Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

Труды АМГУ (2)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 63
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Новые разбавленные ферромагнетики на основе алмазоподобных полупроводников GaSb, InSb, InAs, Ge и Si, сверхперенасыщенных примесями марганца или железа при лазерной эпитаксии [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1621-1622. - Библиогр.: c. 1622 (6 назв. )

УДК

^a621.315.592.3

^a537.622.4

ББК 31.29 + 22.33
Рубрики: Энергетика
   Использование электрической энергии
   Физика
   Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
аномальный эффект Холла -- железо -- Керра магнитооптический эффект -- лазерная эпитаксия -- магнитооптический эффект Керра -- марганец -- полупроводники -- примеси -- разбавленные магнитные полупроводники -- ферромагнетики -- ферромагнитный резонанс -- Холла аномальный эффект -- экспериментальные данные
Аннотация: Приведены экспериментальные результаты изучения электрических, магнитных и магнитооптических свойств тонких (50-100 нм) слоев GaSb: Mn, InSb: Mn, InAs: Mn, Ge: Mn, Ge: Fe, Si: Mn и Si: Fe с точкой Кюри до 500 К, полученных осаждением из лазерной плазмы в вакууме в условиях сильного пересыщения твердого раствора 3d-примесью.

Доп.точки доступа:
Демидов, Е. С.; Подольский, В. В.; Лесников, В. П.; Данилов, Ю. А.; Сапожников, М. В.; Сучков, А. И.; Дружнов, Д. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Зенкевич, А. В.
Формирование поликристаллической фазы FeSi со структурой CsCl в соосажденных тонкопленочных слоях Fe[x]Si[1-x] (х = 0. 5-0. 6) [Текст] / А. В. Зенкевич, Д. Э. Лауэр, В. П. Филиппов // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 9. - С. 1313-1315. - Библиогр.: c. 1315 (13 назв. )

УДК

^a539.234

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
железо -- импульсное лазерное осаждение -- конверсионная электронная мёссбауэровская спектроскопия -- мёссбауэровская спектроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- резерфордовское обратное рассеяние -- силициды железа -- система Fe-Si
Аннотация: Исследовались особенности фазообразования в системе Fe-Si в области концентраций Fe[x]Si[1-x] (х = 0. 5-0. 6).

Доп.точки доступа:
Лауэр, Д. Э.; Филиппов, В. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Люминесцентные и электрофизические свойства диодных гетероструктур Si/SiGe: Er/Si [Текст] / А. Г. Спиваков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 257-261. - Библиогр.: c. 261 (9 назв. )

УДК

^a535.376

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
люминесцентные свойства -- электрофизические свойства -- диодные гетероструктуры -- вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- экспериментальные результаты
Аннотация: Представлены результаты исследований диодных гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа.

Доп.точки доступа:
Спиваков, А. Г.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 268-271. - Библиогр.: c. 271 (13 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокластеры -- морфология -- фотолюминесценция -- гетероструктуры GeSi/Si (001) -- температурная зависимость -- оптические свойства -- коалесценция -- условия роста -- температуры роста
Аннотация: Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции (ФЛ) гетероструктур GeSi/Si (001) с самоформирующимися нанокластерами, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста.

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Сипрова, С. В.; Марычев, М. О.; Шенгуров, В. Г.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Болховитянов, Ю. Б.
Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок [Текст] / Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 5. - С. 459-480 : 20 рис. - Библиогр.: с. 479-480 (232 назв. )

ГРНТИ	29.19
УДК	^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые подложки -- гетероструктуры -- эпитаксиальные формирования -- наноэлектроника
Аннотация: В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A{III}B{V} на его основе на подложках SI; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур.

Доп.точки доступа:
Пчеляков, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кинетические уравнения и рост нанокристаллов в методах молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Ю. В. Трушин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 991-994. . - Библиогр.: c. 994 (8 назв. )

УДК

^a537.534.7

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
компьютерное моделирование -- нанокластеры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- кинетические уравнения -- эпитаксиальный рост -- закономерности эволюции
Аннотация: В статье методами компьютерного моделирования исследовались процессы зарождения и роста нанокластеров GaN, Ge, InAs в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии (обычной и сопровождаемой облучением ионами азота).

Доп.точки доступа:
Трушин, Ю. В.; Куликов, Д. В.; Сафонов, К. Л.; Раушенбах, Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 16-19. . - Библиогр.: c. 19 (7 назв. )

УДК

^a535.376

^a537.871.53

ББК 22.345 + 32.840/841
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Радиоэлектроника
   Теоретические основы радиотехники
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры GaAs/InGaAs -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное распыление -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- Шоттки барьеры -- барьеры Шоттки -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды
Аннотация: Проведено исследование структурных, электрических и люминесцентных свойств квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs, модифицированных бета (Mn) -легированием GaAs-барьера.

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Прокофьева, М. М.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Магнитосопротивление структур, содержащих слои MnAs и сильнолегированных марганцем полупроводников A{3}B{5} [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 30-32. . - Библиогр.: c. 32 (4 назв. )

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
магнитосопротивление -- трехслойные структуры -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное осаждение -- магнитотранспортные свойства -- полупроводники -- ферромагнетики -- магнитнооптический эффект Керра -- Керра магнитнооптический эффект
Аннотация: Исследовались магнитотранспортные свойства эпитаксильных гетероструктур ферромагнетик/полупроводник на основе ферромагнитных слоев MnAs и GaMnAs, разделенных промежуточным немагнитным слоем полупроводника (InAs либо GaAs).

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Подольский, В. В.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние структурного состояния поверхности на формирование рельефа и морфологию слоев GaAs (001) при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге [Текст] / А. В. Васев [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 5-13. . - Библиогр.: с. 13 (34 назв. )

УДК

^a544.72

^a537.533/.534

^a539.2

ББК 24.58 + 22.338 + 22.37
Рубрики: Физика
   Химия
   Физическая химия поверхностных явлений
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
адсорбция -- вакуумный отжиг -- выглаживание поверхностей GaAs (001) -- дифракция -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфологические изменения поверхностей -- физика конденсированного состояния -- эпитаксия
Аннотация: Методами дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) изучены особенности морфологических изменений, происходящих на поверхности GaAs (001) в процессе роста молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и вакуумного отжига. Выявлена связь сверхструктурного состояния поверхности с характером этих изменений. Установлены термодинамические условия эпитаксиального роста GaAs (001) с наиболее структурно-совершенной поверхностью. Определены характеристики процессов, вызывающих развитие рельефа при росте МЛЭ в условиях существования реконструкции (2х4). Предложена и апробирована новая методика, позволяющая значительно повысить эффективность процедуры выглаживания поверхности GaAs (001) отжигом в потоке мышьяка.

Доп.точки доступа:
Васев, А. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Селезнев, В. А.; Преображенский, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Твердофазная эпитаксия фторидов щелочноземельных металлов со структурой флюорита [Текст] / А. В. Бледнов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 428, N 2, сентябрь. - С. 194-198. : 3 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 198 (9 назв. )

УДК

^a544

ББК 24.21
Рубрики: Химия
Строение органических соединений
Кл.слова (ненормированные):
фториды -- твердофазная эпитаксия -- эпитаксия фторидов -- металлы -- щелочноземельные металлы -- флюорит
Аннотация: Впервые показана возможность получения эпитаксиальных пленок фторидов щелочноземельных металлов со структурой флюорита путем твердофазной эпитаксии, осуществляемой перекристаллизацией при относительно низких температурах поликристаллических пленок, полученных методом MOCVD при температуре 300-400 градусов на различных подложках.

Доп.точки доступа:
Бледнов, А. В.; Горбенко, О. Ю.; Кауль, А. Р.; Самойленко, С. В.; Муйдинов, Р. Ю.; Гаршев, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 28.07.2024
Число запросов	68454
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)