Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=GaAs<.>)

Общее количество найденных документов : 114
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Шифр: entb/2007/2
Журнал

Электроника: наука, технология, бизнес [Текст]. - ISSN 1992-4178. - Выходит 8 раз в год
2007г. N 2

Содержание:
Бетелин, В. Развитие российского сегмента мировой ИТ- индустрии. Возможные сценарии / В. Бетелин, Е. Велихов. - С.4-11. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СУПЕРКОМПЬЮТЕРЫ, МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, РАЗВИТИЕ, БЕЗОПАСНОСТЬ ИНФОРМАЦИОННАЯ
Шахнович, И. Широкополосная мобильность: lee802.16e. Часть1: MAC- уровень / И. Шахнович. - С.18-27. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: БЕСПРОВОДНОЙ ДОСТУП, МОБИЛЬНЫЙ, СПЯЩИЙ РЕЖИМ МС, ПЕЙДЖИГОВЫЕ ГРУППЫ
Слюсар, В. Диэлектрические резонаторные антенны. Малые размеры, большие возможности / В. Слюсар. - С.28-37. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОБИЛЬНАЯ АППАРАТУРА, АНТЕННЫ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ, ЦИЛИНДРИЧЕСКИЕ DRA
Майская, В. lsscc 2007 года. Проблемы инновационного развития микросхем / В. Майская. - С.38-45
Кл.слова: НАНОЭЛЕКТРОНИКА, ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, РАЗВИТИЕ
Белов, Л. Кварцевые генераторы и фильтры. Компании vectron international / Л. Белов. - С.46-54. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАДИОСВЯЗЬ, РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, КВАРЦОВЫЕ РЕЗОНАТОРЫ
Викулов, И. Технология GaAs- монолитных схем СВЧ в зарубежной военной технике / И. Викулов, Н. Кичаева. - С.56-61. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, СИСТЕМА ВООРУЖЕНИЯ, ПРИМЕНЕНИЕ МОНОЛИТНЫХ СХЕМ, МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
Коснырев, В. Миниатюрные и микроминиатюрные соединители: продукты компании "HUBER + SUHNER" / В. Коснырев. - С.62-66
Кл.слова: БЕСПРОВОДНАЯ СВЯЗЬ, МОБИЛЬНАЯ, ТЕХНОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, СОЕДИНИТЕЛИ СЕРИИ MCX
Шерстнев, А. Оксидные конденсаторы на основе окиси ниобия от компании AVX / А. Шерстнев. - С.68-69
Кл.слова: БЕССВИНЦОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА, БЫТОВАЯ ТЕХНИКА, БЫТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Елисеев, Н. Сети нового поколения: решения texas instruments / Н. Елисеев. - С.70-75. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОБИЛЬНАЯ СВЯЗЬ, ЧИСЛО АБОНЕНТОВ, МОБИЛЬНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, КОММУНИКАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Койнов, А. Решения SDR для аппаратуры Wimax плис, dsp или нечто иное? / А. Койнов. - С.76-80. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЦИФРОВЫЕ СИСТЕМЫ РАДИОСВЯЗИ, ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ ПЛАТФОРМЫ
Андреев, А. Арифметика создания процессоров: 80 ядер лучше восьми? / А. Андреев. - С.82-89. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ПРОЦЕССОРНАЯ СТРУКТУРА POLARIS, ТЕХНОЛОГИЯ ВИРТУАЛИЗАЦИИ
Масич, П. Электродинамические испытательные установки компании IMV / П. Масич, М. Кашапов. - С.90-95
Кл.слова: ВИБРАЦИОННЫЕ УСТАНОВКИ, ИСПЫТАТЕЛЬНЫЕ, СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ, УСИЛИТЕЛЬ СИЛОВОГО МОДУЛЯ
Липкин, Е. FUJI NXT- автоматы нового поколения для поверхностного монтажа. Поверхностный монтаж без органичений / Е. Липкин. - С.96-100. - автоматизированные системы FUJI NXT
Кл.слова: ИНФОРМАЦИОННЫЕ БАЗЫ ДАННЫХ, АВТОМАТЫ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Железняк, С. Автоматический установщик компонентов Siplace d2 / С. Железняк. - С.102-104
Кл.слова: ЦИФРОВАЯ СИСТЕМА ТЕХНИЧЕСКОГО ЗРЕНИЯ
Патрушев, С. Ультразвуковая очистка печатных плат: продукция компании "ПСБ-ГАЛС" / С. Патрушев. - С.106-107
Лысов, В. Компания "Фаствел": принципы интеллектуального соответствия / В. Лысов. - С.108-109
Кл.слова: ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ КОМПАНИИ
Щербакова, Е. Газовые пожарные извещатели: продукция фирмы "Фекс" / Е. Щербакова, А. Кудрин, А. Соколов. - С.110-111. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГАЗОВЫЕ МИКРОСЕНСОРЫ
Эдельман, К. Современный подход к моделированию АЦП в телекоммуникационных устройствах / К. Эдельман. - С.113-114
Кл.слова: ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ ПРИЕМНИКИ, АППАРАТНАЯ ЧАСТЬ, СИГНАЛЬНЫЕ ПРОЦЕССОРЫ
Макушин, М. Высокие технологии- не гарантия от финансовых скандалов / М. Макушин. - С.116-118. - Библиогр. в конце ст.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Определение концентрации носителей в легированных слоях n-GaAs методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотоотражения [Текст] / Л. П. Авакянц [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2007. - Т. 102, N 5. - С. 777-781

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
легированные полупроводниковые слои -- полупроводники -- кремний -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- фотоотражение -- концентрация носителей в легированных пленках -- эффект Холла -- Холла эффект
Аннотация: Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотоотражения определены концентрации носителей в легированных кремнием пленках n-GaAs. Полученные данные хорошо согласуются с результатами исследований методом эффекта Холла. Показано, что методы спектроскопии фотоотражения и комбинационного рассеяния света взаимно дополняют друг друга при определении концентрации носителей в диапазоне 10\{17\}-10\{19\} см\{-3\}.

Доп.точки доступа:
Авакянц, Л.П.; Боков, П. Ю.; Волчков, Н. А.; Казаков, И. П.; Червяков, А. В.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

Лаврентьева, Л. Г.
Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. Г. Лаврентьева [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 63-72. - Библиогр.: с. 71-72 (34 назв. )

УДК

^a621.3.08

^a621.315.592:548.552.22

ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
дефекты в слоях GaAs и InGaAs -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- морфология ростовой поверхности -- отжиг (физика) -- электронная микроскопия
Аннотация: В статье обсуждается проблема дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах. Анализируется влияние условий роста (температура, соотношение потоков элементов групп) на морфологию ростовой поверхности, внутреннюю структуру, тип и концентрацию электрически и оптически активных точечных дефектов. Проведено сопоставление процессов дефектообразования в GaAs и InGaAs при росте и последующем отжиге.

Доп.точки доступа:
Вилисова, М.Д.; Бобровникова, И.А.; Ивонин, И.В.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Ли Цзень Фень
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка [Текст] / Ли Цзень Фень [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 66-70. - Библиогр.: с. 69-70 (9 назв. )

УДК

^a621.396

^a621.382

ББК 32.84
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника
Кл.слова (ненормированные):
ионный пучок -- плотность тока на мишени -- плотность энергии на мишени -- энергия ионов -- эрозия мишени
Аннотация: В статье приведены результаты исследования эрозии мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка. В экспериментах использовался источник мощных ионных пучков со следующими параметрами: энергия ионов - 250 кэВ, плотность тока на мишени - до 350 А/см{2}, длительность импульса - 80 нс, плотность энергии на мишени - до 7 Дж/см{2}. Измерен коэффициент эрозии мишени и его зависимость от числа последовательных импульсов. Отмечено увеличение параметра шероховатости поверхности с увеличением числа последовательных импульсов тока пучка и формирование регулярной структуры рельефа поверхности при числе импульсов более 20-40.

Доп.точки доступа:
Ремнев, Г. Е.; Салтымаков, М. С.; Гусельников, В. И.; Макеев, В. А.; Ивонин, И. В.; Найден, Е. П.; Юрченко, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кульбачинский, В. А.
Низкотемпературный транспорт и ферромагнетизм в структурах на основе GaAs с Mn [Текст] / В. А. Кульбачинский, П. В. Гурин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 193-196. - Библиогр.: с. 196

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
низкотемпературный транспорт -- ферромагнетизм -- ионная имплантация -- имплантация
Аннотация: Исследован низкотемпературный транспорт и ферромагнетизм в структурах на основе GaAs с Mn.

Доп.точки доступа:
Гурин, П.В.; Данилов, Ю.А.; Малышева, Е.И.; Хорикоши, Й.; Ономитсу, К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Якунин, М. В.
Магнитный пробой и квантовый магнитотранспорт с постоянным псевдоспином в наклонных магнитных полях в двойной квантовой яме n-In[x]Ga[1-x]As/GaAs [Текст] / М. В. Якунин, С. М. Подгорных, В. Н. Неверов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - . 241-249. - Библиогр.: с. 249

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- двойные квантовые ямы -- магнитные поля -- наклонные магнитные поля -- псевдоспины -- постоянный псевдоспин -- магнитный пробой -- квантовый магнитотранспорт -- магнитотранспорт
Аннотация: Исследуются магнитный пробой и квантовый магнитотранспорт с постоянным псевдоспином в наклонных магнитных полях в двойной квантовой яме n-In[x]Ga[1-x]As/GaAs.

Доп.точки доступа:
Подгорных, С.М.; Неверов, В.Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оптическая и магнитооптическая спектроскопия тонких композитных слоев GaAs-MnAs [Текст] / Е. А. Ганьшина [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 176-179. - Библиогр.: c. 179 (14 назв. )

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
оптическая спектроскопия -- магнитооптическая спектроскопия -- композиты -- спектральные зависимости -- экваториальный эффект Керра -- Керра экваториальный эффект -- диэлектрическая проницаемость -- рентгеноспектральный анализ -- эллипсометрические исследования -- метод лазерного осаждения
Аннотация: В диапазоне энергий 1-4. 5 эВ проведены эллипсометрические и магнитооптические исследования слоев MnAs и композитов GaAs-MnAs, полученных методом лазерного осаждения.

Доп.точки доступа:
Ганьшина, Е. А.; Голик, Л. Л.; Ковалев, В. И.; Кунькова, З. Э.; Вашук, М. В.; Вихрова, О. В.; Звонков, Б. Н.; Сафьянов, Ю. Н.; Сучков, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni (Co) /GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой [Текст] / М. В. Дорохин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 180-183. - Библиогр.: c. 183 (10 назв. )

УДК

^a535.376

^a537.871.53

ББК 22.345 + 32.840/841
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Радиоэлектроника
   Теоретические основы радиотехники
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры -- ферромагнитный контакт Шоттки -- Шоттки ферромагнитный контакт -- спиновая инжекция -- квантовая яма -- циркулярная поляризация -- магнитное поле
Аннотация: Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs c ферромагнитным контактом Шоттки Ni (Co) /GaAs.

Доп.точки доступа:
Дорохин, М. В.; Зайцев, С. В.; Байдусь, Н. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Звонков, Б. Н.; Кулаковский, В. Д.; Ускова, Е. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Эмиссия излучения терагерцевого диапазона из гетероструктур GaAsN/GaAs в электрическом поле [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 229-231. - Библиогр.: c. 231 (13 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- гетероструктуры GaAsN/GaAs -- напряженные микроструктуры -- квантовые ямы -- энергетические спектры -- локализованные состояния -- акцепторы
Аннотация: Обнаружена эмиссия излучения терагерцевого диапазона из напряженных слоев GaAsN, легированных бериллием, при 4. 2 К в постпробойных электрических полях.

Доп.точки доступа:
Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Егоров, А. Ю.; Устинов, В. М.; Гладышев, А. Г.; Бондаренко, О. В.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Козлов, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Поглощение и эмиссия излучения терагерцевого диапазона в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 265-267. - Библиогр.: c. 267 (7 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптические переходы -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- туннельно-связанные квантовые ямы GaAs/AlGaAs -- внутризонное поглощение -- квантовые ямы -- спектры излучения -- температурная зависимость -- электролюминесценция
Аннотация: Исследовано спонтанное излучение терагерцевого спектрального диапазона с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в продольном электрическом поле.

Доп.точки доступа:
Фирсов, Д. А.; Воробьев, Л. Е.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Ganichev, S. D.; Danilov, S. N.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Жуков, А. Е.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	73312
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)