Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=хлорид-гидридная газофазная эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии [Текст] / В. Ф. Агекян [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 12. - С. 2392-2395 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. (6 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
газофазная эпитаксия -- галлий -- монокристаллы -- нитрид галлия -- объемные монокристаллы -- оптические свойства -- хлорид-гидридная газофазная эпитаксия -- эпитаксия
Аннотация: Отмечается, что кристалл нитрида галлия толщиной 5 mm был выращен методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на сапфировой подложке, от которой кристалл отделился в процессе остывания.

Доп.точки доступа:
Агекян, В. Ф.; Борисов, Е. В.; Серов, А. Ю.; Философов, Н. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC [Текст] / Л. М. Сорокин, М. Ю. Гуткин, А. В. Мясоедов [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2317-2321 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.
Кл.слова (ненормированные):
3C-SiC -- GaN -- газофазная эпитаксия -- дислокационные реакции -- доклады -- конференции -- нитрид галлия -- полуполярный нитрид галлия -- просвечивающая электронная микроскопия -- хлорид-гидридная газофазная эпитаксия -- электронная микроскопия
Аннотация: Представлены результаты ПЭМ исследования взаимодействия между дислокациями в полуполярном слое GaN, выращенном методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на темплейте 3C-SiC/Si (001).

Доп.точки доступа:
Сорокин, Л. М.; Гуткин, М. Ю.; Мясоедов, А. В.; Калмыков, А. Е.; Бессолов, В. Н.; Кукушкин, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 28.07.2024
Число запросов	61179
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)