Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>S=Энергетика -- Техника высоких измерений<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.


    Головацкий, В. А.
    Энергетический спектр электрона в эллиптической квантовой проволоке и эллиптической нанотрубке [Текст] / В. А. Головацкий, В. И. Гуцул // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 55-62. - Библиогр.: с. 62 (12 назв. )
УДК
ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
квазичастицы -- полупроводниковые нанотрубки -- уравнение Шредингера -- цилиндрические наносистемы -- Шредингера уравнение -- эллиптическая квантовая проволока -- эллиптические полупроводниковые нанотрубки -- энергетический спектр электрона
Аннотация: В приближении эффективной массы исследован спектр электрона в эллиптической квантовой проволоке (ЭКП) и эллиптической полупроводниковой нанотрубке (ЭПН). Получен точный энергетический спектр электрона в ЭКП и ЭПН GaAs с непроницаемыми стенками и приближенное решение уравнения Шредингера при конечной высоте потенциального барьера в ЭКП GaAs/ A [x]Ga[1-x]As. Показано, что эллиптичность квантовой проволоки и нанотрубки приводит к снятию вырождения энергетического спектра квазичастиц. Зависимости энергий четных и нечетных состояний от соотношения полуосей эллипса имеют немонотонный характер. В предельном случае вырождения эллиптических квантовых проволок и нанотрубок в круговые энергетический спектр квазичастиц совпадает с соответствующим спектром в цилиндрических наносистемах.


Доп.точки доступа:
Гуцул, В.И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


    Лаврентьева, Л. Г.
    Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. Г. Лаврентьева [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 63-72. - Библиогр.: с. 71-72 (34 назв. )
УДК
ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
дефекты в слоях GaAs и InGaAs -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- морфология ростовой поверхности -- отжиг (физика) -- электронная микроскопия
Аннотация: В статье обсуждается проблема дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах. Анализируется влияние условий роста (температура, соотношение потоков элементов групп) на морфологию ростовой поверхности, внутреннюю структуру, тип и концентрацию электрически и оптически активных точечных дефектов. Проведено сопоставление процессов дефектообразования в GaAs и InGaAs при росте и последующем отжиге.


Доп.точки доступа:
Вилисова, М.Д.; Бобровникова, И.А.; Ивонин, И.В.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Каримов, М. А.
    Спектры тока короткого замыкания фотовольтаических пленок CdTe, CdTe: In [Текст] / М. А. Каримов, Н. Х. Юлдашев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 71-74. - Библиогр.: с. 73-74 (6 назв. )
УДК
ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
фотовольтаические пленки CdTe, CdTe: In -- спектральная область -- короткое замыкание -- спектры тока -- примесное поглощение
Аннотация: Обнаружено, что генерация АФН в легированных косонапыленных тонких пленках CdTe: In вызывается светом из спектральной области как собственного, так и примесного поглощения. Проанализирован спектр фототока короткого замыкания в зависимости от температуры.


Доп.точки доступа:
Юлдашев, Н.Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


    Зайнабидинов, С.
    Диффузия, растворимость и электрические свойства скандия и празеодима в кремнии [Текст] / С. Зайнабидинов, Д. Э. Надыров // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 75-77. - Библиогр.: с. 77 (8 назв. )
УДК
ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
акцепторная природа примесей -- празеодим -- скандий -- Холла эффект -- эффект Холла
Аннотация: Впервые проведены комплексные исследования диффузии, растворимости и электрических свойств скандия и празеодима в кремнии при различных средах отжига и для широкого интервала температур (1100-1280 С). Установлены диффузионные параметры, растворимость и выявлена акцепторная природа исследованных примесей в кремнии.


Доп.точки доступа:
Надыров, Д. Э.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


    Марьянчук, П. Д.
    Зонная структура и доминирующие механизмы рассеяния электронов в Hg[1-x-y] Mn[x]Fe[y]Se [Текст] / П. Д. Марьянчук, Л. М. Яблоновская // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 3. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (7 назв. )
УДК
ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
зонные параметры -- межзонные переходы -- механизмы рассеяния электронов -- оптические фононы -- рассеяние электронов
Аннотация: В интервале температур T = 77-300 К при H примерно равной 0, 5-6 кЭ исследованы магнитные и кинетические свойства, а также спектры пропускания и поглощения кристаллов Hg[1-х-y]Mn[x]Fe[y]Se[0, 09

Доп.точки доступа:
Яблоновская, Л.М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


   
    Взаимосвязь электрических и магнитных свойств образцов полупроводникового минерала CuFeS[2] [Текст] / И. Х. Хабибуллин [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 4. - С. 93-94. - Библиогр.: с. 94 (5 назв. )
УДК
ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
антиферромагнитное упорядочение -- магнитные полупроводники -- спектры ЯМР Cu -- халькопирит CuFeS[2]
Аннотация: Интерес к исследованию магнитных полупроводников со структурой типа халькопирита (CuFeS[2]) связан с их практическим применением в фотоэлектронной энергетике. Присутствие атомов железа в кристаллической структуре халькопирита определяет его принадлежность к магнитным полупроводникам с антиферромагнитным упорядочением. В данной работе проводится исследование спектров ЯМР Cu в локальном поле в образцах природного полупроводникового минерала халькопирита.


Доп.точки доступа:
Хабибуллин, И.Х.; Шмидт, Е.В; Шульгин, Д.Е.; Матухин, В.Л.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.


    Моисеев, А. Г.
    Рассеяние носителей заряда на неупорядоченной сетке атомов в изотропном поликристалле кремния p-типа [Текст] / А. Г. Моисеев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 3-12. - Библиогр.: с. 12 (24 назв. )
УДК
ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
кристаллиты -- неупорядоченная сетка атомов -- носители заряда -- поликристаллы кремния -- рассеяние носителей заряда
Аннотация: В работе рассматривается новый механизм рассеяния носителей в поликристаллах. Поликристалл представляется как совокупность кристаллитов, ориентированных относительно друг друга произвольным образом, что определяет случайную сетку атомов в пространстве и обуславливает дополнительный механизм рассеяния носителей в поликристалле. Дается расчет подвижности носителей в поликристалле кремния p-типа и приводятся сравнения с результатами эксперимента.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 02.07.2024
Число запросов 13482
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)