Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Войцеховский, А. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

Расчет тепловых параметров SiGe микроболометров [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - N 12. - С. 44-50. . - Библиогр.: с. 49-50 (12 назв. )

УДК

^a539.19

^a539.26

^a621.1.01

ББК 22.36 + 22.361 + 31.31
Рубрики: Молекулярная физика в целом
   Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
   Теоретические основы теплотехники
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
болометрические матрицы -- тепловизионные приборы -- теплопроводность -- микроболометры -- фотодетекторы -- тепловые параметры
Аннотация: Путем численного моделирования проведен расчет тепловых параметров SiGe микроболометра. Расчет величины теплопроводности и времени теплового отклика хорошо согласуются со значениями, определяем из экспериментальных данных, и лежат в диапазоне от 2 10{-7} до 7 10{-8} Bт/К и от 1, 5 до 4, 5 мс соответственно. Получение высоких значений чувствительности микроболометра достигается путем оптимизации величин времени теплового отклика и теплопроводности болометра за счет подбора геометрии поддерживающих теплоотводных балок либо выбором для нее соответствующего материала, обеспечивающего значение граничного теплового сопротивления на границе раздела с SiGe более 8 10-3 см2 К/Вт.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Юрьев, В. А.; Несмелов, С. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Войцеховский, А. В.
Пороговые характеристики микроболометров на основе поликристаллического силицида германия [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов // Известия вузов. Физика. - 2007. - N 12. - С. 51-55. . - Библиогр.: c. 55 (5 назв. )

УДК

^a621.1.01

^a539.26

^a536.42

ББК 31.31 + 22.361 + 22.375
Рубрики: Теоретические основы теплотехники
   Энергетика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
   Физика
   Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
болометрические детекторы -- матричные детекторы -- микроболометры -- поликристаллический силицид германия -- матричные фотоприемники -- тепловизионные приборы
Аннотация: Рассчитаны пороговые характеристики микроболометров на основе поликристаллического силицида германия. Показано, что зависимость обнаружительной способности от удельного сопротивления микроболометра характеризуется максимумом. Установлены оптимальные для улучшения пороговых характеристик диапазоны напряжений и удельного сопротивления.

Доп.точки доступа:
Несмелов, С. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Потекаев, А. И.
Предисловие [Текст] / А. И. Потекаев, А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 3-4.

УДК

^a53(091)

ББК 22.3г
Рубрики: Физика
История физики
Кл.слова (ненормированные):
вузы -- институты -- юбилеи
Аннотация: Настоящий выпуск журнала приурочен к 80-летию известного в России и за рубежом старейшего научного вузовского центра России - Сибирского физико-технического института им. академика В. Д. Кузнецова (СФТИ). Содержание этого выпуска дает представление о наиболее важных результатах, полученных в институте за последние годы.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Сибирский физико-технический институт им. академика В. Д. Кузнецова

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Войцеховский, А. В.
Ионная имплантация в гетероэпитаксиальный Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 5-18. . - Библиогр.: c. 18 (23 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия
Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- полупроводниковые соединения Cd[x]HgTe -- гетероэпитаксиальный КРТ -- МЛЭ
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния ионной имплантации на электрофизические свойства гетероэпитаксиального полупроводникового материала, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Выявлены основные факторы, определяющие отличия результатов ионной имплантации в объемные кристаллы КРТ и гетероэпитаксиальный МЛЭ КРТ.

Доп.точки доступа:
Григорьев, Д. В.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. . - Библиогр.: c. 56 (10 назв. )

УДК

^a621.37/.39

^a621.382

ББК 32 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника в целом
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оценка возможности определения электрофизических характеристик Cd[x]Hg[1-x]Te р{+} -п-структур методом дифференциальных холловских измерений [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 3-8. . - Библиогр.: c. (назв. )

УДК

^a53.07

^a537.311.33

ББК 22.3с + 22.379
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
CdxHg1-xTe -- имплантация ионов -- матричные фотоприемники -- электрофизические характеристики -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: В работе проведено численное моделирование процесса восстановления профиля распределения концентрации дырок в р{+}-п-структуре методом дифференциальных холловских измерений после имплантации ионов As{+} (Е = 190 кэВ, D = З 10{14}см{2}, j = 0, 025 мкА/см{2}) в эпитаксиальные пленки Cd[x]Hg[1-x]Te для х ~ 0, 2, с исходной концентрацией и подвижностью электронов n = 10{14}см{-3} и мю = 2 10{5} см{2} B{-1} c{-1}. Рассчитаны зависимости степени восстановления профиля распределения концентрации дырок от толщины шунтирующего п-слоя и величины магнитного поля, при котором производится измерение электрофизических параметров р{+} -n-структуры. Определена зависимость от толщины n-слоя предельного магнитного поля, определяющего диапазон магнитных полей для измерений. Показано, что при определении профиля распределения концентрации дырок по модели Петрица в расчетах необходимо использовать значения проводимости, измеренные при тех же магнитных полях, что и коэффициент Холла.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Васильев, В. В.; Григорьев, Д. В.; Романов, И. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Войцеховский, А. В.
Определение концентрации нагретого газа из разности контактных и дистанционных измерений температуры [Текст] / А. В. Войцеховский, О. К. Войцеховская, А. Ю. Запрягаев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С. 96-102. - Библиогр.: c. 101-102 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.19

ББК 22.36
Рубрики: Молекулярная физика в целом
Физика
Кл.слова (ненормированные):
высокотемпературные измерения -- дистанционные измерения измерений -- загрязнение атмосферы (методы физического эксперимента) -- излучательные характеристики среды -- нагретый газ -- определение концентрации газа -- радиационная температура газовых смесей -- способы измерений температуры (физика) -- экологические проблемы
Аннотация: В работе предложен способ определения малых концентраций высокотемпературных газов из разности показаний датчиков, принципы действия которых основаны на контактном и дистанционном методах измерения температуры газового объема. Предполагается, что контактные измерения позволяют определить реальную кинетическую температуру газа, а дистанционные пирометрические измерения дают радиационную температуру. Возникающая разность температур содержит однозначную зависимость от концентрации газа и поэтому при выборе соответствующих определенным требованиям рабочих спектральных участков имеется возможность найти численное значение концентрации.

Доп.точки доступа:
Войцеховская, О. К.; Запрягаев, А. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Войцеховский, А. В.
Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 3-18. - Библиогр.: c. 18 (28 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.55/.58

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дифференциальное сопротивление -- диэлектрики -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод проводимости -- МЛЭ -- полупроводники -- пространственный заряд в МДП-структурах -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей.

Доп.точки доступа:
Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45. . - Библиогр.: c. 45 (17 назв. )

УДК

^a621.3

^a537.311.33

ББК 31.2 + 22.379
Рубрики: Электротехника в целом
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- вольт-фарадные характеристики -- диэлектрики -- пассивация поверхности полупроводника -- структура металл - диэлектрик - полупроводник -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Якушев, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Войцеховский, А. В.
Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками [Текст] / А. В. Войцеховский, М. Ю. Леонов, С. А. Шульга // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 16-20. . - Библиогр.: c. 20 (5 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
импульсное лазерное излучение -- полупроводники -- радиационные дефекты -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамках физико-математической модели радиационного дефектообразования и сравнение полученных профилей с теоретическими и экспериментальными данными.

Доп.точки доступа:
Леонов, М. Ю.; Шульга, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-19

Тематический навигатор

Статистика за 03.09.2024
Число запросов	34238
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)