Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=InAs<.>)
Общее количество найденных документов : 27
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-27 
1.


    Вдовин, Е. Е.
    Одноэлектронный спин-зависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки InAs [Текст] / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 166-170. - Библиогр.: с. 170
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
электронный транспорт -- одноэлектронный спин-зависимый транспорт -- расщепленные затворы -- квантовые точки -- самоорганизованные квантовые точки -- гетероструктуры
Аннотация: Результаты исследования электронного транспорта в структурах с расщепленным затвором, созданных на основе гетероструктур, в которых самоорганизующиеся квантовые точки InAs расположены вблизи двумерного электронного газа.


Доп.точки доступа:
Ханин, Ю.Н.; Шабельникова, П.Л.; Левин, А.; Ивс, Л.; Дубонос, С.В.; Хенини, М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


    Ханин, Ю. Н.
    Индуцированная магнитным полем ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную квантовую точку InAs [Текст] / Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 175-177. - Библиогр.: с. 177
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
магнитное поле -- ферми-краевая сингулярность -- сингулярность -- туннельный ток -- ток -- квантовые точки -- самоорганизованные квантовые точки
Аннотация: Рассмотрена индуцированная магнитным полем ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную квантовую точку InAs.


Доп.точки доступа:
Вдовин, Е.Е.; Ивс, Л.; Ларкин, И.А.; Патанэ, А.; Макаровский, О.Н.; Хенини, М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


   
    Новые разбавленные ферромагнетики на основе алмазоподобных полупроводников GaSb, InSb, InAs, Ge и Si, сверхперенасыщенных примесями марганца или железа при лазерной эпитаксии [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1621-1622. - Библиогр.: c. 1622 (6 назв. )
УДК
ББК 31.29 + 22.33
Рубрики: Энергетика
   Использование электрической энергии

   Физика

   Электричество и магнетизм

Кл.слова (ненормированные):
аномальный эффект Холла -- железо -- Керра магнитооптический эффект -- лазерная эпитаксия -- магнитооптический эффект Керра -- марганец -- полупроводники -- примеси -- разбавленные магнитные полупроводники -- ферромагнетики -- ферромагнитный резонанс -- Холла аномальный эффект -- экспериментальные данные
Аннотация: Приведены экспериментальные результаты изучения электрических, магнитных и магнитооптических свойств тонких (50-100 нм) слоев GaSb: Mn, InSb: Mn, InAs: Mn, Ge: Mn, Ge: Fe, Si: Mn и Si: Fe с точкой Кюри до 500 К, полученных осаждением из лазерной плазмы в вакууме в условиях сильного пересыщения твердого раствора 3d-примесью.


Доп.точки доступа:
Демидов, Е. С.; Подольский, В. В.; Лесников, В. П.; Данилов, Ю. А.; Сапожников, М. В.; Сучков, А. И.; Дружнов, Д. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


    Зубков, В. И.
    Прямое наблюдение процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / В. И. Зубков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 111-113. - Библиогр.: с. 113 (6 назв. ). - d, 2007, , 0
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры
Аннотация: Впервые проведены исследования по прямому наблюдению процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs методом перезарядки емкости.


Доп.точки доступа:
Шульгунова, И. С.; Соломонов, А. В.; Geller, M.; Marent, A.; Bimberg, D.; Жуков, А. Е.; Семенова, Е. С.; Устинов, В. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


    Дроздов, Ю. Н.
    Диагностика покрывающих слоев в многослойных структурах с квантовыми точками InAs (N) на GaAs (001), выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии [Текст] / Ю. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 107-110. - Библиогр.: с. 110 (6 назв. ). - d, 2007, , 0
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
многослойные структуры
Аннотация: Исследованы структуры с квантовыми точками InAs (N), выращенные методом металлоорганической газофазной эпитаксии на подложках на GaAs (001.


Доп.точки доступа:
Данильцев, В. М.; Дроздов, М. Н.; Мурель, А. В.; Хлыкин, О. И.; Востоков, Н. В.; Шашкин, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


   
    Ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную InAs-квантовую точку, индуцированная магнитным полем [Текст] / Ю. Н. Ханин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1162-1164. . - Библиогр.: c. 1164 (11 назв. )
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм в целом

Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- магнитное поле -- магнитотуннельная спектроскопия -- низкие температуры -- однобарьерные гетероструктуры -- туннельный ток -- туннельный транспорт -- ферми-краевая сингулярность -- эмиттер
Аннотация: Представлены результаты исследования туннельного транспорта через однобарьерную GaAs/ (Al-Ga) As/GaAs-гетероструктуру, содержащую самоорганизованные квантовые InAs-точки, при низких температурах.


Доп.точки доступа:
Ханин, Ю. Н.; Вдовин, Е. Е.; Ивс, Л.; Патанэ, А.; Хенини, М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.


    Гайслер, В. А.
    Однофотонные источники света на основе полупроводниковых наноструктур [Текст] / В. А. Гайслер // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 83-86. . - Библиогр.: c. 86 (11 назв. )
УДК
ББК 22.314
Рубрики: Физика
   Квантовая механика

Кл.слова (ненормированные):
однофотонные источники света -- полупроводниковые наноструктуры -- излучатели с токовой накачкой -- микрорезонаторы -- квантовая эффективность -- InAs -- квантовая криптография
Аннотация: Приведен краткий обзор результатов разработки излучателей одиночных фотонов на основе полупроводниковых квантовых точек.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

8.


   
    Влияние локализованных зарядовых состояний на низкочастотную составляющую спектра туннельного тока вида 1/f{альфа} [Текст] / В. Н. Манцевич [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 940-942. : Рис. - Библиогр.: c. 942 (6 назв. )
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
зарядовые состояния -- кристалл InAs (100) -- кулоновское взаимодействие -- поверхности -- сверхвысокий выкуум -- сканирующая туннельная микроскопия -- сканирующая туннельная спектроскопия -- теоретические модели -- экспериментальные результаты
Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС) в условиях сверхвысокого вакуума исследована зависимость низкочастотной составляющей спектра туннельного тока вида 1/f{альфа} над чистой поверхностью и над изолированными примесными атомами на сколотой поверхности кристалла InAs (100).


Доп.точки доступа:
Манцевич, В. Н.; Маслова, Н. С.; Орешкин, А. И.; Орешкин, С. И.; Музыченко, Д. А.; Савинов, С. В.; Панов, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

9.


   
    Магнитосопротивление в p-InAs: Mn и p-CdGeAs[2]: Mn, индуцированное высоким давлением [Текст] / А. Ю. Моллаев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1048-1050. : Рис. - Библиогр.: c. 1050 (6 назв. )
УДК
ББК 24.1
Рубрики: Химия
   Общая и неорганическая химия в целом

Кл.слова (ненормированные):
CdGeAs[2]: Mn -- InAs: MN -- кинетические эффекты -- легирование магнитной примесью -- магниторезисторный эффект -- магнитосопротивление -- отрицательное магнитосопротивление -- полупроводниковые соединения -- поперечное магнитосопротивление -- ферромагнитные проводники
Аннотация: Изучено влияние Mn на кинетические эффекты полупроводников группы A{III}B{V} и A{II}B{IV}C{V}, в частности InAs: MN и CdGeAs[2]: Mn.


Доп.точки доступа:
Моллаев, А. Ю.; Камилов, И. К.; Арсланов, Р. К.; Арсланов, Т. Р.; Залибеков, У. З.; Новоторцев, В. М.; Маренкин, С. Ф.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.


   
    Ионно-лучевой синтез нанокристаллов InAs в кристаллическом кремнии [Текст] / Ф. Ф. Комаров [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 273-276 : Рис. - Библиогр.: c. 276 (2 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
высокодозная имплантация -- ионно-лучевой синтез -- кристаллический кремний -- нанокристаллы InAs -- отжиг -- просвечивающая электронная микроскопия -- резерфордовское обратное рассеяние -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесценция
Аннотация: Проведены исследования формирования наноразмерных кристаллитов InAs в подложках Si методом высокодозной имплантации ионов As и In и последующей высокотемпературной обработки. Установлено, что распределения кристаллитов по размерам и по глубине образцов зависят как от температуры имплантации, так и от условий отжига. В спектрах фотолюминесценции образцов с нанокристаллитами зарегистрирована широкая полоса в диапазоне энергий 0. 75-1. 1 эВ.


Доп.точки доступа:
Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Власукова, А. А.; Веш, В.; Комаров, А. Ф.; Мудрый, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-27 
 
Статистика
за 03.09.2024
Число запросов 102002
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)