Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=CdTe<.>)

Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-17

Каримов, М. А.
Спектры тока короткого замыкания фотовольтаических пленок CdTe, CdTe: In [Текст] / М. А. Каримов, Н. Х. Юлдашев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 71-74. - Библиогр.: с. 73-74 (6 назв. )

УДК

^a621.3.08

^a621.315.592

ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
фотовольтаические пленки CdTe, CdTe: In -- спектральная область -- короткое замыкание -- спектры тока -- примесное поглощение
Аннотация: Обнаружено, что генерация АФН в легированных косонапыленных тонких пленках CdTe: In вызывается светом из спектральной области как собственного, так и примесного поглощения. Проанализирован спектр фототока короткого замыкания в зависимости от температуры.

Доп.точки доступа:
Юлдашев, Н.Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кировская, И. А.
Синтез и свойства новых материалов - твердых растворов (InSb) [х] (CdTe) [1-х] [Текст] / И. А. Кировская, Е. В. Миронова // Доклады Академии наук высшей школы России. - 2007. - N 1 (8). - С. . 34-43. - Библиогр. в сносках. - 0; Экспериментальная часть. - 0; Обсуждение результатов

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- новые материалы -- бинарные полупроводниковые материалы -- сфалерит -- рентгенографические исследования -- термографические исследования -- ИК-спектроскопические исследования -- электрофизические исследования -- сенсорная электроника -- электропроводимость
Аннотация: Синтезированы твердые растворы замещения с кубической решеткой сфалерита на основе бинарных полупроводниковых соединений InSb, CdTe в областях взаимной растворимости.

Доп.точки доступа:
Миронова, Е. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Каримов, М. А.
Косонапыленные пленки CdTe : In с аномальными фотовольтаическими свойствами [Текст] / М. А. Каримов, Н. Х. Юлдашев // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1186-1188. . - Библиогр.: c. 1188 (5 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аномальный фотовольтаический эффект -- вольт-амперные характеристики -- короткое замыкание -- легирование -- легированные пленки -- поликристаллические пленки -- термическая обработка
Аннотация: Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим свойством, позволяющая увеличить на порядок фотонапряжение, а ток короткого замыкания - более чем на два порядка.

Доп.точки доступа:
Юлдашев, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Хрипунов, Г. С.
Пленочные солнечные элементы на основе CdS/CdTe с наноразмерными сопрягающими слоями [Текст] / Г. С. Хрипунов, Г. И. Копач, Е. К. Белоногов // Материаловедение. - 2008. - N 11. - С. 59-62.

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленочные солнечные элементы -- наноразмерные сопрягающиеся слои -- однопереходные полупроводники -- базовые слои -- хлоридная обработка -- низкоомные контакты
Аннотация: Исследовались пленочные солнечные элементы с различной толщиной базового слоя CdTe.

Доп.точки доступа:
Копач, Г. И.; Белоногов, Е. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Спектрально-люминесцентные свойства комплексов, образованных одноименно заряженными CdTe квантовыми точками и молекулами тетрасульфофталоцианина [Текст] / А. О. Орлова [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 108, № 3. - С. 975-982. - Библиогр.: с. 981-982 (18 назв. ) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535

^a535.33

ББК 22.34 + 22.344
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
спектрально-люминесцентные свойства -- тетрасульфофталоцианин -- молекулы -- квантовые точки -- щелочная среда -- слабокислая среда -- спектрально-люминесцентные методы
Аннотация: Спектрально-люминесцентными методами исследовано взаимодействие отрицательно заряженных CdTe квантовых точек (КТ) и молекул тетрасульфофталоцианина (ТСФЦ) в слабокислой и щелочной средах.

Доп.точки доступа:
Орлова, А. О.; Губанова, М. С.; Маслов, В. Г.; Виноградова, Г. Н.; Баранов, А. В.; Федоров, А. В.; Gounko, I.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45. . - Библиогр.: c. 45 (17 назв. )

УДК

^a621.3

^a537.311.33

ББК 31.2 + 22.379
Рубрики: Электротехника в целом
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- вольт-фарадные характеристики -- диэлектрики -- пассивация поверхности полупроводника -- структура металл - диэлектрик - полупроводник -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Якушев, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Каримов, М. А.
Стимулирование фотовольтаических свойств косонапыленных пленок CdTe методом легирования индием [Текст] / М. А. Каримов // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 7. - С. 88-89. . - Библиогр.: с. 89 (6 назв. )

УДК

^a621.3.08

^a621.315.592

ББК 31.24
Рубрики: Энергетика
Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
аномально фотовольтаический эффект -- косонапыленные пленки CdTe -- легирование индием -- метод легирования индием -- пленки CdTe -- фотовольтаические свойства
Аннотация: В данной работе исследован аномально фотовольтаический эффект в легированных примесями In, Cl тонких поликристаллических слоях CdTe с целью повышения рабочей мощности пленок как источника фотоЭДС и выяснения роли фоточувствительных центров в генерации АФН.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Наумов, А. В.
О развитии солнечной энергетики на основе теллурида кадмия [Текст] / А.В. Наумов, С.И. Плеханов // Энергия: экономика, техника, экология. - 2011. - № 12. - С. 11-15 . - ISSN 0233-3619

УДК

^a620.91/.98

ББК 31.15
Рубрики: Энергетика
Энергетические ресурсы
Кл.слова (ненормированные):
солнечная энергия -- электроэнергия -- солнечная энергетика -- солнечные батареи -- кадмий -- CdTe -- фотоэлектрические элементы -- теллур
Аннотация: В настоящее время наряду с традиционными источниками энергии, такими, как газ, нефть, уголь, все большее внимание уделяется применению методов преобразования солнечной энергии в электроэнергию. За последние годы бурное развитие получил фотоэлектрический метод с использованием фотоэлектропреобразователей (ФЭП), при котором осуществляется непосредственное преобразование энергии световых квантов (фотонов) в электроэнергию. Определены перспективы внедрения данного метода получения электроэнергии.

Доп.точки доступа:
Плеханов, С. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ч.з. (1), эн.ф. (1)
Свободны: ч.з. (1), эн.ф. (1)

Найти похожие

Влияние тылового контакта на электрофизические и функциональные характеристики пленочных CdTe-детекторных структур с барьером Шоттки [Текст] / Ш. А. Мирсагатов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 2. - С. 47-52 : рис. - Библиогр.: c. 52 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.55/.58

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьер Шоттки -- детекторы с барьером Шоттки -- инжекция -- кадмий теллур -- окисел-полупроводник -- пленочные CdTe-детекторные структуры -- пленочные структуры -- тыловой контакт -- Шоттки барьер -- шумовые характеристики
Аннотация: Для регистрации ядерных излучений созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTe-пленок с удельным сопротивлением p=10{2}-10{7}Ом. см. Измерены вольт-фарадные, вольт-амперные, амплитудные и шумовые характеристики структур и определены механизмы переноса носителей тока при различных величинах напряжения смещения. Установлено, что ограничение функциональных характеристик детекторных структур связано с возникновением процессов инжекции в области тылового Мо-контакта. Обнаружено, что источником инжекции электронов является соединение МоО[3] между пленкой и молибденовой подложкой.

Доп.точки доступа:
Мирсагатов, Ш. А.; Ачилов, А. С.; Заверюхин, Б. Н.; Баиев, М. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Допированные квантовые точки семейства CdTe [Текст] / А. Н. Кравцова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 11. - С. 1612-1616. - Библиогр.: c. 1615-1616 (24 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
XANES-спектры -- Кона-Шема теория функционала -- квантовые точки -- модель обменно-корреляционного потенциала -- спектроскопия рентгеновского поглощения XANES -- теллурид кадмия -- теория функционала плотности Кона-Шема
Аннотация: Исследованы коллоидные полупроводниковые квантовые точки семейства CdTe. Проведен ab initio компьютерный дизайн квантовых точек на основе наночастиц CdTe и CdTe, допированных атомами переходных (Co, Mn) элементов. Выполнены расчеты парциальных плотностей электронных состояний исследуемых квантовых точек. Обоснована чувствительность спектроскопии рентгеновского поглощения в ближней к краю области (XANES) для верификации параметров наноразмерной атомной структуры малых квантовых точек семейства CdTe и для определения параметров локального окружения атома кадмия и примесных атомов в квантовой точке.

Доп.точки доступа:
Кравцова, А. Н.; Ломаченко, К. А.; Сучкова, С. А.; Панкин, И. А.; Файн, М. Б.; Бугаев, А. Л.; Солдатов, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-17

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	81391
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)