Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=эмиссионное правило Урбаха<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Фотоэлектронная эмиссия имплантированных пленок SiO[2]: Se{+} [Текст] / А. Ф. Зацепин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 221-225. - Библиогр.: c. 225 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
активационное туннелирование -- диоксид кремния -- имплантированные пленки -- пленки SiO[2] -- поверхностные слои -- спектры колебательных состояний -- спектры электронных состояний -- Урбаха эмиссионное правило -- фототермическая ионизация -- численное моделирование -- эмиссионное правило Урбаха -- энергетические щели
Аннотация: Представлены результаты исследования пленок диоксида кремния, имплантированных ионами селена (330 кэВ; 5х10{16} см{-2}). Методом фотостимулированной электронной эмиссии (OSEE) изучены особенности разупорядочения структуры пленки. Спектральные зависимости OSEE описаны в рамках формализма эмиссионного правила Урбаха. Установлено, что возникающие при имплантации дискретно-континуальные нарушения вносят заметные искажения в спектр электронных и колебательных состояний матрицы SiO[2]. Результаты эксперимента и численного моделирования указывают на реализацию механизма активационного туннелирования электронов с фотовозбужденных поверхностных состояний SiO[2] в вакуум.


Доп.точки доступа:
Зацепин, А. Ф.; Бунтов, Е. А.; Кортов, В. С.; Фиттинг, Г. Д.; Поносов, Ю. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 26.08.2024
Число запросов 157550
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)