Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксиальные пленки<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-22

Морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pb[1-x] Eu[x]Se после плазменной обработки [Текст] / С. П. Зимин [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 90-93. - Библиогр.: с. 93 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.21

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
морфология поверхности -- эпитаксиальные пленки -- плазменная обработка
Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pb[1-x]Eu[x]Se на подложках CaF[2]/Si (111) в исходном состоянии и после обработки в высокоплотной индуктивной Ar-плазме в различных режимах. Показано, что пронизывающие дислокации служат остовом для формирования крупных выступов в ходе распыления полупроводникового материала. Обнаружено влияние режимов обработки на геометрические параметры крупных выступов и характеристики окружающего нанорельефа.

Доп.точки доступа:
Зимин, С. П.; Горлачев, С. Е.; Герке, М. Н.; Куртовская, С. В.; Амиров, И. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Оценка возможности определения электрофизических характеристик Cd[x]Hg[1-x]Te р{+} -п-структур методом дифференциальных холловских измерений [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 3-8. . - Библиогр.: c. (назв. )

УДК

^a53.07

^a537.311.33

ББК 22.3с + 22.379
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
CdxHg1-xTe -- имплантация ионов -- матричные фотоприемники -- электрофизические характеристики -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: В работе проведено численное моделирование процесса восстановления профиля распределения концентрации дырок в р{+}-п-структуре методом дифференциальных холловских измерений после имплантации ионов As{+} (Е = 190 кэВ, D = З 10{14}см{2}, j = 0, 025 мкА/см{2}) в эпитаксиальные пленки Cd[x]Hg[1-x]Te для х ~ 0, 2, с исходной концентрацией и подвижностью электронов n = 10{14}см{-3} и мю = 2 10{5} см{2} B{-1} c{-1}. Рассчитаны зависимости степени восстановления профиля распределения концентрации дырок от толщины шунтирующего п-слоя и величины магнитного поля, при котором производится измерение электрофизических параметров р{+} -n-структуры. Определена зависимость от толщины n-слоя предельного магнитного поля, определяющего диапазон магнитных полей для измерений. Показано, что при определении профиля распределения концентрации дырок по модели Петрица в расчетах необходимо использовать значения проводимости, измеренные при тех же магнитных полях, что и коэффициент Холла.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Васильев, В. В.; Григорьев, Д. В.; Романов, И. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Получение тонких пленок никелатов неодима и самария методом центрофигурирования из гетерометаллических координационных соединений [Текст] / А. В. Харченко [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 426, N 4, июнь. - С. 497-500. . - Библиогр.: с. 500

УДК

^a546

ББК 24.12
Рубрики: Химия
Химические элементы и их соединения
Кл.слова (ненормированные):
оксидные пленки -- этанольные растворы -- редкоземельные элементы -- никелаты неодима -- термолиз -- координационные соединения -- гетерометаллические соединения -- эпитаксиальные пленки -- тонкие пленки -- никелаты
Аннотация: Предложен эффективный подход к модифицированию гетерометаллических координационных соединений, который открывает перспективы развития нового метода осаждения эпитаксиальных тонких пленок никелатов редкоземельных элементов, в том числе неустойчивых при низком давлении кислорода.

Доп.точки доступа:
Харченко, А. В.; Макаревич, А. М.; Григорьев, А. Н.; Сорокина, Н. М.; Лысенко, К. А.; Кузьмина, Н. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фианит - многофункциональный материал электроники [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1068-1075. : Рис. - Библиогр.: c. 1075 (19 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- диэлектрические материалы -- защитные покрытия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- метод плазмостимулированной молекулярно-лучевой эпитаксии -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Фианит, или иттрием (гафнием) стабилизированная двуокись циркония (YSZ), обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в различных областях техники. В статье рассматриваются применения фианита в электронике в качестве монолитной подложки и буферного слоя для эпитаксии соединений A{II}IB{V}, а также в качестве просветляющего и защитного покрытия фотоприемников и солнечных элементов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Бузынин, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Тришенков, М. А.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Сегнетоэлектрические тонкие пленки BiFeO[3] с орторомбической структурой допированного Nd [Текст] / И. Н. Леонтьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 8. - С. 1163-1165. . - Библиогр.: c. 1165 (8 назв. )

УДК

^a538.91

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
дифракция рентгеновских лучей -- допирование неодимом -- орторомбическая симметрия -- рамановская спектроскопия -- сегнетоэлектрические пленки -- тонкие пленки -- феррит висмута -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: В работе показано, что кроме уже наблюдавшихся в пленках BFO ромбоэдрических и моноклинных модификаций есть также полярная орторомбическая форма с поляризацией, направленной в плоскости пленки.

Доп.точки доступа:
Леонтьев, И. Н.; Анохин, А. С.; Юзюк, Ю. И.; Головко, Ю. И.; Мухортов, В. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гигантский магниторефрактивный эффект в пленках La[0. 7]Ca[0. 3]MnO[3] [Текст] / А. Б. Грановский [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, вып. 1. - С. 90-100. . - Библиогр.: с. 99-100

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- пленки манганитов -- манганиты -- La[0. 7]Ca[0. 3]MnO[3] -- гигантский магниторефрактивный эффект -- магниторефрактивный эффект -- магнитосопротивление -- магнитоотражение -- магнитопропускание -- магнитооптические свойства
Аннотация: Комплексные экспериментальные исследования структурных, оптических, магнитооптических свойств и магнитосопротивления эпитаксиальных пленок La[0. 7]Ca[0. 3]MnO[3] показали, что магнитоотражение и магнитопропускание в пленках манганитов могут достигать гигантских значений, сильно зависят от магнитной и зарядовой однородности пленок, их толщины и спектральной области исследований.

Доп.точки доступа:
Грановский, А. Б.; Сухоруков, Ю. П.; Телегин, А. В.; Бессонов, В. Д.; Ганьшина, Е. А.; Кауль, А. Р.; Корсаков, И. Е.; Горбенко, О. Ю.; Гонзалес, Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Магниторефрактивный эффект в манганитах с колоссальным магнитосопротивлением в видимой области спектра [Текст] / Ю. П. Сухоруков [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 1. - С. 160-168 : 4 рис. - Библиогр.: с. 167-168 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
манганиты -- магниторефрактивный эффект -- магнитосопротивления -- видимая область спектра -- спектры -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Исследуется магниторефрактивный эффект в манганитах с колоссальным магнитосопротивлением в видимой области спектра.

Доп.точки доступа:
Сухоруков, Ю. П.; Телегин, А. В.; Грановский, А. Б.; Ганьшина, Е. А.; Жуков, А.; Гонзалес, Х.; Херранз, Г.; Кайседо, Х. М.; Юрасов, А. Н.; Бессонов, В. Д.; Кауль, А. Р.; Горбенко, О. Ю.; Корсаков, И. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Структурное состояние гетеросистем Ge/Si с интерфейсами (001), (111) и (7 7 10) [Текст] / Е. М. Труханов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 373-376. - Библиогр.: c. 376 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.25

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетеросистемы Ge/Si -- дислокации несоответствия -- дислокации Шокли -- кристаллографическая ориентация -- пластическая релаксация -- просвечивающая электронная микроскопия -- сканирующая туннельная микроскопия -- Шокли дислокации -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Для интерфейсов с кристаллографической ориентацией (111) и (001) показано, что при одинаковом уровне пластической релаксации напряжений в полупроводниковых эпитаксиальных пленках отношение расстояний D между соседними дислокациями несоответствия D[ (111) ]/D[ (001) ] = 1. 5. Это позволило установить, что дислокационный интерфейс (7 7 10) содержит частичные 90°-дислокации Шокли, залегающие в трех направлениях (110).

Доп.точки доступа:
Труханов, Е. М.; Лошкарев, И. Д.; Романюк, К. Н.; Гутаковский, А. К.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Теоретическое и экспериментальное определение начальной стадии пластической релаксации напряжений несоответствия в гетеросистеме подложка (111)- островки пленки [Текст] / И. Д. Лошкарев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 425-428. - Библиогр.: c. 428 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.23

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
биатомные слои -- гетеросистемы -- граница раздела -- дислокации несоответствия -- пластическая релаксация -- размерные эффекты -- химическое травление -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Развита модель определения критической толщины пленки h[С] для введения дислокаций несоответствия по плоскостям скольжения пленки и подложки, параллельным границе раздела (111). Экспериментальные величины h[С], согласующиеся с расчетными, определены для гетеросистем Ge/Si (111) и Si[3]N[4]/Ge (111). Реализован двухуровневый эпитаксиальный рост Ge на Si в режиме комбинации механизмов ступенчато-слоевого и 2D-островкового роста.

Доп.точки доступа:
Лошкарев, И. Д.; Труханов, Е. М.; Романюк, К. Н.; Качанова, М. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Исследование состава приповерхностных слоев полупроводников с помощью фотометрии [Текст] / Т. А. Брянцева [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 4. - С. 41-44. - Библиогр.: с. 44 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a543.4/.5

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
приповерхностные слои полупроводников -- полупроводниковые пленки -- эпитаксиальные пленки -- фотометрия -- селективное травление -- кристаллические решетки -- тонкий химический анализ -- галлий -- алюминий -- мышьяк
Аннотация: Разработаны методики определения микроколичеств свободных галлия, алюминия и мышьяка, не связанных с кристаллической решеткой базисного материала, на поверхности эпитаксиальных пленок.

Доп.точки доступа:
Брянцева, Т. А.; Бобылев, М. А.; Лебедева, З. М.; Любченко, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-20 21-22

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	48369
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)