Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=GaMnSb<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Дмитриев, А. И.
Влияние распределения энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb на спонтанное перемагничивание тонких пленок GaMnSb [Текст] / А. И. Дмитриев, А. А. Филатов // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 10. - С. 1935-1939 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (18 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
GaMnSb -- MnSb -- анизотропия кластеров -- кластеры MnSb -- магнитная анизотропия -- перемагничивание -- пленки GaMnSb -- тонкие пленки
Аннотация: Измерены температурные и временные зависимости магнитного момента тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb.

Доп.точки доступа:
Филатов, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Дмитриев, А. И.
Общность процессов спонтанного и вынужденного перемагничивания кластеров MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb [Текст] / А. И. Дмитриев, А. А. Филатов // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 9. - С. 1712-1715 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (23 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
GaMnSb -- MnSb -- вынужденное перемагничивание -- кластеры MnSb -- перемагничивание кластеров MnSb -- спонтанное перемагничивание -- тонкие пленки
Аннотация: Обнаружена общность процессов спонтанного и вынужденного перемагничивания кластеров MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb.

Доп.точки доступа:
Филатов, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Формирование магнитной анизотропии пленок GaMnSb термообработкой [Текст] / А. И. Дмитриев [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2018. - Т. 154, вып. 3. - С. 613-620. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
магнитная анизотропия -- магнитные полупроводники -- пленки полупроводников -- полупроводники -- полупроводниковые пленки
Аннотация: Определены условия и механизмы контролируемого изменения магнитной анизотропии посредством термообработки пленок GaMnSb, содержащих магнитные нановключения MnSb.

Доп.точки доступа:
Дмитриев, А. И.; Кочура, А. В.; Кузьменко, А. П.; Паршина, Л. С.; Новодворский, О. А.; Храмова, О. Д.; Кочура, Е. П.; Васильев, А. Л.; Аронзон, Б. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb [Текст] / А. И. Дмитриев [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 4. - С. 652-658 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (38 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
GaMnSb -- MnSb -- дисперсия -- магнитная анизотропия -- нановключения MnSb -- термообработка -- тонкие пленки
Аннотация: Измерены температурные зависимости магнитного момента m (T) для неотожженных и отожженных образцов тонких пленок GaMnSb.

Доп.точки доступа:
Дмитриев, А. И.; Кочура, А. В.; Кузьменко, А. П.; Паршина, Л. С.; Новодворский, О. А.; Храмова, О. Д.; Кочура, Е. П.; Васильев, А. Л.; Аронзон, Б. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Теплоемкость твердых растворов системы Er[2]Ge[2]O_7- Er[2]Sn[2]O[7] в области 350-1000 K [Текст] / Л. Т. Денисова [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 4. - С. 660-663 : 4 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
GaMnSb -- MnSb -- диапазон температур 350-1000 K -- лазерное осаждение -- нановключения -- твердые растворы -- теплоемкость -- тонкие пленки
Аннотация: В работе исследованы тонкие пленки GaMnSb с нановключениями MnSb, полученные методом импульсного лазерного осаждения.

Доп.точки доступа:
Денисова, Л. Т.; Иртюго, Л. А.; Белецкий, В. В.; Белоусова, Н. В.; Денисов, В. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 22.07.2024
Число запросов	171606
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)