Cd[x]Hg[1-x]Te р{+} -п-структур методом дифференциальных холловских измерений [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 3-8. . - Библиогр.: c. (назв. )

УДК

^a53.07

^a537.311.33

ББК 22.3с + 22.379
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
CdxHg1-xTe -- имплантация ионов -- матричные фотоприемники -- электрофизические характеристики -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: В работе проведено численное моделирование процесса восстановления профиля распределения концентрации дырок в р{+}-п-структуре методом дифференциальных холловских измерений после имплантации ионов As{+} (Е = 190 кэВ, D = З 10{14}см{2}, j = 0, 025 мкА/см{2}) в эпитаксиальные пленки Cd[x]Hg[1-x]Te для х ~ 0, 2, с исходной концентрацией и подвижностью электронов n = 10{14}см{-3} и мю = 2 10{5} см{2} B{-1} c{-1}. Рассчитаны зависимости степени восстановления профиля распределения концентрации дырок от толщины шунтирующего п-слоя и величины магнитного поля, при котором производится измерение электрофизических параметров р{+} -n-структуры. Определена зависимость от толщины n-слоя предельного магнитного поля, определяющего диапазон магнитных полей для измерений. Показано, что при определении профиля распределения концентрации дырок по модели Петрица в расчетах необходимо использовать значения проводимости, измеренные при тех же магнитных полях, что и коэффициент Холла.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Васильев, В. В.; Григорьев, Д. В.; Романов, И. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Григорьев, Д.
Духовное и социальное в воспитании человека: размышления о новой концепции [Текст] / Д. Григорьев // Социальная педагогика. - 2010. - N 2. - С. 16-22

УДК

^a371.4

ББК 74.200.51
Рубрики: Образование. Педагогика
Теория и методика воспитания
Кл.слова (ненормированные):
педагоги -- духовно-нравственное воспитание -- духовное воспитание -- духовность -- концепции воспитания -- общественное воспитание -- национальный воспитательный потенциал -- воспитательный процесс -- базовые национальные ценности -- национальные ценности -- социальность -- социальное партнерство
Аннотация: Национальный воспитательный идеал в его исторической преемственности, базовые национальные ценности как основа целей образования и воспитания, воспитание как общественная задача и сфера социального партнерства. Феномен духовно-нравственного воспитания. Педагогические смыслы воспитания духовности.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гусева, К. Н.
Проблемы обеспечения финансовой стабильности [Текст] / К. Н. Гусева, Е. Н. Чекмарева, Д. Е. Григорьев // Банковское дело. - 2010. - N 9. - С. 30-32.

УДК

^a336.7

ББК 65.262
Рубрики: Экономика
Кредитно-денежная система
Кл.слова (ненормированные):
финансовая стабильность -- глобальные финансовые кризисы -- банки -- финансовый рынок
Аннотация: Актуальные вопросы обеспечения финансовой стабильности в условиях преодоления последствий глобального финансового кризиса.

Доп.точки доступа:
Чекмарева, Е. Н.; Григорьев, Д. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эк. (1)
Свободны: эк. (1)

Найти похожие

Формирование активной фазы катализатора Co/ZrO[2] в синтезе Фишера-Тропша [Текст] / А. Л. Лапидус [и др. ] // Известия РАН. Серия химическая. - 2010. - N 9. - С. 1629-1633. : Рис. 3, табл. 4. - Библиогр.: с. 1633 (22 назв. )

УДК

^a544.47

^a542.9

^a547

ББК 24.544 + 24.22 + 24.23
Рубрики: Химия
   Катализ
   Органические реакции
   Органические соединения
Кл.слова (ненормированные):
кобальтовый катализатор -- синтез Фишера-Тропша -- Фишера-Тропша синтез -- Тропша-Фишера синтез -- синтез Тропша-Фишера -- оксид циркония -- активация катализатора
Аннотация: Методами термопрограммированного восстановления и порошковой рентгенографии изучены фазовый состав и особенности процесса активации каталитической системы Co/Zr0[2]. Результаты физико-химических исследований сопоставлены с данными по активности и селективности катализаторов в синтезе Фишера-Тропша.

Доп.точки доступа:
Лапидус, А. Л.; Григорьев, Д. А.; Михайлов, М. Н.; Логинова, А. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике [Текст] / О. П. Пчеляков [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 59-64. . - Библиогр.: c. 63-64 (27 назв. )

УДК

^a621.3.01

^a535.2/.3

ББК 31.21 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Теоретические основы электротехники
   Физическая оптика
   Физика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- оптоэлектронные устройства
Аннотация: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены экспериментальные исследования атомных и молекулярных процессов формирования массивов квантовых точек при молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено влияние суперструктуры и морфологии поверхности на упорядочение нанокластеров в латеральном направлении. Обсуждается возможность разработки воспроизводимой технологии создания приборных устройств на основе эпитаксиальных Ge/Si-наногетероструктур.

Доп.точки доступа:
Пчеляков, О. П.; Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Коханенко, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-20 21-25

Тематический навигатор

Статистика за 21.08.2024
Число запросов	43363
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)